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Fabrication of superconducting NbN meander nanowires by nano-imprint lithography 被引量:1
1
作者 杨美 刘丽华 +5 位作者 宁鲁慧 金贻荣 邓辉 李洁 李阳 郑东宁 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第1期384-389,共6页
Superconducting nanowire single photon detector (SNSPD), as a new type of superconducting single photon detector (SPD), has a broad application prospect in quantum communication and other fields. In order to prepa... Superconducting nanowire single photon detector (SNSPD), as a new type of superconducting single photon detector (SPD), has a broad application prospect in quantum communication and other fields. In order to prepare SNSPD with high performance, it is necessary to fabricate a large area of uniform meander nanowires, which is the core of the SNSPD. In this paper, we demonstrate a process of patterning ultra-thin NbN films into meander-type nanowires by using the nano- imprint technology. In this process, a combination of hot embossing nano-imprint lithography (HE-NIL) and ultraviolet nano-imprint lithography (UV-NIL) is used to transfer the meander nanowire structure from the NIL Si hard mold to the NbN film. We have successfully obtained a NbN nanowire device with uniform line width. The critical temperature (Tc) of the superconducting NbN meander nanowires is about 5 K and the critical current (lc) is about 3.5 μA at 2.5 K. 展开更多
关键词 nano-imprint lithography meander nanowires ultra-thin NbN films
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Development and Implementation of a Rotating Nanoimprint Lithography Tool for Orthogonal Imprinting on Edges of Curved Surfaces
2
作者 Shraddha Supreeti Ralf Schienbein +3 位作者 Patrick FeBer Florian Fern Martin Hoffmann Stefan Sinzinger 《Nanomanufacturing and Metrology》 2021年第3期175-180,共6页
Uniform molding and demolding of structures on highly curved surfaces through conformal contact is a crucial yet often-overlooked aspect of nanoimprint lithography(NIL).This study describes the development of a NIL to... Uniform molding and demolding of structures on highly curved surfaces through conformal contact is a crucial yet often-overlooked aspect of nanoimprint lithography(NIL).This study describes the development of a NIL tool and its integration into a nanopositioning and nanomeasuring