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纳米晶硅薄膜的量子尺寸效应研究
被引量:
3
1
作者
彭英才
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
1997年第3期26-29,共4页
最近的一些研究指出,纳米晶硅薄膜具有量子点(QuantumDot-Q.D)特征。本文依据一些典型的理论模型,具体计算了纳米晶硅量子点(nc-Si:HQ.D)的量子化能级、激子的能量移动以及体系的库仑能量随纳米硅晶粒尺...
最近的一些研究指出,纳米晶硅薄膜具有量子点(QuantumDot-Q.D)特征。本文依据一些典型的理论模型,具体计算了纳米晶硅量子点(nc-Si:HQ.D)的量子化能级、激子的能量移动以及体系的库仑能量随纳米硅晶粒尺寸的变化,并结合我们自己,初步分析并讨论了这些能量参数对纳米晶硅量子点的共振隧穿、光致发光(PL)和库仑阻塞的影响。
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关键词
量子尺寸效应
纳米晶硅薄膜
量子点
半导体
下载PDF
职称材料
题名
纳米晶硅薄膜的量子尺寸效应研究
被引量:
3
1
作者
彭英才
机构
电子与信息工程系
出处
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
1997年第3期26-29,共4页
基金
河北省自然科学基金
文摘
最近的一些研究指出,纳米晶硅薄膜具有量子点(QuantumDot-Q.D)特征。本文依据一些典型的理论模型,具体计算了纳米晶硅量子点(nc-Si:HQ.D)的量子化能级、激子的能量移动以及体系的库仑能量随纳米硅晶粒尺寸的变化,并结合我们自己,初步分析并讨论了这些能量参数对纳米晶硅量子点的共振隧穿、光致发光(PL)和库仑阻塞的影响。
关键词
量子尺寸效应
纳米晶硅薄膜
量子点
半导体
Keywords
nc-si
:
h
films
quantum
size
effects
quantum
functional
derices
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
O471 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米晶硅薄膜的量子尺寸效应研究
彭英才
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
1997
3
下载PDF
职称材料
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