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电沉积Pt微岛对单晶n-Si光阳极行为的影响
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作者 范宏斌 范钦柏 邓薰南 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期429-433,共5页
用电沉积法在n-Si单晶表面上制得微细的不连续Pt岛,测得最佳的电沉积条件与最适当的氧化还原偶。在63mW/cm^2白光照射下,I_(sc)为21mA/cm^2,V_(oc)为0.57伏,转换效率达12.1％。 用SEM、XPS及AES测量n-Si/Pt电极表面。对实验结果进行了... 用电沉积法在n-Si单晶表面上制得微细的不连续Pt岛,测得最佳的电沉积条件与最适当的氧化还原偶。在63mW/cm^2白光照射下,I_(sc)为21mA/cm^2,V_(oc)为0.57伏,转换效率达12.1％。 用SEM、XPS及AES测量n-Si/Pt电极表面。对实验结果进行了详细讨论。 展开更多
关键词 电沉积 尼微岛 单晶 阳极 n-si光
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