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Fabrication of superconducting NbN meander nanowires by nano-imprint lithography 被引量:1
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作者 杨美 刘丽华 +5 位作者 宁鲁慧 金贻荣 邓辉 李洁 李阳 郑东宁 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第1期384-389,共6页
Superconducting nanowire single photon detector (SNSPD), as a new type of superconducting single photon detector (SPD), has a broad application prospect in quantum communication and other fields. In order to prepa... Superconducting nanowire single photon detector (SNSPD), as a new type of superconducting single photon detector (SPD), has a broad application prospect in quantum communication and other fields. In order to prepare SNSPD with high performance, it is necessary to fabricate a large area of uniform meander nanowires, which is the core of the SNSPD. In this paper, we demonstrate a process of patterning ultra-thin NbN films into meander-type nanowires by using the nano- imprint technology. In this process, a combination of hot embossing nano-imprint lithography (HE-NIL) and ultraviolet nano-imprint lithography (UV-NIL) is used to transfer the meander nanowire structure from the NIL Si hard mold to the NbN film. We have successfully obtained a NbN nanowire device with uniform line width. The critical temperature (Tc) of the superconducting NbN meander nanowires is about 5 K and the critical current (lc) is about 3.5 μA at 2.5 K. 展开更多
关键词 nano-imprint lithography meander nanowires ultra-thin NbN films
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基于紫外纳米压印光刻的生物纳米孔测序MEMS芯片设计
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作者 姜保 侍南 +1 位作者 吴炫烨 徐屹峰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第8期79-82,共4页
纳米孔测序作为最新一代的基因测序技术,在生物医学和临床应用中起着至关重要的作用。测序系统中的MEMS结构通常采用传统光刻工艺来实现,本文首次运用紫外纳米压印光刻(UV-NIL)工艺来验证实现纳米孔测序系统中的MEMS芯片的可能性。采用... 纳米孔测序作为最新一代的基因测序技术,在生物医学和临床应用中起着至关重要的作用。测序系统中的MEMS结构通常采用传统光刻工艺来实现,本文首次运用紫外纳米压印光刻(UV-NIL)工艺来验证实现纳米孔测序系统中的MEMS芯片的可能性。采用传统光刻工艺,制造了3种用于纳米孔测序的MEMS双层结构的硅晶圆。这些硅晶圆被用作母板,将其MEMS结构图案精准复制到聚二甲基硅氧烷(PDMS)上,形成压印软模,再用UV-NIL工艺在硅基底上压印出所需的MEMS结构。最后,通过光学和电学两种测试表征手段,成功证实UV-NIL工艺在制造MEMS芯片方面的有效性和可行性。相较于传统光刻,UV-NIL的成功运用将极大提高工艺稳定性并大幅缩减成本。 展开更多
关键词 纳米孔 基因测序 紫外纳米压印光刻
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图形化蓝宝石衬底工艺研究进展 被引量:10
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作者 黄成强 夏洋 +6 位作者 陈波 李超波 万军 汪明刚 饶志鹏 李楠 张祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期497-503,581,共8页
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底... 图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底已经得到普遍的应用,与基于平坦蓝宝石衬底的LED相比,PSS-LED的发光功率提高了30%左右。图形化蓝宝石衬底技术的发展经历了从早期的条纹状图形到目前应用较广的半球形和锥形图形,从湿法刻蚀到干法刻蚀,从微米级到纳米级图形的演变。由于能够显著提高LED亮度,纳米级图形化蓝宝石必将得到广泛的运用。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底 发光二极管 光刻 纳米压印 刻蚀
