期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
A review on polishing technology of large area free-standing CVD diamond films 被引量:1
1
作者 ZHANG Pingwei TONG Tingting LI Yifeng 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2019年第6期53-61,共9页
Recently,with the rapid development of chemical vapor deposition(CVD)technology,large area free-standing CVD diamond films have been produced successfully.However,the coarse grain size on the surface and the non-unifo... Recently,with the rapid development of chemical vapor deposition(CVD)technology,large area free-standing CVD diamond films have been produced successfully.However,the coarse grain size on the surface and the non-uniform thickness of unprocessed CVD diamond films make it difficult to meet the application requirement.The current study evaluates several existing polishing methods for CVD diamond films,including mechanical polishing,chemical mechanical polishing and tribochemical polishing technology. 展开更多
关键词 large area free-STANDING CVD DIAMOND FILMS MECHANICAL polishing chemical MECHANICAL polishing tribochemical polishing technology
下载PDF
化学机械抛光技术研究现状与展望 被引量:14
2
作者 张健 史宝军 +1 位作者 杜运东 杨廷毅 《山东建筑大学学报》 2009年第2期168-174,共7页
化学机械抛光技术几乎是迄今唯一可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化。本文综述了CMP的技术原理和CMP设备及消耗品的研究现状,指出了CMP急待解决... 化学机械抛光技术几乎是迄今唯一可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化。本文综述了CMP的技术原理和CMP设备及消耗品的研究现状,指出了CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光 平整化 表面微加工 无颗粒抛光
下载PDF
超厚氧化皮铜及铜合金零件的表面处理 被引量:3
3
作者 张来祥 谢洪波 +2 位作者 李荣忠 杨玉业 颜世军 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2004年第3期9-12,共4页
 铜及铜合金制品经高温氧化后氧化皮过厚,进行化学抛光处理难度较大。研制出易于操作的低污染快速脱膜-低污染化学抛光-无铬高效钝化工艺。介绍了以上三道工序的规范、溶液配置及维护、工艺条件的影响。该工艺用于超厚氧化皮铜及铜合...  铜及铜合金制品经高温氧化后氧化皮过厚,进行化学抛光处理难度较大。研制出易于操作的低污染快速脱膜-低污染化学抛光-无铬高效钝化工艺。介绍了以上三道工序的规范、溶液配置及维护、工艺条件的影响。该工艺用于超厚氧化皮铜及铜合金零件表面处理,效果较好。 展开更多
关键词 铜及铜合金零件 超厚氧化皮 脱膜 化学抛光 无铬钝化
下载PDF
铝合金化学抛光机理及无磷工艺的研究现状 被引量:1
4
作者 刘晓辉 李鑫庆 欧阳贵 《电镀与环保》 CSCD 北大核心 2017年第3期56-58,共3页
较为全面地总结了酸性化学抛光及碱性无磷抛光的机理,对铝合金无磷化学抛光工艺进行了综述,并指出今后的研究方向。
关键词 无磷 化学抛光 铝合金 机理
下载PDF
无烟黄铜化学抛光实用技术 被引量:1
5
作者 李贤成 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期57-58,共2页
介绍了影响无烟黄铜化学抛光的因素,列出了符合清洁生产要求的无烟黄铜化学抛光工艺。
关键词 化学抛光 无烟 硝酸盐 抛光剂
下载PDF
单晶蓝宝石基片抛光工艺研究进展 被引量:3
6
作者 陈刚 肖强 《工具技术》 2018年第3期3-9,共7页
对目前抛光单晶蓝宝石基片的工艺方法,如游离磨料磨削、金刚石砂轮磨削、在线电解修整磨削(ELID)、化学机械抛光(CMP)、固结软磨料抛光、磁流变抛光(MRF)、超声振动辅助磨削的加工原理、方法和特点进行综述。分析了各方法的优势和不足... 对目前抛光单晶蓝宝石基片的工艺方法,如游离磨料磨削、金刚石砂轮磨削、在线电解修整磨削(ELID)、化学机械抛光(CMP)、固结软磨料抛光、磁流变抛光(MRF)、超声振动辅助磨削的加工原理、方法和特点进行综述。分析了各方法的优势和不足以及最新研究成果存在的关键问题。其中游离磨料磨削、在线电解修整磨削、金刚石砂轮磨削的材料去除速率较高,化学机械抛光是抛光大面积基片的唯一方法,磁流变抛光后的基片表面不存在亚表面损伤。根据单晶蓝宝石基片的应用需求和目前抛光方法的不足,对后续研究的方向进行了预测。 展开更多