machine to achieve high-precision orthogonal molding and demolding for soft ultraviolet-assisted NIL(soft UV-NIL).The process was implemented primarily on the edges of highly curved plano-convex substrates to demonstrate structure uniformity on the edges.High-resolution nanostructures of sub-200-nm lateral dimension and microstructures in the range of tens of microns were imprinted.However,the nanostructures on the edges of the large,curved substrates were difficult to characterize precisely.Therefore,microstructures were used to measure the structure fidelity and were characterized using profilometry,white light interferometry,and confocal laser scanning microscopy.Regardless of the restricted imaging capabilities at high inclinations for high-resolution nanostructures,the scanning electron microscope(SEM)imaging of the structures on top of the lens substrate and at an inclination of 45°was performed.The micro and nanostructures were successfully imprinted on the edges of the plano-convex lens at angles of 45°,60°,and 90°from the center of rotation of the rotating NIL tool.The method enables precise imprinting at high inclinations,thereby presenting a different approach to soft UV-NIL on curved surfaces. 展开更多
关键词 nanoimprint lithography Rotating nil tool Curved surface imprintING nanoPOSITIONING
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从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展 被引量:6
3
作者 孙磊 戴庆元 +1 位作者 乔高帅 吴日新 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期186-190,共5页
从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果... 从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。 展开更多
关键词 浸入式光刻 EUV光刻 无掩模光刻 纳米压印光刻 特征尺寸
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超材料的应用及制备技术研究进展 被引量:15
4
作者 杜云峰 姜交来 廖俊生 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期115-121,共7页
超材料是一类具有特殊性质、自然界中并不存在的人造材料。综述了单负超材料和左手超材料构型的研究进展和超材料在超分辨成像、电磁隐身和电磁吸波体等方面的应用。同时也对国内外主要超材料制备技术进行了分类和概述,包括电子束光刻... 超材料是一类具有特殊性质、自然界中并不存在的人造材料。综述了单负超材料和左手超材料构型的研究进展和超材料在超分辨成像、电磁隐身和电磁吸波体等方面的应用。同时也对国内外主要超材料制备技术进行了分类和概述,包括电子束光刻、纳米压印技术和聚焦离子束技术等。最后对超材料的发展方向和应用方向进行了展望。 展开更多
关键词 超材料 构型 电磁吸波体 纳米压印技术
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纳米压印光刻技术综述 被引量:12
5
作者 魏玉平 丁玉成 李长河 《制造技术与机床》 CSCD 北大核心 2012年第8期87-94,共8页
文章在阐述纳米压印工艺构成要素的基础上,对几种传统压印技术工艺及其工艺变种进行了简要介绍,总结出了纳米压印中所涉及的几个关键技术问题,并对纳米压印在集成电路制造中所面临的挑战进行了分析。
