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Study on secondary electron suppression in compact D–D neutron generator
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作者 Zhi-Wu Huang Xiao-Hou Bai +7 位作者 Chang-Qi Liu Jun-Run Wang Zhan-Wen Ma Xiao-Long Lu Zheng Wei Zi-Min Zhang Yu Zhang Ze-En Yao 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2019年第5期139-145,共7页
A compact D–D neutron generator, with a peak neutron yield of D–D reactions up to 2.48×10~8 n/s is being developed at Lanzhou University in China for application in real-time neutron activation analysis. During... A compact D–D neutron generator, with a peak neutron yield of D–D reactions up to 2.48×10~8 n/s is being developed at Lanzhou University in China for application in real-time neutron activation analysis. During tests, the problem of back acceleration of secondary electrons liberated from the neutron production target by deuterium ions bombardment was encountered. In this study,an electric field method and a magnetic field method for suppressing secondary electrons are designed and experimentally investigated. The experimental results show that the electric field method is superior to the magnetic field method. Effective suppression of the secondary electrons can be achieved via electrostatic suppression when the bias voltage between the target and the extraction-accelerating electrode is >204 V. Furthermore, the secondary electron emission coefficient for the mixed deuterium ion(D_1^+,D_2^+, and D_3^+) impacting on molybdenum is estimated. In the deuterium energy range of 80–120 keV, the estimated secondary electron emission coefficients are approximately 5–5.5 for the mixed deuterium ion glancing incidence of 45° and approximately 3.5–3.9 for the mixed deuterium ion normal incidence. 展开更多
关键词 D–D neutron GENERATOR secondary electron SUPPRESSION secondary electron emission COEFFICIENT
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Simulation of Secondary Electron and Backscattered Electron Emission in A6 Relativistic Magnetron Driven by Different Cathode
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作者 刘美琴 李博轮 +2 位作者 刘纯亮 Fuks MIKHAIL Edl SCHAMILOGLU 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第1期64-70,共7页
Prticle-in-cell(PIC) simulations demonstrated that,when the relativistic magnetron with diffraction output(MDO) is applied with a 410 kV voltage pulse,or when the relativistic magnetron with radial output is appli... Prticle-in-cell(PIC) simulations demonstrated that,when the relativistic magnetron with diffraction output(MDO) is applied with a 410 kV voltage pulse,or when the relativistic magnetron with radial output is applied with a 350 kV voltage pulse,electrons emitted from the cathode with high energy will strike the anode block wall.The emitted secondary electrons and backscattered electrons affect the interaction between electrons and RF