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Comparison of the photoemission behaviour between negative electron affinity GaAs and GaN photocathodes 被引量:1
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作者 张益军 邹继军 +4 位作者 王晓晖 常本康 钱芸生 张俊举 高频 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第4期532-537,共6页
In view of the important application of GaAs and GaN photocathodes in electron sources, differences in photoe- mission behaviour, namely the activation process and quantum yield decay, between the two typical types of... In view of the important application of GaAs and GaN photocathodes in electron sources, differences in photoe- mission behaviour, namely the activation process and quantum yield decay, between the two typical types of III-V compound photocathodes have been investigated using a multi-information measurement system. The activation exper- iment shows that a surface negative electron affinity state for the GaAs photocathode can be achieved by the necessary Cs-O two-step activation and by Cs activation alone for the GaN photocathode. In addition, a quantum yield decay experiment shows that the GaN photocathode exhibits better stability and a longer lifetime in a demountable vacuum system than the GaAs photocathode. The results mean that GaN photocathodes are more promising candidates for electron source emitter use in comparison with GaAs photocathodes. 展开更多
关键词 III-V photocathode negative electron affinity Cs-O activation quantum yield decay
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PHOTOEMISSION STABILITY OF MULTIALKALI PHOTOCATHODES WITH NEGATIVE ELECTRON AFFINITY
2
作者 Tailiang Guo Huairong. Gao Physics Department of Fuzhou University, Fujian 350002, China 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1992年第Z1期231-234,共4页
In this paper a negative electron affinity (NEA) multialkali photocathode of (Na<sub>2</sub>KSb-Cs)-O-Cs structure is fabricated by new technology. It is found that its emission stability is much bette... In this paper a negative electron affinity (NEA) multialkali photocathode of (Na<sub>2</sub>KSb-Cs)-O-Cs structure is fabricated by new technology. It is found that its emission stability is much better than that of the NEA GaAs photocathode, but is inferior to that of the conventional Na<sub>2</sub>KSb(Cs). After 70 hour performance in a pumping vacuum system, the emission sensitivity of the NEA (Na<sub>2</sub>KSb-Cs)-O-Cs photocathode drops only by 2.5%. The emission stability is closely related to the states of the activation cesium and oxygen during activation, best results being obtained with cesium ions and excited oxygen. Furthermore, better photoemission sensitivity and emission stability may be obtained if the cathode is illuminated by intense white light during the activation process. The performance of the NEA (Na<sub>2</sub>KSb-Cs)-O-Cs cathode which has not been illuminated by intense white light during activation may be improved by the illumination even during operation intermission. 展开更多
