封装对905 nm大功率窄脉冲激光发光特性的影响

905 nm大功率窄脉冲激光在激光雷达测距领域有广阔的应用前景。当激光器工作速率逐渐提高时,封装带来的寄生参数对激光器输出特性的影响不容忽略。文章以905 nm边发射激光器为研究对象,在CaN MOSFET驱动下测试并对比导电胶板上芯片(Chips on Board,COB)封装激光器、导电胶同轴(Transistor Outline,TO)封装激光器、金锡同轴封装激光器的功率、波长、脉宽以及寄生电感等数据,得出CaN MOSFET驱动下的导电胶COB封装激光器性能最佳的结论。