fields induced by the operating modes,which decreases the output power in the radial output relativistic magnetron by about 15%(10%for the axial output relativistic magnetron),decreases the anode current by about 5%(5%for the axial output relativistic magnetron),and leads to a decrease of electronic efficiency by 8%(6%for the axial output relativistic magnetron).The peak value of the current formed by secondary and backscattered current equals nearly half of the amplitude of the anode current,which may help the growth of parasitic modes when the applied magnetic field is near the critical magnetic field separating neighboring modes.Thus,mode competition becomes more serious. 展开更多
关键词 secondary electron and backscattered electron emission relativistic magnetron mode competition critical magnetic field output power anode current electronic efficiency transparent cathode solid cathode
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磁控溅射制备碳化硼薄膜的结构与成分分析
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作者 朱京涛 刘扬 +3 位作者 周健荣 周晓娟 孙志嘉 崔明启 《光学仪器》 2024年第2期63-68,共6页
近年来国际上^(3)He资源的短缺造成了基于^(3)He的中子探测器高昂的成本,而以碳化硼薄膜作为中子转换层的硼基中子探测器逐渐成为了最有前景的替代方案。通过直流磁控溅射制备了Ti/B_(4)C多层膜,并使用透射电子显微镜(TEM)、飞行时间二... 近年来国际上^(3)He资源的短缺造成了基于^(3)He的中子探测器高昂的成本,而以碳化硼薄膜作为中子转换层的硼基中子探测器逐渐成为了最有前景的替代方案。通过直流磁控溅射制备了Ti/B_(4)C多层膜,并使用透射电子显微镜(TEM)、飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对薄膜的结构与成分进行表征。结果表明:Ti层存在结晶情况;H、O、N元素为薄膜内部的主要杂质,且多分布于Ti层与B_(4)C-on-Ti过渡层中;更高的本底真空度能够降低碳化硼薄膜内的杂质含量,提高B含量占比;中子探测效率测试结果证明本底真空度的提高能够有效提高碳化硼中子转换层的效率。 展开更多
关键词 中子光学 碳化硼薄膜 直流磁控溅射 透射电子显微镜(TEM) X射线光电子能谱(XPS) 中子探测
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非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究
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作者 苏家平 周孝好 +4 位作者 唐舟 范柳燕 夏顺吉 陈平平 陈泽中 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期7-14,共8页
本文利用分子束外延(MBE)技术成功生长了GaAs/AlGaAs非均匀量子阱红外探测器材料,并对相关微结构作了细致表征。分析比较了非均匀量子阱结构和常规量子阱红外探测器性能差异,并对比研究了不同势阱宽度下非均匀量子阱红外探测器的性能变... 本文利用分子束外延(MBE)技术成功生长了GaAs/AlGaAs非均匀量子阱红外探测器材料,并对相关微结构作了细致表征。分析比较了非均匀量子阱结构和常规量子阱红外探测器性能差异,并对比研究了不同势阱宽度下非均匀量子阱红外探测器的性能变化。通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)结合能谱仪(EDS)对非均匀量子阱红外探测器材料微结构进行了分析,并利用二次离子质谱仪(SIMS)对非均匀势阱掺杂进行了表征。结果表明,该量子阱外延材料晶体质量很好,量子阱结构和掺杂浓度也与设计值符合较好。对于非均匀量子阱红外探测器,通过改变每个阱的掺杂浓度和势垒宽度,可以改变量子阱电场分布,而与传统的均匀量子阱红外探测器相比,其暗电流显著下降(约一个数量级)。在不同阱宽下,非均匀量子阱的跃迁模式发生改变,束缚态到准束缚态跃迁模式下(B-QB)的器件具有较高的黑体响应率以及较低的暗电流。 展开更多
关键词 非均匀 量子阱 高分辨电镜 二次离子质谱 暗电流
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心房颤动患者导管消融术不同管电流CT扫描方案对患者辐射剂量影响研究
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作者 海洪勃 朴成浩 +3 位作者 于冬梅 方亮 邱志伟 赵琳琳 《中国CT和MRI杂志》 2024年第1期78-80,共3页