关键词 纳米压印光刻 关键技术 技术挑战
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纳米压印光刻中的多步定位研究 被引量:3
6
作者 刘红忠 丁玉成 +2 位作者 卢秉恒 王莉 邱志惠 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期261-264,269,共5页
在步进重复式压印光刻中,为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变,建立了单调、无振荡、多步逼近目标位置的宏微两级驱动系统,并提出了径向基函数-比例、积分、微分(RBF-PID)及单调位置控制算法... 在步进重复式压印光刻中,为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变,建立了单调、无振荡、多步逼近目标位置的宏微两级驱动系统,并提出了径向基函数-比例、积分、微分(RBF-PID)及单调位置控制算法.控制结果证明,使用具有强鲁棒性的RBF-PID非线性控制模式,使得驱动过程呈现无超调、无振荡的单调过程,因此避免了由于系统微观振荡调节而引入的间隙误差和材料表面形变误差.此控制方式可使步进重复式压印系统的定位精度在满足100 mm行程驱动的前提下,达到小于10 nm的定位技术指标. 展开更多
关键词 纳米压印光刻 多步定位 非线性控制
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软刻蚀技术及其应用 被引量:6
7
作者 陈长琦 王艳 +1 位作者 王旭迪 汪力 《真空》 CAS 北大核心 2003年第6期11-14,共4页
软刻蚀是通过表面带图案的弹性模板来实现图案的转移的图形复制技术,作为非光刻微米和纳米量级微加工方法,加工的分辨率可以达到5nm100μm,它克服了传统光刻技术的缺陷,为形成和制作平面和曲面上的微米和纳米图案提供了简便、有效的低... 软刻蚀是通过表面带图案的弹性模板来实现图案的转移的图形复制技术,作为非光刻微米和纳米量级微加工方法,加工的分辨率可以达到5nm100μm,它克服了传统光刻技术的缺陷,为形成和制作平面和曲面上的微米和纳米图案提供了简便、有效的低成本途径。本文将主要介绍微接触印刷、近场光刻蚀、纳米压印等软刻蚀方法的原理、方法以及面临的问题,并简介了它们在微米和纳米加工、微电子学、材料科学、光学、微电子机械系统、表面化学等方面应用。 展开更多
关键词 软刻蚀 图形复制技术 微接触印刷 近场光刻蚀 纳米压印
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基于分步式压印光刻的激光干涉仪纳米级测量及误差研究 被引量:1
8
作者 刘红忠 丁玉成 +1 位作者 卢秉恒 王莉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1460-1463,共4页
针对在未做隔离保护处理的环境中,基于Michelson干涉原理的激光干涉仪测量系统存在严重的干扰误差,不适合分步式压印光刻纳米级对准测量的要求.采用Edlen公式的分析及计算,不仅在理论上揭示出环境温度、湿度、气压等变化对激光干涉仪测... 针对在未做隔离保护处理的环境中,基于Michelson干涉原理的激光干涉仪测量系统存在严重的干扰误差,不适合分步式压印光刻纳米级对准测量的要求.采用Edlen公式的分析及计算,不仅在理论上揭示出环境温度、湿度、气压等变化对激光干涉仪测量准确度的影响,而且证明影响测量准确度的最大干扰源是空气流动的结果.通过气流隔离措施和系统测量反馈校正控制器,能够实时补偿激光干涉仪两路信号的相差.最终,测量漂移误差在10min内由13nm降低到5nm以内,满足压印光刻在100mm行程中达到20nm定位准确度要求. 展开更多
关键词 分步式压印光刻 纳米测量 误差 激光干涉仪
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纳米压印技术 被引量:12
9
作者 孙洪文 刘景全 +2 位作者 陈迪 顾盼 杨春生 《电子工艺技术》 2004年第3期93-98,共6页
传统光学光刻技术的高成本促使科学家去开发新的非光学方法,以取代集成电路工厂目前所用的工艺。另外,微机电系统(MEMS)的成功启发科学家借用MEMS中的相关技术,将其使用到纳米科技中去,这是得到纳米结构的一种有效途经。纳米压印在过去... 传统光学光刻技术的高成本促使科学家去开发新的非光学方法,以取代集成电路工厂目前所用的工艺。另外,微机电系统(MEMS)的成功启发科学家借用MEMS中的相关技术,将其使用到纳米科技中去,这是得到纳米结构的一种有效途经。纳米压印在过去的几年里受到了高度重视,因为它成功地证明了它有成本低、分辨率高的潜力。纳米压印技术主要包括热压印、紫外压印(含步进—闪光压印)和微接触印刷等。本文详细讨论纳米压印材料的制备及常用的三种工艺的工艺步骤和它们各自的优缺点。并对这三种工艺进行了比较。最后列举了一些典型应用,如微镜、金属氧化物半导体场效应管、光栅等。 展开更多
关键词 纳米压印 热压印 紫外压印 步进-闪光压印 微接触印刷
