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Improving the fatigue endurance of lead zirconate titanate thin films through PbO interfacial modification
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作者 LEI Rong REN Yanbo +4 位作者 QIAO Lijie GU Hongwei YUE Zhenxing XIE Dan CAO Jiangli 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期68-71,共4页
The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.T... The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.The grain size and the surface roughness of the PZT films increased through PbO interfacial modification.Moreover,the PZT films with PbO interfacial modification had a better crystallographic structure and no evident secondary phases were observed.While the remanent polarization and dielectric constant were reduced,the fatigue endurance was improved.Based on the results,the mechanism for the fatigue endurance improvement was discussed. 展开更多
关键词 ferroelectric thin films FATIGUE lead zirconate titanate chemical modification lead oxide
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FABRICATION OF PIEZOELECTRIC BIMORPH USING LEAD ZIRCONATE TITANATE THIN FILM DEPOSITED BY HYDROTHERMAL METHOD
2
作者 DU Liqun Lü Yan +1 位作者 DONG Weijie GAO Xiaoguang 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第6期5-8,共4页
In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTi... In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTiOJPbZrO3 in LZT is 53/47, which is around morphotropic phase boundary (MPB). LZT film is composed of cubic particles with the average size of 5 ~ma. Density of thin film is figured out through the datum measured in experiments. The displacement model used to analyze the driving ability of bimorph is set up, and the effect of elastic intermediate layer is taken into account. Piezoelectric coefficient of LZT film is worked out by using the displacement model. Experiments of driving ability show that deformation of bimorph free end does not increase with times of crystal growth processes and the maximum deformation is obtained after two times crystal growth processes. Finally, the ferroelectric property of the bimorph is investigated and coercive voltage of the bimorph is obtained. 展开更多
关键词 Piezoelectric bimorph lead zirconate titanate (LZT) film Hydrothermal method
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PZT薄膜微图形的制作精度的研究 被引量:8
3
作者 刘秦 林殷茵 +2 位作者 吴小清 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期411-413,共3页
采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高... 采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高保真的从掩膜到薄膜的图形转移,晶粒团聚区域的尺寸基本决定了图形转移的误差。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 薄膜 刻蚀 微观结构 PZT
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高取向度PZT铁电薄膜的研制 被引量:6
4
作者 王西成 曹伟 +1 位作者 田杰 莫小洪 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期16-18,共3页
用无机盐替代锆的醇盐,通过Sol-Gel方法,合成均匀、稳定的PZT溶胶。采用Pt/Ti/SiO2/Si基片并加入PT过渡层,经快速热处理,制备出沿(100)高度定向的PZT陶瓷薄膜,此薄膜具有良好的铁电性能。
关键词 锆钛酸铅 溶胶-凝胶 铁电薄膜 薄膜
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新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究 被引量:6
5