目的研究心房颤动患者导管消融术不同管电流电子计算机断层扫描(CT)扫描方案对患者辐射剂量的影响。方法回顾性分析2020年7月至2022年11月于我院进行导管消融术治疗的133例心房颤动患者临床资料,根据患者胸部CT扫描管电流水平将其分为... 目的研究心房颤动患者导管消融术不同管电流电子计算机断层扫描(CT)扫描方案对患者辐射剂量的影响。方法回顾性分析2020年7月至2022年11月于我院进行导管消融术治疗的133例心房颤动患者临床资料,根据患者胸部CT扫描管电流水平将其分为微管电流组(管电流为30mAs)、低管电流组(管电流为50mAs)、中管电流组(管电流为100mAs)和高管电流组(管电流为200mAs),四组例数分别为30例、37例、34例、32例。记录四组患者辐射剂量[CT剂量指数(CTDI)、CT剂量长度乘积(DLP)、有效辐射剂量(ED)]、客观图像质量[CT值、对比噪声比(CNR)、信噪比(SNR)]、主观图像质量[解剖结构显示、噪声、图像清晰度]、左心房(LA)直径、LA憩室显示率、肺静脉(PV)解剖变异显示率。结果四组辐射剂量比较差异有统计学意义(P<0.05),其中微管电流组CTDI、DLP、ED均低于低、中、高管电流组(P<0.05),低管电流组CTDI、DLP、ED均低于中、高管电流组(P<0.05),中管电流组CTDI、DLP、ED均低于高管电流组(P<0.05)。微管电流组LA、左上肺静脉(LSPV)及右上肺静脉(RSPV)的CT值、SNR、CNR均低于低、中、高管电流组(P<0.05),低、中、高管电流组LA、LSPV及RSPV的CT值、SNR、CNR比较差异均无统计学意义(P>0.05)。微管电流组解剖结构显示、噪声及图像清晰度评分均低于低、中、高管电流组(P<0.05),低、中、高管电流组解剖结构显示、噪声及图像清晰度比较差异均无统计学意义(P>0.05)。微管电流组LA直径、LA憩室显示率及PV解剖变异显示率均低于其他三组(P<0.05),低、中、高管电流组LA直径、LA憩室显示率及PV解剖变异显示率比较差异均无统计学意义(P>0.05)。结论与100mAs、200mAs管电流相比,心房颤动患者导管消融术采用50mAs管电流CT扫描辐射剂量明显较少,所获图像质量也能够达到相关标准。 展开更多
关键词 心房颤动 导管消融术 电子计算机断层扫描 管电流 辐射剂量 图像质量
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About Radiation in ^natGd for Neutron Capture Therapy
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作者 Gayratulla A. Kulabdullaev G. A. Abdullaeva +2 位作者 A. A. Kim T. T. Rakhmonov A. Kurmantaev 《Journal of Health Science》 2016年第1期35-44,共10页
In the present work, based on publications dedicated to ^natGd natural gadolinium isotopes, characteristics of secondary particles are analysed in details for various neutron-induced reactions. Characteristics of the ... In the present work, based on publications dedicated to ^natGd natural gadolinium isotopes, characteristics of secondary particles are analysed in details for various neutron-induced reactions. Characteristics of the secondary particles produced in these reactions that make significant contribution to absorbed dose are estimated. It is also established that the main contribution to the absorbed dose is made by secondary particles produced in interactions of neutrons and ^155Gd and ^157Gd isotopes. From comparison of gamma-radiation spectra it is defined that the amount of γ-quanta with energies 0-400 keV (i.e. effective γ-quanta) produced in the (n,γ)-reaction by ^155Gd is higher than that by ^157Gd. Compared spectra of other particles (internal conversion electrons, Auger electrons, x-ray radiation) have shown that earlier used average values of their energy must be defined more precisely. When biological objects are irradiated for approximately 30 minutes by epithermal neutrons in the ^natGd NCT (Gadolinium-based neutron-capture therapy), one should take into account energies of secondary particles produced by ^152Gd, ^154Gd, ^156Gd, ^158Gd and ^160Gd isotopes as they have high linear energy transfer (LET). It is demonstrated that when combined, all these secondary particles can make significant contribution to the absorbed dose at neutron-irradiation of biological objects by the ^natGd NCT technique. 展开更多
关键词 Nuclear reactions natural gadolinium isotopes secondary particles conversion electrons epithermal neutrons neutron capture therapy RADIATION biological effect.
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低能电子束照射电介质样品的二次电子特性 被引量:6
