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纳米硅带尾态能量分布及其光学带隙 被引量:5
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作者 张治国 宿昌厚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期175-180,共6页
假定纳米硅的格点势远小于晶界组元所形成的散射势垒,用Kronig-Penney模型对纳米硅的带尾态进行计算,发现纳米硅带尾态并不连续。利用计算结果解释了纳米硅和微晶硅、多晶硅及单晶硅相比有较宽的光学带隙和较小的电导的... 假定纳米硅的格点势远小于晶界组元所形成的散射势垒,用Kronig-Penney模型对纳米硅的带尾态进行计算,发现纳米硅带尾态并不连续。利用计算结果解释了纳米硅和微晶硅、多晶硅及单晶硅相比有较宽的光学带隙和较小的电导的现象。 展开更多
关键词 纳米硅 带尾态 光学带隙 电导 能量分布
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