作者 夏冬林 刘梅冬 +3 位作者 曾亦可 李军 黄焱球 刘少波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1156-1160,共5页
采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.S... 采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂 纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度 是25μC/cm2.矫顽场是40kV/cm. 展开更多
关键词 sol-gel技术 介电性能 铁电性能 铁电陶瓷 PZT铁电厚膜 制备 溶胶-凝胶方法
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PZT薄膜的MOD制备及形成机理研究 被引量:7
6
作者 包定华 张良莹 姚熹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期592-597,共6页
采用金属有机物热分解(MOD)工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜.XRD分析显示薄膜结晶状况良好,无焦绿石相存在.AES测量表明:薄膜成分沿膜厚均匀分布,膜中无碳存在,表面不富含铅.分析... 采用金属有机物热分解(MOD)工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜.XRD分析显示薄膜结晶状况良好,无焦绿石相存在.AES测量表明:薄膜成分沿膜厚均匀分布,膜中无碳存在,表面不富含铅.分析了薄膜的形成机理,定性地解释了晶粒的生长过程. 展开更多
关键词 锆钛酸铅薄膜 热分解 MOD 铁电薄膜 PZT 陶瓷
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PZT铁电厚膜声纳换能器阵列的研制 被引量:6
7
作者 夏冬林 刘梅冬 +2 位作者 曾亦可 陈实 赵修建 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期196-199,共4页
对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究。最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,为进一步研制PZT厚膜声纳换能器打下了良好的基础。
关键词 锆钛酸铅(PZT) 铁电厚膜 铁电声纳换能器 湿法化学刻蚀
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PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究 被引量:6
8
作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 赵修建 周学东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期354-360,共7页
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单... 以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 PZT铁电薄膜 电性能 PT种子层 SOL-GEL法 热处理 电滞回线 I-V特性 介电常数
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采用MOD工艺制备PZT铁电薄膜及其性能 被引量:2
9
作者 张之圣 李霄云 +1 位作者 陈金亭 刘如净 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 2000年第3期378-381,共4页
研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3铁电薄膜的工艺及 PZT薄膜的介电性能 .利用 XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的 PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相的形成 .薄膜的介电温谱研究... 研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3铁电薄膜的工艺及 PZT薄膜的介电性能 .利用 XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的 PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相的形成 .薄膜的介电温谱研究结果表明 ,薄膜的居里温度约为 430℃ (1 k Hz) 展开更多
关键词 金属有机化合物 锆钛酸铅 铁电薄膜 MOD工艺
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硅基PZT压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究 被引量:2
10
作者 娄利飞 杨银堂 +1 位作者 李跃进 张萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期778-782,共5页
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细... 对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细的实验研究,最后成功地制备出硅基PZT压电薄膜微传感器样品.这对集成化芯片系统的进一步发展打下了良好的实验基础. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 压电薄膜 微传感器 湿法化学刻蚀
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用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化 被引量:3
11
作者 娄利飞 杨银堂 李跃进 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第4期453-455,共3页
采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜,为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶。首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL... 采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜,为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶。首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL:4drops(4滴HF溶液)配比的腐蚀液在室温下对未结晶的PZT压电薄膜进行了湿法腐蚀微细加工;然后,对图形化好的压电薄膜进行再结晶的热处理,实验结果表明这种方法可用于压电薄膜微器件的制备。 展开更多