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紫外纳米压印技术的图形转移层工艺研究 被引量:2
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作者 朱兆颖 乌建中 +1 位作者 顾长庚 刘彦伯 《微纳电子技术》 CAS 2006年第10期492-495,共4页
研究了紫外纳米压印技术的图形转移层工艺,通过改变膜厚进行压印对比实验,将转速控制在3000~4000r/min,成功地得到了50nm光栅结构的高保真图形,复型精度可以达到93.75%。同时阐明,纳米压印技术由于具有超高分辨率、低成本、高产量等显... 研究了紫外纳米压印技术的图形转移层工艺,通过改变膜厚进行压印对比实验,将转速控制在3000~4000r/min,成功地得到了50nm光栅结构的高保真图形,复型精度可以达到93.75%。同时阐明,纳米压印技术由于具有超高分辨率、低成本、高产量等显著特点,将成为下一代光刻技术(NGL)的主要候选者之一。 展开更多
关键词 紫外纳米压印技术 图形转移层工艺 光刻
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纳米压印技术 被引量:12
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作者 孙洪文 刘景全 +2 位作者 陈迪 顾盼 杨春生 《电子工艺技术》 2004年第3期93-98,共6页
传统光学光刻技术的高成本促使科学家去开发新的非光学方法,以取代集成电路工厂目前所用的工艺。另外,微机电系统(MEMS)的成功启发科学家借用MEMS中的相关技术,将其使用到纳米科技中去,这是得到纳米结构的一种有效途经。纳米压印在过去... 传统光学光刻技术的高成本促使科学家去开发新的非光学方法,以取代集成电路工厂目前所用的工艺。另外,微机电系统(MEMS)的成功启发科学家借用MEMS中的相关技术,将其使用到纳米科技中去,这是得到纳米结构的一种有效途经。纳米压印在过去的几年里受到了高度重视,因为它成功地证明了它有成本低、分辨率高的潜力。纳米压印技术主要包括热压印、紫外压印(含步进—闪光压印)和微接触印刷等。本文详细讨论纳米压印材料的制备及常用的三种工艺的工艺步骤和它们各自的优缺点。并对这三种工艺进行了比较。最后列举了一些典型应用,如微镜、金属氧化物半导体场效应管、光栅等。 展开更多
关键词 纳米压印 热压印 紫外压印 步进-闪光压印 微接触印刷
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纳米压印技术的研究 被引量:3
6
作者 段家现 《装备制造技术》 2010年第7期32-34,共3页
介绍了纳米压印技术的原理,讨论了纳米压印中材料的制备及热压印、紫外压印、微接触印刷等3种常用的压印工艺及其关键技术,提出纳米压印技术的研究方向和面临的挑战。
关键词 纳米压印 材料制备 热压印 紫外压印 微接触印刷
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纳米压印法制作亚波长结构PI减反射膜
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作者 田丽 毛志强 +1 位作者 吴敏 王蔚 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期66-70,共5页
为提高柔性基底太阳能电池光电转化效率,减少表面反射损失,用Tracepro光学仿真软件模拟设计亚波长结构减反射膜尺寸参数,仿真结果表明亚波长结构薄膜在纳米柱高度72 nm,占空比为0.5,光栅周期在300~440 nm处,光通量增强效果最佳.采用纳... 为提高柔性基底太阳能电池光电转化效率,减少表面反射损失,用Tracepro光学仿真软件模拟设计亚波长结构减反射膜尺寸参数,仿真结果表明亚波长结构薄膜在纳米柱高度72 nm,占空比为0.5,光栅周期在300~440 nm处,光通量增强效果最佳.采用纳米压印技术,以多孔结构阳极氧化铝为模板,制作聚酰亚胺基底减反射膜.采用扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计研究了阳极氧化技术所制作的Al2O3模板及其纳米压印技术等工艺参数对PI薄膜透过率的影响.测试结果表明,在0.3 mol/L草酸溶液中,70 V恒压模式连续反应1 h条件下制备AAO模板,在280℃,800 kg压力条件下,热压印时间为10 min所得PI膜.在AM1.5大气质量条件下,UV-VIS透射光谱从440~1 000 nm区域,所制作的薄膜较原始PI膜的透过率提高2%~5%. 展开更多
关键词 亚波长结构 减反射膜 纳米压印 聚酰亚胺 阳极氧化
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刚性模具纳米热压印直接成型技术研究与应用
8
作者 刘伟 王伊卿 甘代伟 《模具工业》 2010年第9期1-5,共5页
介绍了刚性模具纳米热压印直接成型技术与研究现状,阐述了纳米热压印工艺的系统组成、模具制造方法、压印材料选择及关键工艺过程,分析了影响压印精度的主要原因,探讨了刚性模具纳米热压印直接成型过程中,多层图形压印的对准问题,介绍了... 介绍了刚性模具纳米热压印直接成型技术与研究现状,阐述了纳米热压印工艺的系统组成、模具制造方法、压印材料选择及关键工艺过程,分析了影响压印精度的主要原因,探讨了刚性模具纳米热压印直接成型过程中,多层图形压印的对准问题,介绍了3种改善对准精度的方法。 展开更多
关键词 纳米压印 刚性模具 成型
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软膜紫外光固化纳米压印制备等离子体纳米孔结构的工艺优化
9
