不同熔附金属对前牙烤瓷熔附金属全冠修复疗效

目的对比研究镍铬合金与金沉积对前牙烤瓷熔附金属(porcelain-fused-to-metal crown,PFM)全冠修复患者的应用效果以及对龈沟液(gingival crevicular fluid,GCF)炎症因子的影响。方法选入2020年9月-2022年2月在本院接受前牙PFM全冠修复的患者86例(86颗牙),根据修复材料不同分为镍铬合金组和金沉积组,每组43例(43颗牙)。比较两组的治疗效果、GCF炎症因子水平等指标。结果金沉积组修复体颜色、边缘密合度、边缘着色及继发龋均显著优于镍铬合金组(P<0.05),在修复体折裂瓷崩方面,两组无明显差异(P>0.05);修复6个月后,金沉积组GI、PD、GCF和GCF中TNF-α、IL-6、IL-1β和MMP-2水平水平均显著低于镍铬合金组(P<0.05);金沉积组满意度显著高于镍铬合金组(93.02%vs.74.42%,P<0.05)。结论镍铬合金与金沉积均是前牙PFM全冠修复的常用材料,而后者对患者局部牙周组织影响较小,在减轻GCF炎性因子水平、提高修复美观度及患者满意度方面优于前者。

绝缘子引线腐蚀断裂研究

[目的]绝缘子作为微波组件内、外部的连接器件,其引线与玻璃封接处容易断裂。[方法]采用金相显微镜、扫描电镜、能谱仪等手段对上述断裂的原因进行分析。[结果]通过机理探讨与现场观察相结合,确定症结在于应力腐蚀开裂。绝缘子引线断裂分为3个阶段:点蚀过程及裂纹萌生,裂纹扩展,以及纯力学快速断裂。[结论]采用化学抛光与机械研磨相结合、镍金交叉镀覆的新工艺可以消除绝缘子引线封接处镀层应力敏感性和应力条件,令镀层的结合力、耐盐雾性能及焊接性能均达到工艺要求。

Diagenetic-metallogenic ages of pyritic cherts and their implications in Mojiang nickel-gold deposit in Yunnan Province,China

Diagenetic-metallogenic ages of pyritic cherts formed by the syn-sedimentation of hydrothermal vent and ages of the Jinchang Rock Formation in the Mojiang large nickel-gold deposit in the Ailaoshan gold metallogenic belt have been discussed on the basis of chronology of isotopic geochemistry. Nickel-gold-bearing pyritic cherts in the mining were formed by syn-sedimentation of hydrothermal vent in the Late Devonian, i.e. age by Sm-Nd isochronal method (t) = (358±8.6) (2σ) Ma and age by Rb-Sr isochronal method (t) = (354.7±0.72) (2σ) Ma. On the other hand, deep-water cherts from the Jinchang Rock Formation of the Upper Devonian in the area were initiated at the same time; that is, age by Sm-Nd isochronal method (t) = (359(+21) (2(7) Ma and age by Rb-Sr isochronal method (t) = (358.02±0.30) (2σ) Ma.

Sn95Sb5焊料与ENIG/ENEPIG镀层焊点界面可靠性研究

研究了Sn95Sb5焊料在化学镍金(ENIG)镀层、化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层表面形成的焊点界面微观组织形貌与剪切强度。使用Sn95Sb5焊料在FR4印制板上焊接0805片式电容,焊点在高温时效测试和温度循环过程中均表现出较高的剪切强度,焊点界面连续且完整,剪切强度下降的最大幅度不超过19.2%。Sn95Sb5焊料在ENIG镀层表面形成的焊点(Sn95Sb5/ENIG焊点)强度更高。Sn95Sb5焊料在ENEPIG镀层表面形成的焊点(Sn95Sb5/ENEPIG焊点)界面反应更为复杂,在焊点界面附近可观察到条块状的(Pd,Ni,Au) Sn4。Sn95Sb5/ENEPIG焊点界面的金属间化合物层平均厚度约为Sn95Sb5/ENIG焊点界面的2倍。