关键词 锆钛酸铅(PZT) 压电薄膜 微传感器 湿法化学刻蚀
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电泳沉积法制备PZT厚膜及其性能 被引量:4
12
作者 张瑞芳 张和平 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1486-1490,共5页
用电泳沉积技术制备了约70μm的PZT[Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O3]厚膜,分析了zeta电位、粘度及电泳沉积速率对PZT悬浮液的稳定性和电泳沉积质量的影响,并研究了烧结后PZT厚膜的结构和电学性能。实验结果表明:在pH=5.5~6.5时,悬浮液的... 用电泳沉积技术制备了约70μm的PZT[Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O3]厚膜,分析了zeta电位、粘度及电泳沉积速率对PZT悬浮液的稳定性和电泳沉积质量的影响,并研究了烧结后PZT厚膜的结构和电学性能。实验结果表明:在pH=5.5~6.5时,悬浮液的zeta电位高达50 mV以上,此时悬浮液分散性好、粘度低,有最佳的沉积速率(≈31mg·cm^(-2)·min^(-1))和高达51%的相对沉积密度。在此条件下制备出的PZT膜厚均匀一致,无裂纹,经1 000℃保持30min烧结后,在1 kHz下测量得PZT厚膜的介电常数为1 050,介电损耗约为0.05,饱和极化值为20μC/cm^2,剩余极化值为12.9 μC/cm^2,矫顽场强为10.5 kV/cm。 展开更多
关键词 电泳沉积 锆钛酸铅厚膜 悬浮液 PH值 ZETA电位
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掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响 被引量:3
13
作者 王国强 刘红日 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期299-302,共4页
采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备了Pb(Zrx,Ti1-x)O3(PZT)与PbCoy(Zrx,Ti1-x)O3(PC-ZT)铁电薄膜,实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响.不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Pr=14.05μC/cm2,矫顽场Ec=26.35kV/cm,而钴的掺... 采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备了Pb(Zrx,Ti1-x)O3(PZT)与PbCoy(Zrx,Ti1-x)O3(PC-ZT)铁电薄膜,实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响.不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Pr=14.05μC/cm2,矫顽场Ec=26.35kV/cm,而钴的掺杂有效地提高了PZT薄膜的剩余极化强度,当掺杂钴达到12%时,Pr=36.26μC/cm2,矫顽场减小.同时,掺杂钴增强了PZT薄膜的介电性能并且减少了漏电流. 展开更多
关键词 铁电薄膜 锆钛酸铅 电性能 溶胶-凝胶法
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压电微能量采集器PZT厚膜制备及其图形化研究 被引量:1
14
作者 唐刚 刘景全 +2 位作者 杨春生 柳和生 李以贵 《真空》 CAS 北大核心 2011年第2期19-21,共3页
采用环氧树脂作为中间层的真空键合技术实现体材PZT与硅片键合,再利用机械化学抛光方法将PZT减薄到适当的厚度制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Epoxy/Ag/PZT/Cr/Cu形式的压电能量采集器悬臂梁结构。基于半导体光刻技术,通过湿法... 采用环氧树脂作为中间层的真空键合技术实现体材PZT与硅片键合,再利用机械化学抛光方法将PZT减薄到适当的厚度制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Epoxy/Ag/PZT/Cr/Cu形式的压电能量采集器悬臂梁结构。基于半导体光刻技术,通过湿法化学刻蚀和切片两种方法实现了PZT厚膜图形化问题,为基于体材PZT厚膜的高性能压电能量采集器的研制打下了良好的基础。 展开更多
关键词 压电能量采集器 真空键合 PZT(锆钛酸铅)厚膜 湿法化学刻蚀 振动
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铁电薄膜退火方法的研究 被引量:1
15
作者 田雪雁 徐征 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期807-808,共2页
以锆钛酸铅薄膜(PZT)为例,分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法。针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题,分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较。激光... 以锆钛酸铅薄膜(PZT)为例,分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法。针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题,分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较。激光低温退火技术有望成功地在未来应用PZT铁电薄膜制作组件时,增加其制备工艺设计的弹性和可行性。 展开更多
关键词 锆钛酸铅薄膜 普通退火 快速退火 激光退火
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ITO衬底上PZT膜的性能研究 被引量:1
16
作者 陈汉松 李金华 李坤 《江苏石油化工学院学报》 1999年第3期48-51,共4页
