纳米硅-氧化硅薄膜的XPS测量

利用XPS能很好地分辨出硅基纳米硅 氧化硅膜层中的n Si和n SiO2 。对Si2 p峰进行的拟合处理 ,可计算出n Si和n SiO2 的含量 ,其结果与RF 磁控溅射沉积薄膜中所用的复合靶Si和SiO2 的面积比基本一致。

纳米二氧化硅/硅异质结的表面光伏特性

采用溶胶 -凝胶法在P型单晶硅的表面镀上一层纳米二氧化硅薄膜 ,应用表面光电压谱 (SPS)、漫反射光谱 (DRS)和傅里叶红外光谱 (FTIR)研究其室温下的光伏、光吸收特性 .结果表明 :在单晶硅表面镀上一层纳米二氧化硅薄膜后 ,漫反射吸收系数F(R)比单晶硅提高了约 5 0 % ,相应的光电压信号提高了约两个数量级 .在 40 0～ 80 0℃热处理温度范围内随着温度的升高 ,纳米复合材料SiO2 /Si的光伏效应增强 ,红外光谱中的Si-O键振动吸收峰降低 ,二氧化硅薄膜中欠氧状态加剧 .