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作者 汪春华 李维勤 张海波 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期144-149,共6页
为阐明低能电子束照射下电介质样品的二次电子电流及产额的动态特性,将蒙特卡洛法和有限差分法相结合,建立了较为准确的电子散射、俘获、输运和自洽场等过程的数值计算模型;采用一个改进二次电子检测实验平台,准确测量了二次电子电流.... 为阐明低能电子束照射下电介质样品的二次电子电流及产额的动态特性,将蒙特卡洛法和有限差分法相结合,建立了较为准确的电子散射、俘获、输运和自洽场等过程的数值计算模型;采用一个改进二次电子检测实验平台,准确测量了二次电子电流.模拟和实验结果表明,相对于电子束脉冲照射模式,电子束连续照射会导致二次电子产额明显降低.在连续照射模式下,随着电子束照射,二次电子电流和产额逐渐减小至一个稳定值.二次电子产额受入射电子束电流的影响较小,但随样品厚度的增大而增大.本文结果为提高扫描电镜成像质量、降低带电效应提供了理论指导,而且提供了依据二次电子特性研究样品参数的新思路. 展开更多
关键词 电介质 电子束照射 二次电子电流 二次电子产额
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中子发生器中二次电子抑制的数值模拟 被引量:5
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作者 金大志 杨中海 戴晶怡 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期83-86,共4页
讨论了密封中子发生器中二次电子流的产生机制,介绍了几种不同的二次电子流的抑制方法。针对不同的抑制方法进行了粒子模拟实验,结果表明,在直接利用法拉第圆筒形状的加速电极抑制的情况下,只能抑制住部分二次电子,一部分电子还可以通... 讨论了密封中子发生器中二次电子流的产生机制,介绍了几种不同的二次电子流的抑制方法。针对不同的抑制方法进行了粒子模拟实验,结果表明,在直接利用法拉第圆筒形状的加速电极抑制的情况下,只能抑制住部分二次电子,一部分电子还可以通过加速孔进入加速空间形成二次电子流,二次电子流约占靶面二次电子发射电流的1/5。在法拉第圆筒状加速电极的基础上加上电场抑制,能很好地抑制二次电子流的产生,当偏压为300V时,二次电子电流近似为零。 展开更多
关键词 中子发生器 数值模拟 二次电子 抑制
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钒自给能探测器中子响应计算方法 被引量:9
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作者 毕光文 汤春桃 杨波 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期89-94,共6页
钒自给能探测器被广泛用作核动力反应堆的堆内固定式探测器,为堆芯中子注量率分布测量连续不断地提供信息。研究钒自给能探测器的响应电流计算方法,为堆芯在线功率分布监测与探测器设计优化提供理论依据。首先描述钒自给能探测器的响应... 钒自给能探测器被广泛用作核动力反应堆的堆内固定式探测器,为堆芯中子注量率分布测量连续不断地提供信息。研究钒自给能探测器的响应电流计算方法,为堆芯在线功率分布监测与探测器设计优化提供理论依据。首先描述钒自给能探测器的响应机理与特性,然后基于Warren提出的理论模型,详细介绍中子响应电流控制方程及电子逃脱概率的计算方法,最后根据公开报道的典型钒探测器规格与实验数据进行数值模拟分析。结果显示,单位长度热中子灵敏度计算值与测量值相对偏差在±5%以内,论证了该方法的有效性与计算精度。 展开更多
关键词 钒自给能探测器 堆内中子注量率分布监测 探测器响应电流 电子逃脱概率 中子灵敏度
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高压直流输电开路试验原理的探讨 被引量:31
10
作者 王明新 谢国平 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2004年第22期11-14,25,共5页
分析了带直流线路开路试验时,换流器的触发角变化对开路电压、充电电流以及阀电压的影响,得出的结论是:在直流线路未发生绝缘贯穿性损坏的条件下,当触发角小于60°时,还可以将直流电压升到额定值;开路试验充电电流在触发角小于60... 分析了带直流线路开路试验时,换流器的触发角变化对开路电压、充电电流以及阀电压的影响,得出的结论是:在直流线路未发生绝缘贯穿性损坏的条件下,当触发角小于60°时,还可以将直流电压升到额定值;开路试验充电电流在触发角小于60°时约为常数,主要与直流线路的结构参数及电晕放电大小有关;触发角越小,阀电压畸变越小。该观点已为三峡-广东直流工程的调试人员所接受,在广东省惠州市鹅城换流站进行的开路试验中,将换流器触发角降为35.7°时,开路电压升到了额定值500kV。 展开更多
关键词 直流线路 触发角 高压直流输电 开路电压 额定值 换流器 充电电流 路试 试验原理 损坏
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光电倍增管线性特性、时间特性参数调试 被引量:12
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作者 刘君红 刘俊勇 管兴胤 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期768-771,共4页
介绍了光电倍增管线性特性、时间特性参数的调试方法及举例。对两种调试光电倍增管最大线性电流的方法作了对比分析,得出在不同需求情况两种方法各自适用的范围。同时,倍增管渡越时间参数采用电缆延迟的方法测得。
关键词 光电倍增管 线性特性 最大脉冲线性电流 渡越时间
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利用永久磁场抑制中子管中的电子电流 被引量:4
12
作者 金斗英 苏荫权 廖朝阳 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1998年第3期72-74,共3页
讨论密封式中子管中抑制二次电子的几种方法.对Philip型中子管,用永久磁块抑制二次电子时得到中子产额是不加磁块时中子产额的1.33倍.