应用于封装凸块的亚硫酸盐无氰电镀金工艺

[目的]在工业可持续发展战略下,环保无氰电镀金技术正逐步替代传统氰化物电镀金技术,并在微电子封装领域中得到推广应用。[方法]针对液晶驱动芯片封装晶圆电镀金凸块工艺制程,开发出一种新型亚硫酸盐无氰电镀金配方和工艺。[结果]自研无氰电镀金药水中添加了有机膦酸添加剂和晶体调整剂,前者能够充分抑制镍金置换,后者有助于形成低应力的等轴晶组织,可避免施镀过程中国产光刻胶挤出变形现象。该自研无氰电镀金工艺应用于晶圆时可获得微观表面平整均匀和无缺陷的金凸块。[结论]该自研无氰电镀金工艺能够满足晶圆级封装的要求,具备很好的推广应用潜力。

激电中梯测量在青海省某地区铜镍及金矿勘查中的应用

通过在青海省茫崖市牛鼻子梁地区开展激电中梯测量,本文在综合分析以往资料的基础上,利用1:5000激电剖面确定铜镍成矿有利地段,并进行钻探验证。进一步认识该矿区各类岩(矿)石的电性特征及分布情况,了解测区内激电异常在平面的分布规律及展布情况。经过成果资料整理及分析,结合激电异常分析研究,工区内共圈定出JDⅠ、JDⅡ两条激电异常带,JDⅠ异常带规模较大,东西长度约为600m,南北长度约600m。JDⅡ异常规模较小,异常长度约为400m,宽度约为100m。大致查明了工区内激电异常分布特征为:北部的极化率较低,南部的极化率相对较高,工区西南部的激电异常优于工区东部的激电异常。

基于ENEPIG镀层的无压纳米银膏烧结失效分析

总结了在化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层上采用纳米银膏进行无压烧结时出现的失效模式。通过分析烧结镀层的微观形貌及力学性能,确认界面污染、烧结不充分及镀层缺陷是导致烧结失效的主要原因。应特别关注镍原子向镀层表面扩散导致的烧结失效风险。为保证烧结质量的稳定性和可靠性,需要充分重视界面的洁净度,对芯片、基板的存储条件和存储寿命实施严格管控,还需要优化烧结曲线,充分考虑溶剂释出所需时间、烧结峰值温度及其停留时间、降温速率等因素。研究结果为纳米银膏的无压烧结研究提供了新的理论参考。

OSP前处理微蚀对镀镍金悬垂的腐蚀能力研究

电子设备中带有连接插头的印制电路板设计有多种混合表面处理,其中插头镀金+OSP工艺较为常见。在此类电路板做OSP之前,通常需要将插头镀金区域用高温胶带覆盖,防止微蚀前处理药水腐蚀插头部位的镍金悬垂,此操作需要贴胶带和撕胶带,不仅影响生产效率,也增加了生产成本。经过研究不同体系的微蚀药水对镍金悬垂的腐蚀能力,优化了微蚀前处理配方,使得插头镀金板做OSP时不用贴胶带,因此提升了生产效率。

基于有机基板的化学镍钯浸金工艺应用与测评

有机基板被广泛应用于电子封装领域,常见的表面处理工艺包括电镀镍金、化学镍金、浸锡、浸银等工艺。在众多表面处理工艺中,化学镍钯浸金工艺因其具有较好的综合性能展现出显著优势。化学镍钯浸金工艺是在化学镍金工艺的基础上增加化镀钯处理,采用该工艺先对基板表面进行化镀镍处理,再进行化镀钯处理,最后完成化学浸金处理。钯镀层可以防止金在沉积过程中腐蚀镍镀层以及阻挡镍向金属间化合物(IMC)层扩散。利用X-Ray、电子扫描显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)等图像分析方法,对比了不同厂商的化学镍钯浸金镀层的厚度、微观形貌及质量,结果表明,平整且致密的钯镀层可以有效避免镍腐蚀现象。

