PECVD工艺参数对nc-Si∶H膜质量的影响

研究了ＰＥＣＶＤ生长ｎｃＳｉ∶Ｈ膜过程中ＳｉＨ４气体稀释比、平衡反应气压、衬底温度、等离子体射频功率和直流负偏压等各种工艺参数对生成膜层质量的影响。