中子衍射应力分析谱仪模拟实验

利用蒙特卡洛模拟程序SIMRES对中子衍射应力分析谱仪进行模拟实验。首先比较了V-5Cr-5Ti合金和α-Fe样品对应的探测器记录的中子强度。然后对无应力状态下的α-Fe平板贯穿扫描,得到完全沉浸和不完全沉浸时赝偏移变化曲线。

中子衍射应力测量试验中赝偏移现象的影响

主要介绍了中子衍射应力谱仪试验过程中,由非应力原因引起的衍射偏移的各种因素的影响。讨论了样品的定位与样品测量体积的选择对衍射峰赝偏移的影响,最后给出了赝偏移校正方法与试验过程中减小赝偏移的有效技术手段,使试验数据得到有效的处理,从而得到样品内部应力的真实信息。