ZnO线性电阻陶瓷体与烧银电极的电接触

研究了在 2 ms脉冲电流冲击下烧银电极的Zn O陶瓷线性电阻片的破坏模式、8/ 2 0μs标准脉冲电流冲击对表观电阻的影响规律、烧银电极的烧结温度和保温时间对表观电阻等的影响。测量了表观电阻与试样厚度的关系 ,进行了扫描电镜的能谱元素分析。研究结果表明 ,烧银电极与 Zn O线性电阻陶瓷体间的电接触是非欧姆接触 ,其非线性指数为 1.68。该非欧姆接触电阻是在烧银过程中银浆中的 Pb2 +离子沿晶界向瓷体内部扩散的结果 ,是 Zn O陶瓷线性电阻片非线性指数 α增大 ,表观电阻在 8/ 2 0 μs脉冲电流冲击后下降等现象的原因。

应用PSPICE软件分析压力传感器的非线性电阻电桥电路

本论文主要讨论怎样利用PSPICE软件模拟压力传感器中由扩散电阻形成的非线性电路。并结合实验结果对模拟结果进行分析,并简要地论述了电桥零点输出电漂移的起因以及如何利用这些结果来消除热零点漂移。

应用PSPICE软件分析压力传感器的非线性电阻电桥电路

利用 ＰＳＰＩＣＥ软件模拟由扩散为敏电阻器构成的非线性电阻电桥电路的行为特性，指出可利用其中受电压控制的电压源及其扩展功能来模拟非线性扩散电阻器在电路的等价作用，进而显示出压力传感器中非线性为敏电阻电桥电路的电漂移和热漂移特性．结合０℃和５０℃时压力传感器电桥零点输出的实验结果对比模拟结果进行了分析．简要地论述了电桥零点输出电漂移的起因以及如何利用电漂移来消除热零点漂移．

压力传感器激励电源电压值的选择

由于压力传感器输出出现零点电漂移,不同激励电压零点便不同。本文介绍应怎样选择其激励电压值,同时分析了集成稳压电路的电压输入输出特性以及利用它对传感器供电消除热零点漂移同时又使零点偏移为零,并用实验加以验证。

ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性

随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用。对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析。通过TLP实验对大电流作用下的电阻特性进行验证研究,试验分析了扩散电阻的ESD保护特性;着重讨论了二次击穿区,即热击穿区,的电阻特性,得出电阻的热击穿最先发生在阳极n+-n结,继续加大电压会使阳极-阴极间完全热烧毁的结论。

提高扩散硅压力传感器扩散电阻一致性的有效方法

本文叙述了在通用扩散炉上实现大面积超厚硅片电气参数一致性的有效方法,在使用本工艺之前,芯片径向电阻的非均匀性在20％左右。使用本工艺后,非均匀性减小到10％以内,一般可以控制在6％左右。有效地解决了普通设备加工特殊硅片的技术问题。

ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤

电阻在静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用。利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性。结果表明,n阱扩散电阻在发生初次瞬态击穿(瞬态击穿电压79.0V,瞬态击穿电流1.97A)后,由于阳极n+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用。

扩散工艺对太阳能电池片效率的影响

文中介绍太阳能电池片扩散原理以及PN结的制作过程,通过控制硅片在扩散中相应步骤的工艺时间以及扩散温度,得到不同结深、不同方块电阻和不同均匀性的电池片。进行实验比较不同大小的方块电阻对太阳能电池片效率的影响,进而对工艺进行改进。

双极型晶体管制造工艺SOD技术研究

有两种不同的双极晶体管NPN和PNP,NPN发射极emitter的工艺控制决定了晶体管的结深,在双极性晶体管制造工艺中是非常重要的,发射结的深浅和工艺质量决定了双极性晶体管的很多重要参数,如晶体管的放大能力,相关耐压的高低,漏电大小,是NPN晶体管应用的重要表征参数。在NPN工艺过程中,同时也可以形成emitter发射区(SN)在base基区(SP)的SP挤压电阻,该电阻值比较大,基本上在高阻KΩ级别。该电阻可以表征在工艺过程中NPN管base基区的控制和emitter发射区在base基区中推进的最终结深,是NPN管常规监控的一个重要参数,在启动电路中和大电阻设计需要中有着普遍的应用。有时SP pinched电阻的敏感度对于emitter发射区在base基区的结深和浓度表征高于NPN晶体管的相关电压和漏电测试,因此也常常设计来监控NPN制造工艺。研究NPN管制造工艺中发射极的SOD技术,为解决产品问题提供指导。

Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究

对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。