193nm光致抗蚀剂用新型阻溶剂的合成及性能研究

以松香酸为主原料合成了适用于193nm光致抗蚀剂的新型阻溶促溶剂,并对其热稳定性、成像性质等进行了研究。结果表明:新型阻溶剂不仅具有良好的热稳定性和阻溶促溶作用,而且在193nm具有良好的透明性,可以应用于193nm光刻胶工艺。

一种新型的193nm光致抗蚀剂用光产酸剂的性质分析

合成了几种N-羟基马来海松酸酰亚胺磺酸酯,它们在常用的溶剂中有良好的溶解性,且具有良好的热稳定性。以聚乙二醇做成膜树脂,测定了这些化合物在膜层中的紫外吸收强度,表明它们在193nm处具有适当的吸收和良好的透明性。以254nm低压汞灯作曝光光源,研究了这些化合物的光解性质和成像性质。

248nm光致抗蚀剂成膜树脂研究进展

光致抗蚀剂(photoresist)是制造超大规模集成电路的关键性材料之一,随着集成电路集成度的不断增加,光致抗蚀剂由g线(436nm)胶、i线(365nm)胶,逐渐发展到深紫外(DUV)(248nmKrF与193 nm ArF)胶。成膜树脂作为光致抗蚀剂的主要成分之一,决定了抗蚀剂的主要性能,因此研究成膜树脂具有重要的意义。本文综述了248 nm KrF光致抗蚀剂成膜树脂的研究进展,重点介绍了聚对羟基苯乙烯及其衍生物,并简要介绍了其合成方法及成像机理。