不同镍钛器械在磨牙弯曲根管中的应用效果比较

目的探析Waveone Gold、Protaper、MTwo及Reciproc 4种不同镍钛器械在磨牙弯曲根管中的应用效果。方法收集100颗弯曲离体磨牙,采用随机数字表法分为五组,分别使用Waveone Gold、Protaper、Reciproc、MTwo和不锈钢K锉进行根管预备。比较五组根管预备效果及相关并发症、根管偏移量、根管充填效果。结果五组根管预备时间比较,差异有统计学意义(P<0.05),以Waveone Gold组根管预备时间最短;五组台阶形成发生率比较,差异有统计学意义(P<0.05),五组根管侧穿、器械折断发生率比较,差异无统计学意义(P>0.05)。五组2mm、4mm及6mm垂直平面根管偏移量较小,差异有统计学意义(P<0.05),以Waveone Gold组根管偏移量最小。五组超充率比较,差异无统计学意义(P>0.05)。五组恰充及欠充率比较,差异有统计学意义(P<0.05),其中Waveone Gold组、Reciproc组恰充率均高于对照组,欠充率均低于对照组(P<0.05)。结论磨牙弯曲根管应用镍钛器械可缩短根管预备时间,相关并发症少、根管偏移量小、根管充填效果佳,尤以Waveone Gold具有明显优势。

电子封装外壳均匀性及差异性电镀方案设计

介绍了电子封装外壳均匀性及差异性电镀的设计方案。通过旋转电镀实现电子封装外壳镀层均匀性的要求,采用双电源方式实现封装外壳镀层差异性的要求。

LTCC基板金锡焊接的返修过程质量控制

低温共烧陶瓷(LTCC)基板与硅铝壳体的一体化烧结在航天T/R组件领域具有成熟而广泛的应用,但在实际生产中不可避免地存在因组件性能不达标而需要返修LTCC基板的情况。本文对LTCC基板的金锡返修焊接进行失效分析,指出在多个基板紧密贴合的组件中,各LTCC基板的间距应大于0.1 mm;对于需返修焊接的硅铝壳体,推荐采用化学镍+电镀镍的工艺制备镍层,并且电镀镍层的厚度应大于2μm。

接插件端子卷对卷连续选择性点镀金工艺

介绍了不锈钢接插件端子卷对卷连续选择性点镀金工艺,主要工序包括(电)化学除油、(电)化学浸蚀、冲击镀镍、氨基磺酸镀镍、预浸蚀、柠檬酸浸蚀、电镀金和退镀金。重点介绍了阴极电化学浸蚀、冲击镀镍和预浸蚀对电镀层结合力的影响,氨基磺酸镍对电镀层耐蚀性的影响,以及高速喷射点镀金对金层尺寸和厚度的影响。采用该工艺所得镀金层的尺寸和厚度满足高精度的要求,结合力和耐蚀性良好。

湿法预处理-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定低冰镍的金、银、铂、钯含量

本试验采用硝酸和硫酸进行预处理,去除低冰镍中的铜、镍等元素,再使用火试金法富集低冰镍中的贵金属并去除杂质,之后采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定金、银、铂和钯的含量。试验结果表明,该方法可以获得较低的检出限和较宽的检测范围,铜在预处理中已经去除,减少氧化铅的用量,同时实现多种元素的检测,满足大称样量的检出要求。

化学镀镍/金中铜镍分离的影响因子

讨论了铜镍分离的影响因子,通过交叉对比不同的微蚀、化金药水体系及硫酸来料的影响,对生产过程中所带来的污染源进行试验,最终确定生产过程中带入的污染源导致不同程度的分离问题。通过有效措施进行管控,杜绝了化金线的铜镍分离,并对化金线的铜镍分离问题提供了有效的改善方向。

云南墨江县金厂金镍矿成矿规律及找矿远景

金厂金镍矿床位于特提斯成矿域哀牢山Au-Cu-Mo-Cr矿带,华力西-印支早期形成。九甲-安定深大断裂(F 3)中基性-超基性岩体侵位为主要的矿质来源,矿体分布于金厂岩体底部内外触带,主要成矿元素Au、Ni,次要成矿元素Co、Se、Ag、Ga、Te、PGE等,矿床成因类型为“复成金镍多金属矿床”(熔离-贯入作用+改造+迭生)。