用Sol- Gel 锆钛酸铅(PZT) 溶胶, 在CVD 法沉积生成的掺锡氧化铟(ITO) / 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火(RTA) 处理后, 用X 射线衍射(XRD) 测试了膜的结晶取向, 用RT66A 测试了膜的电... 用Sol- Gel 锆钛酸铅(PZT) 溶胶, 在CVD 法沉积生成的掺锡氧化铟(ITO) / 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火(RTA) 处理后, 用X 射线衍射(XRD) 测试了膜的结晶取向, 用RT66A 测试了膜的电学性能。结果表明, Sol- Gel PZT膜在CVD 法生长的ITO 衬底上能正常结晶, 但结晶温度比在Pt 衬底上略高, 结晶取向以< 110 > 为主取向。ITO 衬底上厚度为0-64 μm 的PZT 膜的漏电约为5 ×10 - 7 A/m m2 , 比Pt 衬底上高不到一个数量级。8 V 时膜的有效介电常数Kef 约1 380 , 剩余极化强度Pr= 13 μC/cm2 , 与Pt 衬底上无明显差别。CVDITO/ 玻璃衬底可取代昂贵的Pt 衬底作铁电薄膜的性能研究。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 掺锡氧化铟 铁电薄膜 衬底 ITO 薄膜
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钇掺杂锆钛酸铅铁电薄膜的电性能研究
17
作者 陈实 刘梅冬 +2 位作者 李楚容 曾亦可 陈磊 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期54-56,共3页
对采用 Sol- Gel法制备的钇掺杂锆钛酸铅铁电薄膜的电性能进行了研究。实验结果表明 ,由于钇离子(Y3+ )的引入造成晶格畸变 ,使掺钇后的 PZT铁电薄膜比未掺钇时具有更大的剩余极化强度、更小的矫顽场和漏电流。此外 ,钇掺杂锆钛酸铅铁... 对采用 Sol- Gel法制备的钇掺杂锆钛酸铅铁电薄膜的电性能进行了研究。实验结果表明 ,由于钇离子(Y3+ )的引入造成晶格畸变 ,使掺钇后的 PZT铁电薄膜比未掺钇时具有更大的剩余极化强度、更小的矫顽场和漏电流。此外 ,钇掺杂锆钛酸铅铁电薄膜具有良好的介电性能 ,在室温和 10 k Hz频率下 ,其介电常数和介电损耗分别为 4 37和 0 .0 4 展开更多
关键词 铁电薄膜 钇掺杂锆钛酸铅 电性能
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热处理对不加热ITO/玻璃基底上沉积的PLZT铁电薄膜结构转变的影响
18
作者 蒋生蕊 王君 魏智强 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期30-35,共6页
采用射频磁控溅射技术在不加热ITO/玻璃衬底上制备了PLZT( 9/ 5 2 / 48)铁电薄膜 .X射线衍射分析表明溅射气氛中φ(O2 )∶φ(Ar)为 3∶7的膜在PbO保护下 ,6 2 5℃热处理 15 0min后完全形成钙钛矿相的PLZT ,不存在第 2相 ,介电常数ε为 1... 采用射频磁控溅射技术在不加热ITO/玻璃衬底上制备了PLZT( 9/ 5 2 / 48)铁电薄膜 .X射线衍射分析表明溅射气氛中φ(O2 )∶φ(Ar)为 3∶7的膜在PbO保护下 ,6 2 5℃热处理 15 0min后完全形成钙钛矿相的PLZT ,不存在第 2相 ,介电常数ε为 12 2 4.XPS表面成分分析及深度分析表明 :PbO保护气氛中热处理不仅可以防止失铅 ,而且还可以弥补在制膜过程中失去的铅 .用改进的Sawyer -Tower电路测量了薄膜的电滞回线 ,并获得剩余极化强度为 17.7μC/cm2 、矫顽场为 2 4. 展开更多
关键词 锆钛酸铅镧铁电薄膜 结构转变 热处理 ITO 玻璃基底 沉积 PLIT
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制备PbZr_(1-x)Ti_xO_3薄膜用的水溶剂溶胶
19
作者 郝俊杰 徐廷献 季惠明 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期72-74,共3页
以硝酸锆、醋酸铅和钛酸丁酯为原料制备了适用于制备锆钛酸铅(PbZr1-xTixO3,PZT)薄膜的水溶剂溶胶。实验中使用柠檬酰胺为络合剂,首先与钛酸丁酯络合,形成稳定的水溶剂溶液,再与硝酸锆和醋酸铅水溶液按一定比例混合后形成前驱体溶液;在... 以硝酸锆、醋酸铅和钛酸丁酯为原料制备了适用于制备锆钛酸铅(PbZr1-xTixO3,PZT)薄膜的水溶剂溶胶。实验中使用柠檬酰胺为络合剂,首先与钛酸丁酯络合,形成稳定的水溶剂溶液,再与硝酸锆和醋酸铅水溶液按一定比例混合后形成前驱体溶液;在此前驱体溶液中加入乙二醇为交联剂,通过酯化反应聚集成溶胶。通过红外光谱分析了溶胶形成过程中的变化,结果表明该水溶剂溶胶适用于制备PZT铁电薄膜材料。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 铁电薄膜 锆钛酸铅 络合
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掺锡氧化铟基底上锆钛酸铅铁电薄膜的制备与表征
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作者 刘爽 吴亚雷 +3 位作者 许晓慧 文莉 黄文浩 褚家如 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2007年第4期327-330,共4页
用溶胶-凝胶工艺在掺锡氧化铟导电氧化物基底上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.采用快速热处理工艺改进铁电薄膜的晶格取向,用X射线衍射仪分析了薄膜的结晶取向,分别基于Al/PZT/ITO,ITO/PZT/ITO电容结构利用Sawyer-Tower电路原理测试了薄... 用溶胶-凝胶工艺在掺锡氧化铟导电氧化物基底上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.采用快速热处理工艺改进铁电薄膜的晶格取向,用X射线衍射仪分析了薄膜的结晶取向,分别基于Al/PZT/ITO,ITO/PZT/ITO电容结构利用Sawyer-Tower电路原理测试了薄膜的铁电性能.结果表明,在磁控溅射法生长的ITO表面能够制备出具有钙钛矿结构的(110)取向的PZT铁电薄膜,所得薄膜的相对介电常数达到1000,剩余极化强度Pr达到和Pt基底上接近的15.2 uc/cm2,矫顽场强Ec达到70.8 kV/cm.并且利用TF Analyzer 2000铁电分析仪测试了PZT铁电薄膜的疲劳特性,发现ITO底电极上PZT薄膜经过108次反转后,剩余极化强度仅下降15%.研究表明:磁控溅射法制备的掺锡氧化铟透明导电薄膜ITO可以作为铁电薄膜的上下电极. 展开更多
关键词 铁电薄膜 电学性能 掺锡氧化铟 疲劳特性
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