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印刷技术发展的回顾与展望 被引量:5
10
作者 蒲嘉陵 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期401-416,共16页
从单纯的技术角度,印刷可以定义为是通过选择性添加适当物质的方法将拟表达的信息、内容或功能呈现在适当载体上的过程,属于典型的附加型、面处理(并行处理)技术范畴,具有空间分辨率高、生产效率高和成本低的特点.正是由于这些特质,印... 从单纯的技术角度,印刷可以定义为是通过选择性添加适当物质的方法将拟表达的信息、内容或功能呈现在适当载体上的过程,属于典型的附加型、面处理(并行处理)技术范畴,具有空间分辨率高、生产效率高和成本低的特点.正是由于这些特质,印刷是开创现代文明的重要载体,也是人类文明历史上最重要、历史最悠久的传媒技术,今天又在表面装饰、印刷电子、超高规模集成电路制备等领域得到广泛应用.作为传媒技术,印刷的核心作用是可视化,因此将适当呈色剂放置在适当载体上成为技术关键;在表面装饰和印刷电子领域中,印刷的作用是将适当功能单元(如,防护、装饰、电子或光电子功能单元)选择性放置在适当载体上,以满足装饰或/和某种功能的需要;在超高规模集成电路领域,印刷的作用主要体现在表面微加工,核心是印刷技术拥有的微纳米加工的能力.本文也是从这个几个方面,对印刷技术在过去几千年的发展历程和今后的发展趋势有一个概略的回顾和展望. 展开更多
关键词 印刷技术 传播媒介 印刷电子 表面微加工 纳米压印
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纳米压印法制作亚波长结构PI减反射膜
11
作者 田丽 毛志强 +1 位作者 吴敏 王蔚 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期66-70,共5页
为提高柔性基底太阳能电池光电转化效率,减少表面反射损失,用Tracepro光学仿真软件模拟设计亚波长结构减反射膜尺寸参数,仿真结果表明亚波长结构薄膜在纳米柱高度72 nm,占空比为0.5,光栅周期在300~440 nm处,光通量增强效果最佳.采用纳... 为提高柔性基底太阳能电池光电转化效率,减少表面反射损失,用Tracepro光学仿真软件模拟设计亚波长结构减反射膜尺寸参数,仿真结果表明亚波长结构薄膜在纳米柱高度72 nm,占空比为0.5,光栅周期在300~440 nm处,光通量增强效果最佳.采用纳米压印技术,以多孔结构阳极氧化铝为模板,制作聚酰亚胺基底减反射膜.采用扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计研究了阳极氧化技术所制作的Al2O3模板及其纳米压印技术等工艺参数对PI薄膜透过率的影响.测试结果表明,在0.3 mol/L草酸溶液中,70 V恒压模式连续反应1 h条件下制备AAO模板,在280℃,800 kg压力条件下,热压印时间为10 min所得PI膜.在AM1.5大气质量条件下,UV-VIS透射光谱从440~1 000 nm区域,所制作的薄膜较原始PI膜的透过率提高2%~5%. 展开更多
关键词 亚波长结构 减反射膜 纳米压印 聚酰亚胺 阳极氧化
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微纳米压印技术及应用 被引量:1
12
作者 陈强 《中国印刷与包装研究》 CAS 2011年第6期1-8,共8页
随着社会的发展,印刷技术的应用范围不断扩大,新型印刷技术不断涌现。本文重点讨论微电子工业高速发展衍生出的微纳米压印技术,强调微纳米压印可能在微电子器件制造、有机太阳能电池及高精度传感器制造等方面的应用。对微纳米压印技术... 随着社会的发展,印刷技术的应用范围不断扩大,新型印刷技术不断涌现。本文重点讨论微电子工业高速发展衍生出的微纳米压印技术,强调微纳米压印可能在微电子器件制造、有机太阳能电池及高精度传感器制造等方面的应用。对微纳米压印技术的未来技术进展和发展方向进行预测,指出微纳米压印技术存在的问题和研究方向。 展开更多
关键词 微纳米压印 热压印 应用
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TiO_2光阳极有序微结构的纳米压印工艺
13
作者 连芩 刘红忠 +1 位作者 丁玉成 尹磊 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期90-94,共5页
提出一种以常温紫外固化纳米压印技术实现定制化微结构TiO2纳米晶岛薄膜制备的工艺,用于制备垂直于透明导电基底的TiO2薄膜光阳极.混合TiO2粉体、分散剂、乳化剂、酒精和光固化树脂等,制备可紫外光固化的TiO2溶胶,并经步进压印形成宽度... 提出一种以常温紫外固化纳米压印技术实现定制化微结构TiO2纳米晶岛薄膜制备的工艺,用于制备垂直于透明导电基底的TiO2薄膜光阳极.混合TiO2粉体、分散剂、乳化剂、酒精和光固化树脂等,制备可紫外光固化的TiO2溶胶,并经步进压印形成宽度为3μm的具有离散纳米晶岛微结构的薄膜,经保压复型优化压印工艺后处理,保证了离散纳米晶岛微结构的高保真度.经600℃烧结去除薄膜中的掺杂物,退火至450℃后获得了定制化微特征的锐钛矿型TiO2半导体薄膜.在N719染料敏化条件下,制备出了定制化微结构光阳极的染料敏化太阳能电池.AM1.5(0.1W/cm2)光照条件下的测试实验结果表明,该电池的光电转化效率可达2.7%.此工艺有望应用于制备高稳定性固态或准固态电解质染料敏化太阳能电池. 展开更多
