基于灰色建模技术的中国废弃物资源化利用产业发展能力测度及预测研究

废弃物资源化利用产业的迅猛发展有效减少了废弃物后续处理导致的环境污染,科学预测其发展能力对改善我国环境质量及促进相关产业深度融合具有重要价值。为此,文章首先构建了具有自适应特征的新型多变量灰色模型DWGM(1,N),该模型解决了传统GM(1,N)的机理缺陷、参数缺陷与结构缺陷,实现了对传统GM(1,N)和GM(1,1)模型的完全兼容。然后,建立了评价我国废弃物资源化利用产业发展能力的指标体系,并应用灰色关联度模型识别其影响因素。最后,应用DWGM(1,N)模型对中国废弃物资源化利用产业发展能力进行建模,结果显示DWGM(1,N)平均相对模拟误差为0.2683%,优于传统GM(1,N)和GM(1,1)(分别为17.8382%和6.7515%)。应用DWGM(1,N)对2020—2025年该产业发展能力进行预测,结果显示2025年该产业发展能力为其2013年1.5倍,表明该产业未来发展潜力良好。

Transformation from n-Diamond to sp^3-Banding Carbon

与 n 钻石和像钻石的碳粉末(DLC ) 的混合，作为碳来源，，透明晶片被热水的过程在 100 畮扭牥 ? 吠敨氠湡桴湡摩 ? 潩 ? 楬獥愠潢敶琠敨瀠牯桰特湩洠汯' 虥 N 牡瀠慬敮愠摮挠汨牯摩 ? 潩?獩漠瑵楳敤戠畯摮牡?景琠敨挠潯摲湩瑡潩?潣灭畯摮?潃灭敬數?综合了牡?瑳'L敬戠汥睯㈠吗？？？

N离子注入金刚石膜方法合成的CN_x膜的成键结构

使用 N离子 (能量分别为 1 0 ke V,60 ke V)注入金刚石膜方法合成 CNx 膜 ,用 Raman光谱和 XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构 .结果表明 ,金刚石膜经 1 0 ke V N离子注入后 ,在 Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰 (1 332 cm- 1)和一个弱的石墨峰 (G带 ,～ 1 550 cm- 1) .而 XPS N1s资料显示两个主峰分别位于～ 398.5e V和～ 40 0 .0 e V.金刚石膜经 60 ke V N离子注入后 ,N1s XPS光谱中的主峰位于～ 40 0 .0 e V;相应地 ,Raman光谱中的石墨峰变得较强 .通过比较 ,对注入样品的 XPS谱中 N1s的成键结构作如下归属 :～ 40 0 .0e V属于 sp2 C— N键 ;～ 398.5e V则属于 sp3C—N键 .

低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备

利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的 n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜 .质子激发 X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度 ;扫描电镜和 Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄膜的晶粒较完整 ,薄膜中存在较多的非金刚石碳相 .Hall效应测试表明薄膜的导电类型为 n型 ,电阻率为 0 .0 2 4 6 Ω·cm,载流子浓度为 2 .4 0× 1 0 1 7cm- 3,Hall迁移率为 1 0 3cm2 / (V· s) ;较低的电阻率是薄膜中存在

新金刚石的研究现状

新金刚石是具有面心立方(fcc)结构的金属性碳,是一种新的碳同素异形体。为了更好地研究新金刚石的性能和应用,介绍了新金刚石的结构特征、制备工艺及新金刚石性能研究的进展。

C-N化合物合成研究

用能量 50 - 1 1 0 ke V的 N离子在低于 80°C温度下注入 CVD法合成的金刚石薄膜后 ,分别用 X射线光电子谱、红外谱和拉曼谱检测注入后的薄膜中是否形成了 C- N化合物 .结果表明注入后的薄膜中存在有 3种化学键态的 C- N化合物 ,且低能离子注入更有利于 C- N化合物的形成 .由于在注入区内形成了大量的 C- N单键 ,这有利于β- C3N4 的合成 .对 C-

金刚石N型掺杂的现状和问题

对金刚石中Li、Na、P等可能的施主杂质,就施主能级、溶解度、稳定性、原子半径等几种特性参数与实现N型掺杂的关系做了分析和讨论;总结了金刚石三种掺杂方法的特点;并对金刚石N型掺杂研究中所得结果和存在的问题进行了分析和探讨。

B,N协同掺杂金刚石电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于金刚石的稳定结构,在实验研究的基础上,本文采用基于周期性密度泛函理论计算了B/N单掺杂、共掺杂金刚石的晶体结构,并就掺杂方式和掺杂后形成能进行了对比研究,得到了B/N双掺杂的最稳定结构.在此基础上,进一步计算了N单掺杂及B/N共掺杂最稳定结构的吸收光谱、电子结构和态密度.通过与实验结果对比可以看出,较N单掺杂,B/N共掺杂的吸收光谱发生明显红移,与实验符合较好.计算结果表明:N原子单掺杂优先于B原子;由于原子间的协同作用,B/N近邻共掺杂体系的形成能最低,为掺杂的最可能结构.