关键词 NEA THAN CS PHOTOEMISSION STABILITY OF MULTIALKALI photocathodeS WITH negative electron affinity
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Polymeric viologen-based electron transfer mediator for improving the photoelectrochemical water splitting on Sb_(2)Se_(3) photocathode
3
作者 Chang Liu Fusheng Li +8 位作者 Linqin Wang Zeju Li Yilong Zhao Yingzheng Li Wenlong Li Ziqi Zhao Ke Fan Fei Li Licheng Sun 《Fundamental Research》 CAS CSCD 2024年第2期291-299,共9页
The photogenerated charge carrier separation and transportation of inside photocathodes can greatly influence the performance of photoelectrochemical(PEC)H2 production devices.Coupling TiO_(2) with p-type semiconducto... The photogenerated charge carrier separation and transportation of inside photocathodes can greatly influence the performance of photoelectrochemical(PEC)H2 production devices.Coupling TiO_(2) with p-type semiconductors to construct heterojunction structures is one of the most widely used strategies to facilitate charge separation and transportation.However,the band position of TiO_(2) could not perfectly match with all p-type semiconductors.Here,taking antimony selenide(Sb_(2)Se_(3))as an example,a rational strategy was developed by introducing a viologen electron transfer mediator(ETM)containing polymeric film(poly-1,1′-dially-[4,4′-bipyridine]-1,1′-diium,denoted as PV^(2+))at the interface between Sb_(2)Se_(3) and TiO_(2) to regulate the energy band alignment,which could inhibit the recombination of photogenerated charge carriers of interfaces.With Pt as a catalyst,the constructed Sb_(2)Se_(3)/PV^(2+)/TiO_(2)/Pt photocathode showed a superior PEC hydrogen generation activity with a photocurrent density of−18.6 mA cm^(-2) vs.a reversible hydrogen electrode(RHE)and a half-cell solar-to-hydrogen efficiency(HC-STH)of 1.54%at 0.17 V vs.RHE,which was much better than that of the related Sb_(2)Se_(3)/TiO_(2)/Pt photocathode without PV^(2+)(−9.8 mA cm^(-2),0.51%at 0.10 V vs.RHE). 展开更多
关键词 VIOLOGEN electron transfer mediator Sb2Se3 photocathode Solar water splitting Hydrogen evolution reaction
原文传递
Influence of cesium on the stability of a GaAs photocathode
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作者 张俊举 常本康 +3 位作者 付小倩 杜玉杰 李飙 邹继军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第8期470-474,共5页
The stability of a reflection-mode GaAs photocathode has been investigated by monitoring the photocurrent and the spectral response at room temperature. We observe the photocurrent of the cathode decaying with time in... The stability of a reflection-mode GaAs photocathode has been investigated by monitoring the photocurrent and the spectral response at room temperature. We observe the photocurrent of the cathode decaying with time in the vacuum system under the action of Cs current, and find that the Cs atoms residing in the vacuum system are helpful in prolonging the life of the cathode. We examine the evolution and analyse the influence of the barrier on the spectral response of the cathode. Our results support the double dipolar mode] for the explanation of the negative electron affinity effect. 展开更多
