溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜之中，但当沉积时基片温度上升到一定值后（我们实验中为４００℃），有部分的Ｇａ和Ａｓ被氧化，其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的ＳｉＯ２中存在着少量的缺氧缺位。

溶胶-凝胶工艺制备TiO_2薄膜的表面组成和价态研究

通过Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和电子自旋共振谱（ＥＳＲ）， 确定了采用溶胶－凝胶工艺制备的ＴｉＯ２光催化纳米薄膜中元素的化学组成和价态． 实验结果表明， 薄膜中除含有钛和氧元素外，还有一定量的来自有机前驱物中未完全燃烧的残余碳和少量从玻璃表面扩散到薄膜中的钠和钙离子； Ｔｉ除了以Ｔｉ４＋ 价形式存在外， 还有一定量的Ｔｉ以Ｔｉ３＋ 和Ｔｉ２＋ 形式存在． 这种情况主要是由于有机基团的燃烧、来自玻璃基体中钠与钙离子的扩散和热处理工艺等原因造成的． ＴｉＯ２薄膜在５３０ ｎｍ 附近的宽吸收带， 也证实了ＴｉＯ２薄膜中低价钛元素的存在．