作者 陈静 刘正堂 Anne-Marie Haghiri-Gosnet 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期899-903,908,共6页
利用软膜紫外光固化纳米压印技术和反应离子刻蚀技术在玻璃衬底上制备了等离子体纳米孔阵列。为了实现高分辨低成本软膜紫外光固化纳米压印技术在生物传感领域的应用和产业化,必须对压印的一些具体工艺参数如压印压力进行优化。在这项... 利用软膜紫外光固化纳米压印技术和反应离子刻蚀技术在玻璃衬底上制备了等离子体纳米孔阵列。为了实现高分辨低成本软膜紫外光固化纳米压印技术在生物传感领域的应用和产业化,必须对压印的一些具体工艺参数如压印压力进行优化。在这项工作中,压印压力最小化到10 psi,结果表明这一数值足以保证图案的精确复制以及图案转移的保真度。最后,利用反应离子刻蚀的方法去除残余光胶,并用剥离的方法进行图案转移,成功地制备出了均匀性良好的金纳米孔阵列。为了证明金属纳米周期结构在生物传感上的应用,使该阵列表面吸附蛋白质分子,结果观察到明显的透射峰偏移。 展开更多
关键词 软膜紫外光固化纳米压印 等离子体纳米孔阵列 生物传感
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紫外纳米压印技术的研究进展 被引量:7
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作者 殷敏琪 孙洪文 王海滨 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第5期347-354,共8页
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料... 传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料与制备技术的现状,并列举了步进-闪光压印光刻(S-FIL)、卷对卷式紫外纳米压印光刻(R2R-NIL)等工艺的流程及其特点。紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充、固化、脱模等物理行为影响。结合最近的实验研究,从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理,主要指出了光刻胶流动行为以及模具降解等问题。最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用。 展开更多
关键词 紫外纳米压印光刻(UV-nil) 抗蚀剂 热压印光刻(T-nil) 步进-闪光压印光刻(S-FIL) 卷对卷纳米压印光刻(R2R-nil)
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纳米压印光刻胶 被引量:2
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作者 赵彬 张静 +5 位作者 周伟民 王金合 刘彦伯 张燕萍 施利毅 张剑平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第9期606-612,共7页
光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介... 光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介绍了热压印光刻胶、紫外压印光刻胶、步进压印式光刻胶和滚动压印式光刻胶的特点以及碳氧类纯有机材料、有机氟材料、有机硅材料做压印光刻胶的优缺点。列举了热压印、紫外压印、步进压印工艺中具有代表性的光刻胶实例,详细分析了其配方中各组分的比例和作用。介绍了可降解光刻胶的原理。展望了压印光刻胶的发展趋势。 展开更多
关键词 纳米压印(nil) 热压印光刻胶 紫外压印光刻胶 氟聚合物 有机硅聚合物
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滚型纳米压印工艺的研究进展和技术挑战 被引量:2
12
作者 李朝朝 兰红波 《青岛理工大学学报》 CAS 2013年第3期79-85,共7页
滚型纳米压印光刻是一种高效、低成本制造大面积微纳米结构的新型图形化方法,不同于传统的平板式纳米压印工艺,滚型纳米压印具有高效、连续压印独特的优势.它在抗反射光学薄膜、太阳能电池、柔性电子器件、OLED、大尺寸LCD显示、微流控... 滚型纳米压印光刻是一种高效、低成本制造大面积微纳米结构的新型图形化方法,不同于传统的平板式纳米压印工艺,滚型纳米压印具有高效、连续压印独特的优势.它在抗反射光学薄膜、太阳能电池、柔性电子器件、OLED、大尺寸LCD显示、微流控器件等领域已经展示了巨大的潜能和商业化应用前景.综述了滚型纳米压印工艺的最新研究进展,并讨论了其面临的挑战性技术难题、未来的发展趋势和工业化应用前景. 展开更多
关键词 纳米压印 滚型纳米压印 滚对滚纳米压印 纳米制造
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硅油稀释PDMS法制备紫外纳米压印软模板 被引量:2
13
作者 李海鑫 黄其煜 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第3期188-192,共5页
软模板的制作是紫外纳米压印中关键的技术,模版的分辨率直接决定了压印图形的最小分辨率。使用具有高度均匀、100nm级孔洞阵列结构的多孔氧化铝作为母版,使用基于液态浇铸的硅油稀释聚二甲基硅氧烷(硅油和聚二甲基硅氧烷的质量比为1:2)... 软模板的制作是紫外纳米压印中关键的技术,模版的分辨率直接决定了压印图形的最小分辨率。使用具有高度均匀、100nm级孔洞阵列结构的多孔氧化铝作为母版,使用基于液态浇铸的硅油稀释聚二甲基硅氧烷(硅油和聚二甲基硅氧烷的质量比为1:2)法制备出具有规则点阵结构的软模板。通过SEM和AFM表征发现,特征图形得到了有效转移,特征尺度保持在100nm左右。相对于传统的模板制备方法,此方法成本低、流程简单、适合大规模生产,是一种非常有前途的软模板制备方法。 展开更多