关键词 GaAs photocathode negative electron affinity ACTIVATION photocathode stability
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PROCESS AND PROPERTIES OF THE MODERN MULTIALKALI PHOTOCATHODE USED IN A CASCADE IMAGE INTENSIFIER
5
作者 范荣团 《Journal of Electronics(China)》 1989年第2期173-178,共6页
A new processing technology and the properties of multialkali antimonide photocathodesare described.The technique requires an initial antimony layer to be deposited on a fiber-optic window at asuitable temperature.Aft... A new processing technology and the properties of multialkali antimonide photocathodesare described.The technique requires an initial antimony layer to be deposited on a fiber-optic window at asuitable temperature.After that.the layer is activated by multialkali and antimonide.Thus.the multialkaliphotocathodes named“The Modern Multialkali Photocathode”are obtained.It has been found that aphotocathode thus processed gives a sensitivity of 200 to 300μA/Im for white light at a color temperature of2854K.This paper shows the variation of photosensitivity during processing of a Modern MultialkaliPhotocathode and the variatioon of spectral sensitivity at different wavelengths.The author discusses theresults.gives a supposition of“photoemission center”,and discusses the role of Cs in multialkaliphotocathodes. 展开更多
关键词 Modern multialkali photocathode INTENSIFIER Backround brightness Photoemission center electron affinity Large grained antimony crystal film
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NEA光电阴极的(Cs,O)激活工艺研究 被引量:13
6
作者 杜晓晴 常本康 +1 位作者 汪贵华 宗志园 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期826-829,共4页
在自行研制的负电子亲和势光电阴极性能评估实验系统上 ,首次利用动态光谱响应技术和变角X射线光电子能谱 (XPS)表面分析技术研究了GaAs光电阴极的 (Cs ,O)激活工艺 .获得了首次导Cs、(Cs ,O)导入以及 (Cs ,O)循环的优化激活条件 .XPS... 在自行研制的负电子亲和势光电阴极性能评估实验系统上 ,首次利用动态光谱响应技术和变角X射线光电子能谱 (XPS)表面分析技术研究了GaAs光电阴极的 (Cs ,O)激活工艺 .获得了首次导Cs、(Cs ,O)导入以及 (Cs ,O)循环的优化激活条件 .XPS分析给出GaAs(Cs ,O)的最佳激活层厚度为 0 .82nm ,首次导Cs达到峰值光电发射时的Cs覆盖率为 0 .71个单层 .在优化激活条件下 ,可以在国产反射式GaAs上获得 10 2 5 μA/lm的积分灵敏度 . 展开更多
关键词 负电子亲和势 光电阴极 激活 光谱响应 变角XPS
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负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究 被引量:5
7
作者 乔建良 徐源 +2 位作者 高有堂 牛军 常本康 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期76-81,共6页
为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆... 为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降. 展开更多
关键词 半导体材料 负电子亲和势 双偶极层模型 GAN 光电阴极 光电流 铯吸附
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NEA GaN光电阴极表面模型研究 被引量:4
8
作者 乔建良 牛军 +2 位作者 杨智 邹继军 常本康 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期145-147,151,共4页
针对目前NEAGaN光电阴极研究中Cs激活或Cs/O激活后表面状态的形成过程还不清楚的问题,围绕NEAGaN光电阴极的光电发射机理,结合GaN光电阴极激活过程中出现的现象及成功激活的最终效果,给出了GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]... 针对目前NEAGaN光电阴极研究中Cs激活或Cs/O激活后表面状态的形成过程还不清楚的问题,围绕NEAGaN光电阴极的光电发射机理,结合GaN光电阴极激活过程中出现的现象及成功激活的最终效果,给出了GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs。利用该模型可很好地解释单独用Cs激活时约-1.0eV的有效电子亲和势和Cs/O共同激活时-1.2eV的有效电子亲和势的成因,也较好地解释了表面吸附原子的组合形式,即Cs/O激活后激活层的化学结构由Cs2O2和CsO2构成。 展开更多
