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纳米晶硅薄膜的量子尺寸效应研究 被引量:3
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作者 彭英才 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1997年第3期26-29,共4页
最近的一些研究指出,纳米晶硅薄膜具有量子点(QuantumDot-Q.D)特征。本文依据一些典型的理论模型,具体计算了纳米晶硅量子点(nc-Si:HQ.D)的量子化能级、激子的能量移动以及体系的库仑能量随纳米硅晶粒尺... 最近的一些研究指出,纳米晶硅薄膜具有量子点(QuantumDot-Q.D)特征。本文依据一些典型的理论模型,具体计算了纳米晶硅量子点(nc-Si:HQ.D)的量子化能级、激子的能量移动以及体系的库仑能量随纳米硅晶粒尺寸的变化,并结合我们自己,初步分析并讨论了这些能量参数对纳米晶硅量子点的共振隧穿、光致发光(PL)和库仑阻塞的影响。 展开更多
关键词 量子尺寸效应 纳米晶硅薄膜 量子点 半导体
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