液相共沉淀法制备纳米ITO粉体

采用化学共沉淀法,以InCl3?5H2O和SnCl4?5H2O为原料,在掺杂浓度In2O3与SnO2的质量比为9:1的条件下,合成了平均粒径80nm的ITO粉体。利用TEM,XRD,DSC-TG,IR,ζ电位分析仪等实验方法对粉体的形貌、物相、结构等进行了表征。实验结果表明,当前驱体煅烧温度为600℃时,可以获得晶化良好的立方In2O3结构的In2O3和SnO2固溶体。根据ζ电位测定和TEM的观察结果,当反应的最终pH值为9时,粉体的分散性较好。

制备方法对负载Pd多孔ITO材料组织的影响

采用等体积浸渍法和粉末冶金法分别制备负载有Pd的多孔ITO气敏材料,并通过XRD、SEM、EDS等对其物相和显微组织进行分析与比较。结果表明:通过等体积浸渍法制备得到的负载有Pd的多孔ITO气敏材料,孔隙量少、孔径较小且孔隙周围有Pd集聚的现象;而采用粉末冶金法所制得的负载有Pd的多孔ITO气敏材料,孔隙量多、孔径较大且分布十分均匀,贵金属Pd的实际负载量和理论负载量一致。

浅析氧化铟锡(ITO)粉体的制备方法和特点

综述了目前ITO粉体的制备方法,其中包括液相共沉淀法、溶胶-凝胶法、水(溶剂)热法、喷雾热解法、燃烧法、机械混合法等,并分析比较了各种制备方法的优缺点。

纳米SnO_2的制备技术及应用

SnO_2为N型半导体结构,是一种优良的气敏和湿敏材料。介绍了纳米SnO_2的主要用途以及电弧气相法、溶胶-凝胶法、水热反应法和机械化学法等制备技术,探讨了SnO_2的气敏机理,包括晶体尺寸效应和掺杂效应,并指出了纳米SnO_2的发展前景。

金刚石工具用Ni-Co合金粉末的制备及表征

在金刚石工具领域,纯钴基以及钴基金刚石工具具有优良的使用性能,但钴价格很高,使纯钴基以及钴基金刚石工具的使用受到了限制,所以代钴研究具有重大的实际意义。镍和钴同属于过渡族元素,两者物理和化学性质非常接近,故镍代钴有一定的可行性。采用草酸盐共沉淀法得到前驱体,然后将前驱体煅烧还原的工艺制得N i-Co预合金粉末;对前驱体进行了X射线、热(差热和热重)分析,结果表明,通过共沉淀法得到的前驱体是固溶体;对预合金粉末进行了性能表征,所制得的N i-Co预合金粉末氧含量低,形貌近似球形,粒度均匀;通过共沉淀反应前的成分设计,可制备出成分含量连续变化的预合金粉末;通过改变制备工艺参数,可制取不同粒径的粉末。本实验的粉末成分设计是:70N i-30Co(w t%)。

铟锡氧化物纳米粉体的制备方法及分散的研究进展

铟锡氧化物(ITO)纳米粉体具有粒径小、比表面积大、分散性好、杂质少的特点,是制备性能良好的ITO薄膜的原料。本文介绍了目前ITO纳米粉体的制备方法如:喷雾燃烧法、溶胶-凝胶法、水热合成法、化学液相共沉淀法、喷雾热解法、电解法和机械研磨法、燃烧合成法等,分析了不同制备方法的原理、优缺点及团聚的原因,提出了解决ITO粉体制备中团聚的方法,并对ITO纳米粉体制备的研究进行了展望。

稳定氧化锆固体电解质研究进展

稳定氧化锆作为固体氧化物燃料电池的电解质是最好的可用材料,介绍了这方面的研究进展,包括:纳米粉的制备,火花等离子体烧结法获得亚微米晶粒结构的高强度陶瓷,二次烧结前体清除法改善晶界的电导率和一个准三元系稳定的5% In2O3-8%Y2O3-ZrO2(式中均为摩尔百分数)。与准二元系稳定的8%Y2O3-ZrO2相比,该稳定氧化锆具有周期性晶格畸变大的各向异性和在实用温度范围不随老化松弛各向异性的特征,保证固体氧化物燃料电池工作时有稳定的和高的电效率。

聚合物前驱体法制备ZnTiO_3粉体的影响因素

聚合物前驱体法已成为制备微波介质陶瓷重要方法之一。本文以制备ZnTiO3粉体为例,系统地研究了pH值,乙二醇与柠檬酸的摩尔比和柠檬酸与金属离子的摩尔比对ZnTiO3晶相的形成过程和显微结构的影响。pH值5～6之间时,能形成淡黄色透明溶胶;乙二醇与柠檬酸的摩尔比为2时,前驱体树脂为多孔的海绵状;柠檬酸与金属离子的摩尔比为2,前驱体合成的ZnTiO3粉体最佳。