关键词 电子技术 表面模型 NEAGaN光电阴极 电子亲和势 偶极层
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多碱光电阴极光谱响应在线测试结果与分析 被引量:6
9
作者 常本康 房红兵 +1 位作者 富容国 钱芸生 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第2期111-115,共5页
介绍了多碱光电阴极制备过程中测试的光谱响应,并作了简单分析。研究结果表明,Sb,K交替决定双碱化合物Na_2KSb的导电类型,Cs处理降低Na_2KSb的电子亲和势,延伸长波阈;Sb,Cs交替形成锑铯偶极层,在Na_2KSb上吸附的铯原子数和感应... 介绍了多碱光电阴极制备过程中测试的光谱响应,并作了简单分析。研究结果表明,Sb,K交替决定双碱化合物Na_2KSb的导电类型,Cs处理降低Na_2KSb的电子亲和势,延伸长波阈;Sb,Cs交替形成锑铯偶极层,在Na_2KSb上吸附的铯原子数和感应的偶极层的偶极矩同时影响多碱光电阴极的灵敏度。 展开更多
关键词 夜视仪 光电阴极 电子亲和势 光谱响应
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负电子亲和势氮化镓光电阴极 被引量:7
10
作者 李慧蕊 申屠军 +1 位作者 戴丽英 马建一 《光电子技术》 CAS 2007年第2期73-77,共5页
负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在... 负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活。 展开更多
关键词 超高真空 激活 负电子亲和势 GAN光电阴极 紫外敏感 光电探测
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均匀掺杂和梯度掺杂结构GaN光电阴极性能对比研究 被引量:1
11
作者 李飙 常本康 +5 位作者 徐源 杜晓晴 杜玉杰 付小倩 王晓晖 张俊举 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期2036-2039,共4页
高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素。针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN光电阴极在结构上的不同,结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额,分析了均匀掺杂... 高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素。针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN光电阴极在结构上的不同,结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额,分析了均匀掺杂和梯度掺杂负电子亲和势GaN光电阴极性能的异同。实验表明,与均匀掺杂结构阴极相比,梯度掺杂结构阴极在激活过程中光电流增速较慢,激活时间相对较长,激活成功后量子效率较高。采用场助光电阴极发射模型可以很好地解释二者间存在的差异,梯度掺杂结构中内建电场的存在增加了电子向阴极表面的漂移运动,提高了电子到达阴极表面的几率。 展开更多
关键词 负电子亲和势 氮化镓 均匀掺杂 梯度掺杂 光电阴极 场助 量子效率
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负电子亲和势GaN阴极光电发射机理研究 被引量:1
12
作者 李飙 任艺 +1 位作者 常本康 陈文聪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期37-40,共4页
GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光... GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光电子的逸出过程;推导了Cs激活过程中到达阴极表面光激发电子的逸出几率公式;比较了仅用Cs激活和共用Cs/O激活过程中到达阴极表面光激发电子逸出几率的变化情况;结果表明:GaN阴极的光电发射为直接跃迁激发,输运阶段仅遭受电子-声子散射,表面光激发电子的逸出几率取决于激活程度,引入Cs是激活的必需因素,O的引入仅可小幅度提升光电发射效率;最后利用实验证实了Cs激活的充分性。 展开更多
关键词 负电子亲和势 GAN 光电阴极 光电发射 激发 输运 激活
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NEA光电阴极的性能参数评估 被引量:1
13
作者 杜晓晴 常本康 +1 位作者 宗志园 钱芸生 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第S1期55-57,61,共4页
利用自行研制的动态光谱响应测试系统直接实现NEA光电阴极的光谱响应在线测试,并对光谱响应曲线进行曲线拟合,间接实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。对(Cs,O)激活的GaAs反射式光电阴极进行了性能... 利用自行研制的动态光谱响应测试系统直接实现NEA光电阴极的光谱响应在线测试,并对光谱响应曲线进行曲线拟合,间接实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。对(Cs,O)激活的GaAs反射式光电阴极进行了性能参数评估,给出了测试结果。 展开更多
关键词 负电子亲和势 光电阴极 曲线拟合 评估
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基于电子追迹算法的微光像增强器分辨力研究 被引量:8
14
作者 邱亚峰 严武凌 华桑暾 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期19-26,共8页