关键词 纳米压印 纳米晶岛 光阳极 太阳能电池
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刚性模具纳米热压印直接成型技术研究与应用
14
作者 刘伟 王伊卿 甘代伟 《模具工业》 2010年第9期1-5,共5页
介绍了刚性模具纳米热压印直接成型技术与研究现状,阐述了纳米热压印工艺的系统组成、模具制造方法、压印材料选择及关键工艺过程,分析了影响压印精度的主要原因,探讨了刚性模具纳米热压印直接成型过程中,多层图形压印的对准问题,介绍了... 介绍了刚性模具纳米热压印直接成型技术与研究现状,阐述了纳米热压印工艺的系统组成、模具制造方法、压印材料选择及关键工艺过程,分析了影响压印精度的主要原因,探讨了刚性模具纳米热压印直接成型过程中,多层图形压印的对准问题,介绍了3种改善对准精度的方法。 展开更多
关键词 纳米压印 刚性模具 成型
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分步式压印光刻研究
15
作者 邱志惠 丁玉成 +1 位作者 刘红忠 卢秉恒 《纳米科技》 2006年第2期26-29,共4页
针对微纳制造中光刻环节的光衍射限制,讨论了可能成为下一代光刻技术路线的压印光刻。通过对比热压印、微接触转印及常温压印的技术特点,设计了一套低成本、结构简单的紫外光固化常温压印光刻机构。其大行程纳米级定位、纳米级下压系... 针对微纳制造中光刻环节的光衍射限制,讨论了可能成为下一代光刻技术路线的压印光刻。通过对比热压印、微接触转印及常温压印的技术特点,设计了一套低成本、结构简单的紫外光固化常温压印光刻机构。其大行程纳米级定位、纳米级下压系统消除了压印过程中的机构热变形误差、驱动间隙、蠕动误差等,具有分步式纳米级驱动多场压印及纳米级下压加载能力,可实现多次重复高保真图形复制。 展开更多
关键词 微纳制造 压印 光刻
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紫外纳米压印技术的研究进展 被引量:7
16
作者 殷敏琪 孙洪文 王海滨 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第5期347-354,共8页
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料... 传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料与制备技术的现状,并列举了步进-闪光压印光刻(S-FIL)、卷对卷式紫外纳米压印光刻(R2R-NIL)等工艺的流程及其特点。紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充、固化、脱模等物理行为影响。结合最近的实验研究,从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理,主要指出了光刻胶流动行为以及模具降解等问题。最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用。 展开更多
关键词 紫外纳米压印光刻(UV-nil) 抗蚀剂 热压印光刻(T-nil) 步进-闪光压印光刻(S-FIL) 卷对卷纳米压印光刻(R2R-nil)
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薄膜微结构的近红外透射诱导增强特性 被引量:4
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作者 葛少博 刘卫国 +6 位作者 周顺 杨鹏飞 李世杰 黄岳田 孙雪平 林大斌 张进 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期190-200,共11页
在SiNx薄膜中引入微金字塔结构,综合利用包含界面的薄膜光学微结构的折射、衍射与干涉现象,实现透反射的调控.通过单点金刚石切削与纳米压印、等离子体各向异性刻蚀技术相结合,将大面积、高效率、低成本的微结构制备方法推广至光学薄膜... 在SiNx薄膜中引入微金字塔结构,综合利用包含界面的薄膜光学微结构的折射、衍射与干涉现象,实现透反射的调控.通过单点金刚石切削与纳米压印、等离子体各向异性刻蚀技术相结合,将大面积、高效率、低成本的微结构制备方法推广至光学薄膜中,实现了多种尺寸的金字塔薄膜微结构的制备,结构单元尺寸可以在1.5~10μm之间进行调控.光谱特性检测结果表明,SiNx薄膜微金字塔结构阵列在近红外至长波红外波段,表现出超宽波段的减反射特性;在0.8~2.5μm的近红外波段,反射率低于1.0%;在3~5μm的中红外波段,反射率小于2.5%;在10~12μm长波红外波段,平均反射率低于5%;与传统的四分之一波长抗反射膜系相比,SiNx薄膜微金字塔结构阵列的减反射效果的实现,无需膜系设计时的折射率匹配,简化了膜系结构.研究发现SiNx薄膜微金字塔结构阵列的近红外透射诱导增强特性,高度为2~4μm的SiNx薄膜微金字塔结构阵列,均在2.1μm波长处出现明显的透射诱导增强效应,且高为4μm,底宽为8μm的微金字塔结构阵列的透射增强作用最为明显,透射率达到了96%以上.实验检测与仿真分析证明,透射增强的位置和强度由微结构的形貌尺寸及其结构比例关系决定. 展开更多