纳米ZnFe_2O_4的柠檬酸盐前驱体法制备与表征

采用柠檬酸盐前驱体法制备纳米ZnFe2O4颗粒,并通过TG-DTA、XRD、TEM和磁性能测试对纳米Zn-Fe2O4颗粒进行表征。结果表明,柠檬酸盐前驱体在500℃×2 h煅烧后可得到单一ZnFe2O4相。通过XRD分析,纳米ZnFe2O4晶粒粒径为21 nm,与TEM分析结果一致;在300 K下测得纳米ZnFe2O4饱和磁化强度为3.5 emu/g,剩磁为0.61 emu/g,矫顽力为17.508 kA/m。

聚合物前驱体法制备纳米Ba0．5Sr0．5TiO3粉体的研究

分析比较了三种工艺对制备纳米Ba0.5Sr0.5TiO3(BST55)粉体的影响,得到了优化的聚合物前驱体法制备工艺。并利用TG-DSC、IR、XRD、SEM分析了BST55干凝胶的热分解过程、化学组成、物相变化以及形貌。实验结果表明,加入适量的乙烯基三乙氧基硅烷偶联剂(TM-12)能改善BST55粒子的粒度及聚集形态;先采用聚合物前驱体法制备BST55/PMMA复合材料干凝胶,然后在700℃煅烧可形成粒径介于80～100nm之间的BST55粒子。

掺锡氧化铟纳米粉体制备的研究进展

掺锡氧化铟纳米粉体由于其独特的性能，在电光领域得到广泛应用。概述了制备纳米级掺锡氧化铟粉末的主要方法，并阐述了不同合成方法的工艺及特点，同时指出了高品质掺锡氧化铟粉末制备的发展趋势。

纳米ITO/WPU复合隔热材料的制备与性能

采用溶胶-凝胶技术制备氧化铟锡(ITO)纳米粉体,以异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)为原料合成水性聚氨酯(WPU),再以自制的WPU与ITO湿浆采用共混法制备纳米ITO/WPU有机无机复合材料,并对涂层的基本性能、光学性能、隔热性能等指标进行表征测试。结果表明:所制得的纳米ITO/WPU涂膜的拉伸强度和断裂伸长率分别达到了9.28MPa、268%;具有良好的隔热效果和足够的可见光区透明度,可见光透射率达80%以上;红外线透过率小于25%。

纳米级ITO粉体对烧结法制备靶材的影响

采用化学共沉淀法制备ITO前驱物,分别于600及1000℃下热处理前驱物,得到两种ITO粉体。粉体模压成型得到素坯,在400～1550℃内采用烧结法、氧气氛下烧结素坯制备出ITO靶材。对粉体及靶材进行表征和分析,研究了烧结过程中晶粒生长情况、靶材微结构与温度之间关系及靶材的失氧现象。得出600℃粉体为单相ITO固溶体、粒径为15nm,1000℃粉体有少量SnO2析出、粒径为28nm且其分散性和晶化程度优于600℃的粉体。两种粉体烧结制备靶材过程符合Coble固相烧结理论,1550℃时晶体出现类似二维成核生长方式的生长台阶。靶材密度随温度升高而增加,1550℃时随保温时间延长而增加。靶材致密化过程由团聚程度及团聚体大小决定,1000℃粉体制备的靶材密度高于600℃粉体所制靶材。两类靶材含氧量均低于理论值,1000℃粉体所制靶材含氧量高于600℃的含氧量。

不同方法制备的前驱物对水热合成Zn_(0.95)Ni_(0.05)O稀磁半导体粉体的影响

分别用沉淀法和溶胶–凝胶法制备Zn0.95Ni0.05O前驱物,然后以3mol/LNaOH作为矿化剂,采用水热法在240℃保温24h合成制备了Zn0.95Ni0.05O稀磁半导体粉体。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、能谱仪和振动样品磁强计分析了合成粉体的物相组成、形貌、元素含量和铁磁性能。结果表明:用溶胶–凝胶法制备前驱物所合成的Zn0.95Ni0.05O粉体中有杂相Ni和Ni(OH)2出现。用沉淀法制备前驱物可以合成纯净的Zn0.95Ni0.05O粉体,样品中Ni离子的实际掺杂量为4.55%(摩尔分数)。Zn0.95Ni0.05O样品在室温下有良好的磁滞回线,表现出铁磁性。