不同往复运动单支镍钛锉根管预备后预备效率、根尖碎屑推出量及牙根微裂情况比较的体外研究

目的:比较Waveone Gold与Reciproc Blue两种往复运动单支镍钛锉根管预备后的预备效率、根尖碎屑推出量及牙根微裂情况。方法:选取由于正畸减数拔牙需要,拔除的根尖发育成熟的60颗离体下颌前磨牙为研究对象。按照根管预备方法不同将60颗离体牙分为Waveone Gold组与Reciproc Blue组,每组各30颗。比较两组预备时间、根管弯曲度、根尖碎屑推出量、牙根微裂发生情况及中心定位能力。结果:Waveone Gold组根管预备时间较Reciproc Blue组减少(P<0.05)。预备后,两组根管弯曲度略低于预备期前,但差异无统计学意义(P>0.05)。两组根尖碎屑推出量比较,差异无统计学意义(P>0.05)。Waveone Gold组、Reciproc Blue组分别有5颗、3颗牙出现裂纹,均为不完全裂,Reciproc Blue组牙根微裂发生率略低于Waveone Gold组,但差异无统计学意义(P>0.05)。两组在在距离根尖2、4、6 mm测量点处的轴中心率比较,差异均无统计学意义(P>0.05)。结论:Waveone Gold与Reciproc Blue两种往复运动单支镍钛锉进行根管预备均可较好保持根管的原始形态,且均具备良好的中心定位能力,但Waveone Gold的预备时间更短。

铜电镀方式对镍钯金表面打线键合性能的影响

铜电镀方式不同,基铜衍射峰强度、晶面取向也会存在差异。在化学镀镍钯金时,不同铜电镀方式会影响金镀层的性能,从而对印制电路板(PCB)键合性能产生影响。通过研究垂直连续电镀、水平直流电镀和水平脉冲电镀3种电镀方式,分析不同电镀方式的基铜衍射峰强度、晶面取向、金面粗糙度、表面能对键合性能的影响。结果表明:基铜采用垂直连续电镀,铜镀层朝(111)晶面择优取向;金面粗糙度Ra为0.227μm、Rz为2.046μm;表面自由能为42.864 mN/m;金线拉力测试达到9.17 g,优于水平直流电镀与水平脉冲电镀。

光电化学除草剂检测系统设计

我国农作物生产中化学除草剂被广泛使用,但除草剂的残留会威胁人们的生命健康。基于纳米技术和光电化学技术,研制的Au/ZnO/Co_(3)O_(4)/NF纳米复合材料除草剂残留传感器具有灵敏度高、检测限低等特点,以Au/ZnO/Co_(3)O_(4)/NF纳米复合材料除草剂残留传感器电极为基础,结合嵌入式技术设计的传感器样机成本低、制作工艺简便、操作简单,为新型光电化学除草剂残留传感器的研制提供了很好的研究案例,有一定的科研和应用价值,特别是在农业领域具有较大的应用前景。

P对Au／Ni／Cu焊盘与SnAgCu焊点焊接界面可靠性的影响

采用回流焊工艺在ENIG镀层印制电路板上组装289I/Os无铅Sn-3.0Ag-0.5Cu球栅阵列封装器件,对封装后的电路板进行随机振动可靠性试验,采用X-Ray、SEM和EDX等测试确定焊点在随机振动试验过程中的失效机制,探讨焊点沿界面失效与镀层内P元素的分布和含量的关系。在振动试验中失效和未失效的BGA焊点与镀层界面表现出类似的微观形貌,Ni层因被氧化腐蚀而在焊点截面形貌上出现"缺齿"痕迹,而在表面形貌图上此呈现黑色的氧化腐蚀裂纹。P在镀层表面的聚集对Ni的氧化腐蚀有促进作用,同时P的聚集也明显降低焊点结合界面的机械强度。Ni层的氧化和Ni层表面P元素的聚集是引发焊点沿焊点/镀层结合界面开裂的主要原因。