基于聚焦离子束技术制备金刚石/M(M=Cu,Al,AlN)双相复合材料HRTEM样品

分别以金刚石/Cu,金刚石/Al,金刚石/Al N等双相复合材料为研究对象,应用聚焦离子束(FIB)场发射扫描双束电镜,成功制备了含双相及界面结构的高分辨透射电镜(HRTEM)样品,并减小了Ga离子的非晶损伤层。HRTEM成功观测到金刚石与不同材料复合时的晶体共格/半共格/非共格关系,为进一步研究金刚石双相复合材料的界面成分和晶体结构奠定了基础。

掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF- PECVD)法携带 N2 或 NH3制备掺氮的类金刚石 (DL C∶ N)薄膜 ,对不同掺杂方法得到 DL C∶ N薄膜进行电化学 C- V测量 .I- V和 C- V曲线表明 ,不论是采用 N2 或是 NH3进行掺杂都得到 n型的 DL C薄膜 ,掺 NH3的样品载流子浓度能达到更高 .根据样品的电化学 C- V测量结果并结合 X射线光电子能谱 ,详细研究了 DL C∶ N薄膜载流子浓度的纵向分布 。

聚合氮的研究进展

全氮化合物是推进剂和炸药等高能密度材料(HEDM)有应用前景的候选物。在全氮化合物中,聚合氮特别是立方偏转结构聚合氮(cg-N)的能量最高,理论计算显示cg-N的密度为3.9 g·cm-3,比冲为500 s,爆压是HMX的十倍有余。cg-N已于2004年通过在金刚石对顶砧中在2000 K高温、140 GPa高压下压缩氮气实验制得,但是在常温常压下还无法稳定保存;如果在常温环境下能够得到稳定的聚合氮,这将是含能材料领域的一次里程牌式的飞跃。本文就这种立方偏转晶体结构的聚合氮和之前发现的无定形聚合氮进行了综述,并详细地阐述了以N2/H2(2/1,体积比)混合物在室温下约85 GPa条件下制得的N2/H2聚合氮合金的性质。

高质透明ZnO/金刚石异质结的制备

介绍一种高质透明异质结的表征与制备方法.该异质结首先在金刚石单晶表面制备出p型金刚石单晶薄膜,然后在其上制备高取向ZnO薄膜,构成n型区.系统测试结果表明,当p-n结正向偏压达到2.5V时,电流密度为109A/m2,启动电压为0.72V,与期待值一致.良好的整流特性以及在可见光范围内的透明特性在该元件中得以实现.

用含硼T641石墨炭源合成含硼氮金刚石晶体的结构、性质与应用效果

介绍了硼氮元素对合成金刚石晶体的结构、性质与应用技术的影响，来提高人们对它的进一步认识，以促进对它的研究和开发，使金刚石品种、质量等得到迅速的发展。

P型和N型金刚石薄膜研究进展

金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金刚石薄膜P型掺杂和N型掺杂的研究现状,对金刚石薄膜N型掺杂研究中存在的问题进行了分析和探索,并对N型金刚石的前景进行了展望。

金刚石的场致发射

报道了金刚石膜的低电场、大电流阴极发射电流现象。总结了几种不同类型样品结构的发射机理。提出了增强发射电流、提高发射稳定性的方法。综述了各种影响发射电流的因素，提出了较为统一的发射电流表达式，使得金刚石膜的发射电流符合Ｆ－Ｎ理论。

硼磷共掺杂n型金刚石薄膜的Hall效应、红外光谱和EPR研究

用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低。FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施主特性没有被补偿,共掺杂薄膜中载流子浓度没有大幅度减少。EPR和Raman测试结果证实了较高温度退火后的共掺杂薄膜的晶格结构比单掺杂薄膜的更完整,从而有利于提高载流子迁移率,降低电阻率。

CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展

含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。

氮掺杂纳米金刚石膜的结构和电学性能

目的研究不同氮气浓度对氮掺杂纳米金刚石薄膜结构和电学性能的影响。方法在N2-CH4-H2体系中,以单晶硅作为沉积基底,使用MPCVD法进行纳米金刚石膜的沉积。采用扫描电子显微镜对所沉积的纳米金刚石膜的表面形貌进行表征,采用拉曼光谱对纳米金刚石膜的质量进行表征,采用X射线衍射对纳米金刚石的N原子构型进行研究,采用电化学工作站对纳米金刚石膜表面电学性能进行表征。结果 N2浓度上升,线状纳米金刚石平均线长降低,在90%时转变为团聚状纳米金刚石晶粒。N2浓度上升,H2浓度下降,纳米金刚石膜的sp2键含量先上升后下降。随着氮气浓度的上升,纳米金刚石膜的晶粒尺寸先减小后增大,在85%时最小,为12.6 nm;表面电阻先下降后上升,在85%时最低,为9.2?。XPS高分辨率N1s结果表明,具有导电性能的吡啶氮和吡咯氮的含量随氮气浓度上升的变化趋势相反,但两者之和保持不变。结论纳米金刚石膜的电学性能主要受其平均晶粒尺寸的影响,晶粒尺寸降低,则晶界含量上升,电学性能上升;晶粒尺寸下降,则晶界含量下降,电学性能下降。

N掺杂对金刚石(100)和(111)表面电子性质的影响——基于第一性原理的理论研究

利用第一性原理研究N掺杂后的金刚石(100)和(111)表面的形成能和电子结构,结果表明,无论是金刚石(100)表面还是(111)表面,替位式N在不同的成键情况、不同的掺杂深度时,既可以得到n型金刚石又可以得到p型金刚石,并且得到的施主能级相比较块体要浅.随着N掺杂深度的增加所需形成能越来越大,这表明不能无限度被掺杂.从空间结构上看,优化后的体系中N与C及N与H间的化学键长均变短,这可能是由于N比C具有更强的电负性,使得N与其周围原子间的相互作用更强.

非平衡定态相图在含氮体系低压金刚石沉积中的应用

０前言最近几年低压金刚石制备研究中，出现了一类以含氮气相混合物为原料的制备方法，正逐渐被人们所重视：少量氮原子的存在（甚至是ｐｐｍ级）可以显著提高金刚石薄膜的淀积速率，改善薄膜质量［１，７］。本文报道根据非平衡热力学耦合理论［１０］，首次计算得到了含...