针对目前的微光像增强器分辨力计算理论模型存在着不够精确,不能直观给出优化条件等问题,提出了一种基于电子追迹算法的理论模型.通过均匀掺杂GaAs电子散射公式对阴极内光电子运输建模得到不同于朗伯体分布的出射电子分布,将近贴系统近... 针对目前的微光像增强器分辨力计算理论模型存在着不够精确,不能直观给出优化条件等问题,提出了一种基于电子追迹算法的理论模型.通过均匀掺杂GaAs电子散射公式对阴极内光电子运输建模得到不同于朗伯体分布的出射电子分布,将近贴系统近似为纵向均匀电场并建立前、后近贴电子输运模型,在非异常工作情况下以次级电子出射分布为基础建立微通道板内电子输运模型,最后得到荧光屏电子圆斑,并用蒙特卡洛法计算调制传递函数,以0.3为标准得到极限分辨力.对四种不同型号像管的分辨力进行计算,计算结果与实验结果最大误差仅为5.0%,低于已有模型误差(超过10%),证明了该模型具有较好的实用价值和应用前景. 展开更多
关键词 像增强器 光电阴极 电子轨迹 分辨力 调制传递函数
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半透明多碱阴极浅氧敏化研究 被引量:2
15
作者 常本康 刘元震 果玉忱 《华东工学院学报》 CSCD 1990年第4期29-33,共5页
根据多碱阴极理想模型:Na_3KSb+K_2CsSb+sb·Cs 偶极层,提出用 Cs_2O 取代 K_2CsSb+Sb·Cs 偶极层,很可能形成 p—n Na_2KSb—Cs_2O异质结光电阴极。用研制的氧发生器,以常规的碱金属源在超高真空系统中制备了 Na_2KSb,然后采用... 根据多碱阴极理想模型:Na_3KSb+K_2CsSb+sb·Cs 偶极层,提出用 Cs_2O 取代 K_2CsSb+Sb·Cs 偶极层,很可能形成 p—n Na_2KSb—Cs_2O异质结光电阴极。用研制的氧发生器,以常规的碱金属源在超高真空系统中制备了 Na_2KSb,然后采用 NEA 光电阴极的激活工艺,用铯、氧交替激活 Na_2KSb,获得 p—n Na_2KSb—Cs_2O 光电阴极。结果表明,这种光电阴极在紫外—红外范围内具有较高的量子产额,其长波截止超过1.06um,达到1.1μm。 展开更多
关键词 夜视仪 光电阴极 敏化 蒸发法
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负电子亲和势GaAs光阴极的研究 被引量:1
16
作者 李慧蕊 顾肇业 +1 位作者 马建一 丁辉敏 《光电子技术》 CAS 1994年第3期183-189,共7页
分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优越性进行了综合性讨论。
关键词 砷化镓 光阴极 电子 亲合力
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用电液相外延法制备透射式GaAs光阴极的研究 被引量:1
17
作者 曾庆科 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1995年第2期32-36,共5页
采用电液相外延法在n型GaAs衬底上连续生长Ga1-xAlxAs(x=0.75)过渡层及p型GaAs发射层,测试结果表明,电液相外延法适合于制备透射式GaAs光电阴极.
关键词 电液相外延 光电阴极 扩散长度 砷化镓
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电子倍增型GaAs光阴极实验研究
18
作者 胡仓陆 郭晖 +6 位作者 焦岗成 彭岔霞 冯驰 徐晓兵 周玉鉴 成伟 王书菲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1549-1554,共6页
电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对... 电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2. 展开更多
关键词 砷化镓 光阴极 雪崩倍增 电子增益 负电子亲和势
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真空铟焊的负电子亲和势砷化镓光阴极实验研究
19
作者 潘清 肖德鑫 +6 位作者 吴岱 李凯 杨仁俊 王建新 张海旸 刘宇 黎明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期254-258,共5页
大功率激光加载会使负电子亲和势(NEA)砷化镓(GaAs)光阴极的温度迅速升高,较高的温度对NEA GaAs光阴极的激活层造成了破坏,从而使其量子效率迅速下降。探索了基于FEL-THz装置的NEA GaAs光阴极的真空铟焊工艺,搭建了GaAs真空铟焊平台,并... 大功率激光加载会使负电子亲和势(NEA)砷化镓(GaAs)光阴极的温度迅速升高,较高的温度对NEA GaAs光阴极的激活层造成了破坏,从而使其量子效率迅速下降。探索了基于FEL-THz装置的NEA GaAs光阴极的真空铟焊工艺,搭建了GaAs真空铟焊平台,并进行了真空铟焊后的GaAs光阴极激光与束流加载实验。研究表明,真空铟焊使GaAs与金属阴极托之间形成了紧密连接,增强了阴极与阴极托之间的热传导,减缓了阴极的温升速率,并在数瓦平均功率激光加载时将注入器中NEA GaAs光阴极的工作寿命提高了一个量级以上。 展开更多
关键词 负电子亲和势砷化镓光阴极 真空铟焊 阴极工作寿命 量子效率
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多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究
20
作者 常本康 徐登高 +1 位作者 詹启海 刘元震 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1993年第5期23-27,共5页
该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。结果表明:当I_a/I_0>0.4时,阴极最佳厚度D应在1000A以上,并且D随I_a/I_o上升而增加。高能光子产生... 该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。结果表明:当I_a/I_0>0.4时,阴极最佳厚度D应在1000A以上,并且D随I_a/I_o上升而增加。高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。该文同时指出:对第一类阴极(S-20,S-20R,S-25),D应为300A左右;对第二类阴极(New S-25,Varo,LEP)则为900A。并预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出,随着光电子逸出深度和入射光波长增加,光电阴极厚度增加。如果光电子逸出深度在40~55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极最佳厚度D应在1200A左右。 展开更多
关键词 夜视仪 光电阴极 电子亲和势 理论
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