关键词 中子管 二次电子 电子电流 永久磁场
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中国散裂中子源(CSNS)真空系统研制 被引量:11
13
作者 董海义 宋洪 +7 位作者 李琦 杨奇 赵晶晶 黄涛 王鹏程 关玉慧 刘鹏飞 刘佳明 《真空》 CAS 2015年第4期1-6,共6页
中国散裂中子源(CSNS)将提供能量为1.6Ge V、功率为100k W的短脉冲质子束,以25Hz的重复频率撞击固体金属靶,产生散裂中子。散裂中子源是一个多学科平台,可以进行物理、化学、生物学和材料科学研究。本文描述了CSNS真空系统各个部分的结... 中国散裂中子源(CSNS)将提供能量为1.6Ge V、功率为100k W的短脉冲质子束,以25Hz的重复频率撞击固体金属靶,产生散裂中子。散裂中子源是一个多学科平台,可以进行物理、化学、生物学和材料科学研究。本文描述了CSNS真空系统各个部分的结构特点、技术要求、设计方案和实验结果。通过金属化法和玻璃粘结法分别完成了四极陶瓷真空盒和二极陶瓷真空盒样机的研制。经过测试,陶瓷真空盒样机的机械尺寸、抗拉强度和真空性能达到了设计指标。另外,为了减小二次电子发射系数,在陶瓷真空盒内表面用磁控溅射法镀氮化钛,通过小样品测试了氮化钛膜的厚度、成分、二次电子发射系数和附着强度。目前,CSNS真空系统大部分设备和部件已投入批量生产,2014年10月中旬开始安装,2018年CSNS达到国家验收指标。 展开更多
关键词 散裂中子源 真空系统 陶瓷真空盒 氮化钛(TiN) 二次电子发射系数(SEY)
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一个高灵敏度中子扫描变像管的设计 被引量:4
14
作者 廖华 张焕文 郑志坚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期720-724,共5页
设计了一个高探测灵敏度的中子扫描变像管,该管采用电子产额较高的聚乙烯加磺化中子阴极。承极面积大(Х10mm),不设置狭缝,电子束的交叉截面聚焦于MCP的前表面。设计时间分辨率为43ps,探测产额大于1×10^8个... 设计了一个高探测灵敏度的中子扫描变像管,该管采用电子产额较高的聚乙烯加磺化中子阴极。承极面积大(Х10mm),不设置狭缝,电子束的交叉截面聚焦于MCP的前表面。设计时间分辨率为43ps,探测产额大于1×10^8个烧蚀靶内焊中子,当靶到阴极距离方几十厘米时,也可用于测量爆推靶内爆中子能谱多普勒展宽,从而确定等离子体离子温度。 展开更多
关键词 中子扫描变像管 时间分辨率 探测灵敏度
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金属筒在ECR2高电荷态离子源中的应用 被引量:2
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作者 袁平 刘占稳 +7 位作者 张汶 赵红卫 张雪珍 郭晓虹 李锡霞 周嗣信 王义芳 魏宝文 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期392-396,共5页
叙述了用金属筒来增强ECR2离子源的高电荷态离子束流强度。铝筒的增强效果最为显著。与锆简相比,Ar(8+)离子的束流强度从245μA增至330μA,Ar(9+)离子从125μA增至150μA。
关键词 ECR 离子源 金属筒 高电荷态离子 次级电子
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利用微加工工艺提高空间行波管收集极效率 被引量:4
16
作者 白春江 崔万照 +1 位作者 叶鸣 贺永宁 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2017年第2期61-65,共5页
针对二次电子发射系数对空间行波管收集极效率的影响,通过降低二次电子发射系数的方法,提高收集极的效率。并以无氧铜为例,使用化学刻蚀的方法对无氧铜样片进行表面处理,得到规则微孔阵列结构。使用二次电子发射测试平台对有无表面处理... 针对二次电子发射系数对空间行波管收集极效率的影响,通过降低二次电子发射系数的方法,提高收集极的效率。并以无氧铜为例,使用化学刻蚀的方法对无氧铜样片进行表面处理,得到规则微孔阵列结构。使用二次电子发射测试平台对有无表面处理的无氧铜样片进行测量。测量结果显示,经化学刻蚀处理后的样片的最大二次电子发射系数由1.33减小到0.96,二次电子发射抑制效果明显。将测得的两个二次电子发射系数曲线用于空间行波管收集极的模拟设计中。选用已有的3个收集极结构模型,使用模拟软件进行仿真并计算收集极效率。结果表明,3个收集极结构模型的效率分别由原来的80.1%、57.5%、42.1%提高到82.55%、62.6%、59.2%。该结果对于空间行波管收集极的设计具有重要参考价值。 展开更多
关键词 空间行波管 收集极 二次电子发射 无氧铜 化学刻蚀
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细长金属管内产生的直流辉光等离子体发射光谱诊断 被引量:5
17