关键词 聚二甲基硅氧烷 硅油 紫外纳米压印 软模板 浇铸法
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新型高抗粘紫外纳米压印光刻胶的工艺研究 被引量:1
14
作者 李中杰 林宏 +2 位作者 姜学松 王庆康 印杰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第3期179-182,192,共5页
为了减少紫外纳米压印技术脱模过程中的接触粘附力,开发了一种新型高流动、抗粘的紫外纳米压印光刻胶。光刻胶以BMA为聚合单体,添加特定配比的交联剂和光引发剂配置而成。紫外纳米压印实验在本课题组自主研发的IL-NP04型纳米压印机上完... 为了减少紫外纳米压印技术脱模过程中的接触粘附力,开发了一种新型高流动、抗粘的紫外纳米压印光刻胶。光刻胶以BMA为聚合单体,添加特定配比的交联剂和光引发剂配置而成。紫外纳米压印实验在本课题组自主研发的IL-NP04型纳米压印机上完成。实验得到光刻胶掩膜膜厚为1.21μm,结构尺寸深246nm,周期937.5nm。实验结果表明,在没有对石英模板表面进行修饰的情况下,该光刻胶依然表现出高可靠性和高图形转移分辨率,有效减少了紫外纳米压印工艺中的模板抗粘修饰的工艺步骤。 展开更多
关键词 紫外纳米压印 微/纳米尺寸图形 硅片衬底修饰 抗粘连层 图案复制
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高性能三维纳米结构SERS芯片设计、批量制备与痕量汞离子检测 被引量:1
15
作者 黄辉 田毅 +4 位作者 张梦蝶 徐陶然 牟达 陈佩佩 褚卫国 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期3782-3790,共9页
表面增强拉曼散射(SERS)是一种无损、高灵敏、快速检测痕量重金属离子的光谱技术。通过调控和优化纳米结构图案和尺寸可显著增强局域表面等离子体共振(LSPR)与表面等离子体激元(SPP)的耦合以提升电磁场强度,是获得高性能SERS芯片的重要... 表面增强拉曼散射(SERS)是一种无损、高灵敏、快速检测痕量重金属离子的光谱技术。通过调控和优化纳米结构图案和尺寸可显著增强局域表面等离子体共振(LSPR)与表面等离子体激元(SPP)的耦合以提升电磁场强度,是获得高性能SERS芯片的重要新途径。提出一种用于检测痕量汞离子的新型金属/介质三维周期纳米结构高性能SERS芯片。利用新型应力分化式双层模板纳米压印方法实现了大面积高均一纳米结构SERS芯片的低成本、批量制备。该芯片成功用于痕量汞离子的高灵敏快速检测。采用有限元方法对压印过程界面微区应力进行模拟,通过调控压印模板纵向结构和横向尺寸对模板进行设计。模拟结果表明,纵向有台阶结构的双层模板图案区域呈现高、低两个应力分区,其中,高应力区占图案~72%的面积,其应力均匀性比单层模板提升17%;低应力区分布在图案边缘~28%的区域,可有效减小脱模切应力。当模板横向尺寸从15 mm缩减至7 mm,界面应力整体提升1~2个数量级,将显著提高压印成功率。使用不同横向尺寸的单、双层模板进行压印实验结果表明,尺寸为7 mm的压力分化式双层模板实现了大面积高均一纳米结构的高质量制备,这与模拟结果高度一致。在压印胶纳米结构上构筑金纳米颗粒得到金属/介质三维周期纳米结构SERS芯片。此芯片对罗丹明6G分子的检测极限为2.08×10^(-12) mol·L^(-1),增强因子达3×10^(8),检测均一性RSD为8.07%。该芯片对汞离子的探测限浓度仅为10 ppt(5.0×10^(-11 )mol·L^(-1)),浓度线性工作范围为5.0×10^(-11)~5.0×10^(-5) mol·L^(-1),跨度达6个数量级,呈现良好的线性关系(R^(2)=0.966),在目前汞离子检测技术中具有显著优势。提出一种通用的高灵敏快速检测痕量物质的SERS芯片设计和制备方法。这种基于光学原理芯片“结构设计-批量制备-实际应用”的研究范式将连接芯片设计和批量制备两个关键点,推动其实际应用。 展开更多
关键词 表面增强拉曼散射(SERS) 痕量检测 纳米压印(nil) 三维纳米结构 有限元分析
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纳米压印中残余胶刻蚀工艺研究
16
作者 黄康 李海华 王庆康 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期357-360,共4页
压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中加入SF_6后,会减少钻蚀,但刻蚀速率会... 压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中加入SF_6后,会减少钻蚀,但刻蚀速率会有少许下降;而在刻蚀气体中加入少量SF_6且压强及流量较大时,各部分的刻蚀速率一致性较好。由此得到了一个优化后的刻蚀条件,反应气体:O_2+SF_6,气体流量分别为40 cm^3/min和5 cm^3/min,压强9.31 Pa,RF功率20 W,此时刻胶速率可稳定在0.8μm/min左右,且均匀性较好。 展开更多
关键词 纳米压印 反应离子刻蚀 去胶速率 正交试验
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纳米压印技术的发展及其近期的应用研究 被引量:5
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作者 张笛 张琰 +1 位作者 孔路瑶 程秀兰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第5期1-5,共5页
综述了热纳米压印、紫外纳米压印、微接触印刷三种具有代表性的纳米压印(NIL)技术的原理、工艺流程和优缺点,并介绍了近几年来纳米压印技术的研究进展及其在光学器件、存储器、柔性器件和生物传感器等领域中的应用现状。
关键词 热纳米压印 紫外纳米压印 微接触印刷 光学器件 存储器 柔性器件 生物传感器
