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Cu掺杂的NiO的制备及其超级电容器性能 被引量：3
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作者 俞燕青 周益明 +5 位作者 戴跃华 张黎 吴悦 唐亚文 陆天虹 沈涛 《南京师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期57-60,共4页
采用低热固相反应法合成掺杂Cu的Ni(OH)2,将其在300℃下热处理得到相应的NiO.电化学测试表明∶掺杂量为n(Ni)∶n(Cu)=100∶0.25时,NiO电极的比容量最高,为99-120 F/g,具有良好的充放电性能,而不掺杂的只有83-111 F/g,因此掺杂Cu有利于提... 采用低热固相反应法合成掺杂Cu的Ni(OH)2,将其在300℃下热处理得到相应的NiO.电化学测试表明∶掺杂量为n(Ni)∶n(Cu)=100∶0.25时,NiO电极的比容量最高,为99-120 F/g,具有良好的充放电性能,而不掺杂的只有83-111 F/g,因此掺杂Cu有利于提高NiO的电化学性能. 展开更多
关键词 NIO 铜掺杂 超级电容器 低热固相反应
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