作者 尹利勇 温小琼 王德真 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2745-2748,共4页
利用发射光谱法对金属管内形成的稳定氩氮直流辉光等离子体进行了诊断。通过对等离子体发射光谱谱线的研究确定了等离子体中的活性粒子成分;根据氩原子的玻尔兹曼曲线斜率法计算了等离子体中的电子激发温度;采用氮分子第二正带系跃迁(C3... 利用发射光谱法对金属管内形成的稳定氩氮直流辉光等离子体进行了诊断。通过对等离子体发射光谱谱线的研究确定了等离子体中的活性粒子成分;根据氩原子的玻尔兹曼曲线斜率法计算了等离子体中的电子激发温度;采用氮分子第二正带系跃迁(C3Πu→B3Πg)的发射谱线计算了等离子体中的氮分子振动温度;研究了电子激发温度和氮分子振动温度随压强的变化特征。研究结果表明,在20 Pa下产生的Ar60%+N240%直流辉光等离子体中,活性成分主要是Ar原子、Ar离子、N2的第二正带系跃迁(C3Πu→B3Πg)和N2+的第一负带系跃迁(B2Πu+→X2Σg+);电子激发温度约为(15 270±250)K;氮分子(C3Πu)振动温度约为(3 290±100)K;随着压强的增加电子激发温度、分子振动温度逐渐降低。文章的研究结果对细长金属管内表面改性研究具有重要的意义。 展开更多
关键词 细长金属管 直流辉光放电 发射光谱 电子激发温度 分子振动温度
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MgO薄膜次级电子发射材料研究现状与展望 被引量:2
18
作者 周帆 王蕊 +2 位作者 梁轩铭 刘伟 王金淑 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第10期1128-1138,共11页
次级电子发射是一种涉及带电粒子与固体表面间相互作用的复杂过程.MgO薄膜具有较高的次级电子发射系数和化学稳定性,在多种光电倍增管、交流等离子平板显示器中具有广泛应用.主要介绍次级电子发射的基本原理、MgO薄膜次级电子发射材料... 次级电子发射是一种涉及带电粒子与固体表面间相互作用的复杂过程.MgO薄膜具有较高的次级电子发射系数和化学稳定性,在多种光电倍增管、交流等离子平板显示器中具有广泛应用.主要介绍次级电子发射的基本原理、MgO薄膜次级电子发射材料的发展演变,并结合本课题组的研究工作,重点介绍具有高次级发射系数的MgO及掺杂MgO次级电子发射材料的研究进展.最后对次级电子发射材料的需求与发展趋势进行展望. 展开更多
关键词 次级电子发射 MgO薄膜 次级发射系数 光电倍增管 掺杂 研究进展
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密封式中子管中电子电流形成过程 被引量:7
19
作者 金斗英 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1998年第1期40-44,共5页
分析中子管中电子电流的形成过程.对于Philip型中子管,D+离子轰击靶产生的二次电子直射进入加速区,形成的电子电流仅是总电子电流的一部分.为完整地解释电子电流的形成,必须考虑到二次电子在加速电极内壁上的散射和新产生的二次电... 分析中子管中电子电流的形成过程.对于Philip型中子管,D+离子轰击靶产生的二次电子直射进入加速区,形成的电子电流仅是总电子电流的一部分.为完整地解释电子电流的形成,必须考虑到二次电子在加速电极内壁上的散射和新产生的二次电子进入加速区形成电子流的因素. 展开更多
关键词 中子管 电子电流 二次电子 电子散射 密封式
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脉冲电压下油膜涂覆绝缘体真空沿面闪络特征 被引量:1
20
作者 李逢 蒋吉昊 +2 位作者 王勐 徐乐 杨尊 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期1995-2000,共6页
为进一步提高真空绝缘体沿面闪络电压,采用变压器油涂敷于真空绝缘体表面,实验研究了脉冲电压下油膜涂覆绝缘体的真空沿面耐压性能。实验结果表明:真空中油膜涂覆绝缘体首次沿面闪络电压和老练电压均有大幅度提高,但耐受电压与未涂覆绝... 为进一步提高真空绝缘体沿面闪络电压,采用变压器油涂敷于真空绝缘体表面,实验研究了脉冲电压下油膜涂覆绝缘体的真空沿面耐压性能。实验结果表明:真空中油膜涂覆绝缘体首次沿面闪络电压和老练电压均有大幅度提高,但耐受电压与未涂覆绝缘体的耐受电压基本一致。根据实验结果结合真空沿面闪络二次电子崩理论和液体击穿二次电子崩理论,初步认为闪络发生在绝缘体与油膜交接面处,油介质的涂覆抑制了绝缘体表面二次电子崩的发展和解吸附气体的释放,提高了首次闪络电压和耐受电压,但较高的闪络电流释放的热量将可能在绝缘体表面形成固有闪络通道从而降低油膜涂覆绝缘体耐受电压,油介质的涂覆促使电极与绝缘体接触良好从而降低了闪络电压的分散性。该涂覆方法有希望应用于对真空无特殊要求的固体支撑结构来提高真空耐压性能,但油介质对真空的影响还有待进一步研究。 展开更多
关键词 绝缘体 油膜涂覆 沿面闪络 二次电子崩 解吸附气体 变压器油 闪络电流
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