关键词 薄膜微结构 单点金刚石切削 纳米压印 减反射 透射增强
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聚合物表面纳米蛾眼结构的紫外压印制备工艺及抗反射性能 被引量:2
18
作者 武敬华 吴大鸣 +3 位作者 刘颖 许红 王琦 江冲 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期90-95,共6页
利用滚对平板(RTP)紫外纳米压印工艺在聚合物薄膜表面成功制备出大面积蛾眼纳米结构。通过原子力显微镜观测,可以看出蛾眼纳米结构在聚合物表面排布比较规整,呈乳状凸起阵列排布。蛾眼结构波峰高度复制率可以达到95.2%,表面微结构填充完... 利用滚对平板(RTP)紫外纳米压印工艺在聚合物薄膜表面成功制备出大面积蛾眼纳米结构。通过原子力显微镜观测,可以看出蛾眼纳米结构在聚合物表面排布比较规整,呈乳状凸起阵列排布。蛾眼结构波峰高度复制率可以达到95.2%,表面微结构填充完整,复制效果良好。与单层镀膜(AR-coating)抗反射材料相比,抗反射蛾眼结构反射率测试结果在可见光波段(380~760nm)反射率平均降到3%。视角在110°左右可见光平均反射率为7%。 展开更多
关键词 紫外压印 蛾眼结构 抗反射 聚合物 视角
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纳米压印技术的最新进展 被引量:8
19
作者 王金合 费立诚 +3 位作者 宋志棠 张静 周为民 张剑平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第12期722-730,共9页
总结了纳米压印技术的最新进展,其中包括压印工艺、图形赋形方法以及纳米压印技术应用三方面最新的研究成果。在压印工艺的发展方面,大面积滚轴压印的发明最具有产业化意义,它不仅解决了常规平板压印很难大面积压印成型的困难,而且整个... 总结了纳米压印技术的最新进展,其中包括压印工艺、图形赋形方法以及纳米压印技术应用三方面最新的研究成果。在压印工艺的发展方面,大面积滚轴压印的发明最具有产业化意义,它不仅解决了常规平板压印很难大面积压印成型的困难,而且整个过程是一种柔性压印过程,降低了成本,提高了压印效率,但是最小特征尺寸还有待提高;在图形赋形方法的改进中,聚合物探针阵列技术集微米和纳米成型技术于一身,压印效率高,应用前景广阔;在压印技术应用的发展中,光伏电池、电子存储设备以及传感器等为纳米压印技术的应用提供了新的领域。 展开更多
关键词 纳米压印技术 大面积滚轴压印 聚合物探针阵列 光伏电池 交叉电极阵列
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Ag纳米粒子修饰聚合物纳米尖锥阵列的SERS衬底制备 被引量:5
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作者 陈实 吴静 +1 位作者 王超男 方靖淮 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期765-769,共5页
表面增强拉曼散射(SERS)以其无损、超灵敏、快速检测分析等优点而备受关注,在化学和生物传感等应用领域有着极大的潜力。研制灵敏度高、重复性强、稳定性好的SERS基底,对于实现其在痕量分析、生物诊断中的实际应用具有重要意义。具有微... 表面增强拉曼散射(SERS)以其无损、超灵敏、快速检测分析等优点而备受关注,在化学和生物传感等应用领域有着极大的潜力。研制灵敏度高、重复性强、稳定性好的SERS基底,对于实现其在痕量分析、生物诊断中的实际应用具有重要意义。具有微/纳米结构的聚合物具有优异的机械性能、光学性能、耐化学性等优点。通过模板压印法,利用多孔阳极氧化铝(AAO)在聚合物聚碳酸酯(PC)表面制备一种高度有序的纳米PC尖锥阵列结构,然后通过蒸发镀膜在PC尖锥阵列上沉积一层银膜,制备了大面积Ag纳米颗粒修饰的高度有序聚合物纳米尖锥阵列。高曲率纳米针状结构顶端的银颗粒及颗粒之间狭小的纳米间隙能产生大量的SERS"热点"。这种方法得到了均匀,可重复,大面积高增强的SERS活性基底,并进一步研究了不同沉积厚度银膜的SERS特性。用扫描电子显微镜(SEM)对其进行了表征,以结晶紫作为探针分子对这种结构进行研究。结果表明:拉曼信号强度随银厚度的增加显示为先增强后减弱的趋势。基底对结晶紫的拉曼增强因子达到5.4×10~6,基底主要拉曼峰强度的RSD为10%,说明该基底具有很好的检测灵敏性和重复性。此外,基底在存放40 d后,在相同条件下仍然保持着高SERS性能,表现出很好的稳定性。整个制备过程简单易行,重复性好,制作成本非常低廉,而且能够规模化制备,可方便地作为活性基底应用于SERS研究,必将具有广阔的研究和应用前景。 展开更多
关键词 表面增强拉曼散射 纳米压印 聚合物尖锥阵列 稳定性 结晶紫
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