65nm芯片设计和制造中的几个问题

65nm芯片的设计需要采用可制造性设计(DFM)、多种分析方法和团队通力合作的精神;65nm芯片制造工艺需采用193nm浸入式光刻技术、等效离子掺杂技术、原子层沉积技术、低应力CMP工艺及无损伤清洗技术;65nm芯片制造设备需要全自动化和布局微型化等。

45nm芯片铜互连结构低k介质层热应力分析

采用铜互连工艺的先进芯片在封装过程中,铜互连结构中比较脆弱的低介电常数(k)介质层,容易因受到较高的热机械应力而发生失效破坏,出现芯片封装交互作用(CPI)影响问题。采用有限元子模型的方法,整体模型中引入等效层简化微小结构,对45 nm工艺芯片进行三维热应力分析。用该方法研究了芯片在倒装回流焊过程中,聚酰亚胺(PI)开口、铜柱直径、焊料高度和Ni层厚度对芯片Cu/低k互连结构低k介质层应力的影响。分析结果显示,互连结构中间层中低k介质受到的应力较大,易出现失效,与报道的实验结果一致;上述四个因素对芯片低k介质中应力影响程度的排序为:焊料高度>PI开口>铜柱直径>Ni层厚度。

Xilinx放弃与IBM合作生产90nm芯片

PLD供应商赛灵思(Xilinx)最近暗示，它没有计划在IBM微电子生产90nmFPGA，而是将继续依赖台湾地区二的联电(UMC)。

IBM和Xilinx公司准备利用300mm晶圆生产第一个90nm芯片

IBM和赛灵思公司近日宣布双方在合作生产90纳米芯片方面迈出了重要一步,这将可能是全球第一块90纳米芯片。利用IBM公司最先进的基于铜互连的90nm半导体制造工艺技术。

Xilinx推出全球第一款90nm可编程芯片

赛灵思公司(Xilinx,Inc)日前宣布开始提供全球第一款90纳米(nm)可编程芯片。通过充分利用业界最先进的90nm 芯片制造工艺技术,赛灵思公司新推出的90纳米现场可编程门阵列(FPGA)产品达到了无与伦比的性能价格比水平。赛灵思公司与 IBM 和

赛灵思推出全球第一款90nm可编程芯片 PARTAN-3以优越性价比进入大批量应用市场

赛灵思公司日前宣布提供全球第一款90纳米(nm)可编程芯片SPARTAN-3。利用最先进的基于铜互连的90nm半导体制造技术,Spartan-3系列器件的片芯尺寸比130nm技术减小多达805％。这意味着成本可比竞争解决方案节约高达80％。Spartan-3系列中100万门的FPGA器件价格低于20美元,而400万门的FPGA器件则不到100美元。赛灵思公司所采取的同时与IBM和UMC合作的两家制造合作伙伴战略也使赛灵思公司在半导体行业奔向90nm和300mm晶圆制造技术的竞赛中处于前沿。

45nm工艺及材料的最新动态

介绍了45nm芯片、工艺和设备的最新动态。英特尔、TI、IBM、特许、英飞凌和三星都推出了45nm功能芯片。45nm主要工艺包括光刻、应变硅、低k电介质、Cu互连、高k电介质和离子注入等。光刻工艺采用193nmArF/浸没式光刻机。45nm工艺中应变硅技术已步入第三代,它综合采用双应力衬垫、应力记忆和嵌入SiGe层。