SnS_2纳米薄膜的制备及结构和光学特性

采用真空热蒸发法,在玻璃衬底上制备纳米SnS2薄膜。研究不同Sn和S配比及不同热处理条件对薄膜性能的影响。实验给出采用Sn∶S=1∶1.5摩尔比混合粉末制备的薄膜,经T=430℃,t=40min氮气保护热处理可获得性能良好的SnS2纳米多晶薄膜。薄膜呈n型、表面结构较致密,平均晶粒尺寸为77nm,直接光学带隙约为2.02eV。

静电层层组装纳米粒子多层膜修饰电极及其应用

通过静电层层组装技术,得到了纳米粒子二硫化锡(SnS2)、单壁碳纳米管(SWCNTs)多层膜修饰电极。用电化学循环伏安法(CV)、电化学阻抗(EIS)法对该多层膜修饰电极进行表征,证明了其多层膜修饰电极具有很好的稳定性、重复性、有序性、均一性。并且该多层膜修饰电极对多巴胺(DA)具有良好的电催化效果,在pH=7.0磷酸盐缓冲溶液中,DA及抗坏血酸(AA)在多层膜修饰电极中的氧化峰能够很好地分开,在大量AA存在下测定DA结果满意。

水油两相体系生物还原-化学沉淀耦合反应制备纳米二硫化锡

针对Sn4＋易于水解而难以在水相稳定存在的不利条件,尝试了在水油两相体系中应用生物转化-化学沉淀耦合反应工艺制备SnS2纳米材料。研究了水油两相体系制备SnS2的优化条件,并借助XRD、SEM、EDS表征了制备材料的结构、形貌和物相。研究表明,生物水相pH值7、水油两相反应温度35℃,油相Sn4＋与水相SO42-之物质的量浓度比1∶2的条件下有利于SnS2的生成。制备的SnS2为纳米片花瓣,纳米片平均厚度约为30 nm,花状微晶直径约1~5μm,纯度高,无杂质。