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表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文) 被引量:5
18
作者 董启明 郭小伟 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期558-564,共7页
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻... 表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持. 展开更多
关键词 干涉光刻 表面等离子体激元 克莱舒曼结构
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热纳米压印技术的研究进展 被引量:1
19
作者 韩丽娟 孙洪文 +1 位作者 殷敏琪 王海滨 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第4期1-3,7,共4页
介绍了热纳米压印(T-NIL)的要素制备、工艺流程,分析了温度、压力、时间等因素对T-NIL技术的影响。针对这些因素,阐述了T-NIL技术的最新研究进展,包括抗粘连处理方法、加热加压方式、模具及光刻胶材料的选择、T-NIL设备等。介绍了T-NIL... 介绍了热纳米压印(T-NIL)的要素制备、工艺流程,分析了温度、压力、时间等因素对T-NIL技术的影响。针对这些因素,阐述了T-NIL技术的最新研究进展,包括抗粘连处理方法、加热加压方式、模具及光刻胶材料的选择、T-NIL设备等。介绍了T-NIL技术在不同领域的应用。 展开更多
关键词 热纳米压印 模具 光刻胶
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Fabrication of metal suspending nanostructures by nanoimprint lithography(NIL) and isotropic reactive ion etching(RIE)
20
作者 XIE GuoYong ZHANG Jin +3 位作者 ZHANG YongYi ZHANG YingYing ZHU Tao LIU ZhongFan 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第5期1181-1186,共6页
We report herein a rational approach for fabricating metal suspending nanostructures by nanoimprint lithography(NIL) and isotropic reactive ion etching(RIE).The approach comprises three principal steps:(1) mold fabric... We report herein a rational approach for fabricating metal suspending nanostructures by nanoimprint lithography(NIL) and isotropic reactive ion etching(RIE).The approach comprises three principal steps:(1) mold fabrication,(2) structure replication by NIL,and(3) suspending nanostructures creation by isotropic RIE.Using this approach,suspending nanostructures with Au,Au/Ti or Ti/Au bilayers,and Au/Ti/Au sandwiched structures are demonstrated.For Au nanostructures,straight suspending nanostructures can be obtained when the thickness of Au film is up to 50 nm for nano-bridge and 90 nm for nano-finger patterns.When the thickness of Au is below 50 nm for nano-bridge and 90 nm for nano-finger,the Au suspending nanostructures bend upward as a result of the mismatch of thermal expansion between the thin Au films and Si substrate.This leads to residual stresses in the thin Au films.For Au/Ti or Ti/Au bilayers nanostructures,the cantilevers bend toward Au film,since Au has a larger thermal expansion coefficient than that of Ti.While in the case of sandwich structures,straight suspending nanostructures are obtained,this may be due to the balance of residual stress between the thin films. 展开更多
关键词 suspending NANOSTRUCTURE FABRICATION NANOIMPRINT lithography(nil) ISOTROPIC reactive ion etching(RIE)
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