关键词 单晶蓝宝石 游离磨料磨削 化学机械抛光 磁流变抛光 ELID磨削 超声振动辅助磨削
下载PDF
酸性环境下GaN晶圆的化学机械抛光工艺研究 被引量:1
7
作者 孔秦浩 罗晓菊 王现英 《广东化工》 CAS 2021年第8期4-8,共5页
本文详细研究了4英寸自支撑GaN晶圆的化学机械抛光(CMP)工艺。使用硅溶胶抛光液,以NaClO为氧化剂,详细研究了不同工艺参数,包括压力、抛光盘转速、抛光液流量、NaClO浓度和抛光液p H值对GaN CMP工艺的材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Sa)... 本文详细研究了4英寸自支撑GaN晶圆的化学机械抛光(CMP)工艺。使用硅溶胶抛光液,以NaClO为氧化剂,详细研究了不同工艺参数,包括压力、抛光盘转速、抛光液流量、NaClO浓度和抛光液p H值对GaN CMP工艺的材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Sa)的影响。研究发现,无论是影响化学作用的因素,还是影响机械作用的因素,都对MRR有着极大的影响。在优化的工艺条件下(压力为50 kPa、抛光头转速为60 rpm、抛光盘转速为100 rpm、流量为40 mL/min、抛光液pH为4.0、氧化剂浓度为3 vol.%),最大材料去除率为1.07μm/h。在10μm×10μm的区域内,抛光后的平均表面粗糙度为0.109 nm。 展开更多
关键词 GAN NACLO 化学机械抛光 工艺参数 材料去除率 平均粗糙度
下载PDF
铝和铝合金表面处理新动向 被引量:5
8
作者 朱玲 《轻合金加工技术》 CAS 北大核心 1999年第1期10-12,共3页
结合当前市场情况,介绍了铝和铝合金表面处理行业的新工艺,它包括无黄烟抛光工艺、宽温快速阳极氧化工艺、砂面处理工艺、彩色着色与染色工艺、耐碱增光封闭工艺。
关键词 无黄烟抛光 阳极氧化 铝合金 表面处理 建筑材料
下载PDF
Slurry and processing technique of CLBO crystal
9
作者 王胜利 刘玉岭 +1 位作者 牛新环 檀栢梅 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2006年第B02期692-695,共4页
CsLiB6O10(CLBO) is a new-type nonlinear optical crystal material. CLBO has many good performances, especially the frequency multiplication performance in deep ultraviolet band. CLBO has important application prospect ... CsLiB6O10(CLBO) is a new-type nonlinear optical crystal material. CLBO has many good performances, especially the frequency multiplication performance in deep ultraviolet band. CLBO has important application prospect on solid-state UV laser, broad band tunable laser and laser nucleus flame igniter. Though, CLBO will be air slaking and cracking when the ambient humidity is more than 40%, which brings more difficult on CLBO surface finishing. According to the performance and structure characteristic of CLBO crystal, a new water-free slurry applying for CLBO crystal chemical mechanical polishing(CMP) was investigated. The abrasive is SiO2. The influence of polishing processing parameter on polishing process for CLBO crystal was discussed, and the parameter optimal value of polishing plate speed, pressure, pH value and abrasive concentration were determined. Through such parameters, high efficiency and precision plane polishing was gotten. The CLBO CMP process was studied, the results show that low pressure and high speed can improve the CLBO crystal surface removal rate and flatness. 展开更多
关键词 CsLiB6O10晶体 无水浆料 加工技术 化学机械抛光
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部