ZnO籽晶对ZnO压敏陶瓷微观结构和电性能的影响

本文研究了ＺｎＯ籽晶的制备，探讨了籽晶对ＺｎＯ压敏陶瓷材料微观结构及压敏电压、通流容量、非线性系数等电性能的影响．结果表明，通过掺加ＺｎＯ籽晶，可有效地控制材料中ＺｎＯ晶粒生长和材料微观结构，达到降低材料压敏电压和提高通流容量的目的．

非线性Zn－Bi系压敏瓷料的研究

本文系统地研究了Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３含量及添加籽晶对ＺｎＯ压敏陶瓷体结构和电性能的影响。用Ｘｒａｙ结合高分辨扫描电镜对瓷体结构和相进行了分析；依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了解释。

掺杂Fe_2O_3对氧化锌压敏陶瓷压敏特性的影响

本文研究了分别掺杂微量Fe2O3杂质对ZnO压敏陶瓷的压敏特性的影响。研究结果表明:随Fe2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的压敏电压V1 mA和非线性系数先下降,后升高,最小值出现在Fe2O3摩尔掺杂量为1.00%;并从理论上详细地探讨了产生这些影响的原因。

SiO_(2)掺杂对ZnO-Bi_(2)O_(3)基压敏陶瓷电学性能的影响

在ZnO-Bi_(2)O_(3)-MnO_(2)-Cr2O_(3)基础上掺杂不同含量的SiO_(2),采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构。利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学性能。利用电容-电压特性法测试其晶界参数。结果表明:在频率10 kHz附近时,由于极化跟不上外电场变化,相对介电常数急速下降,同时产生相应的损耗峰。随着SiO_(2)掺杂量的增加,损耗角正切(tanδ)先降低后升高,在掺杂量为0时最高,1.0%(摩尔分数)时最低,SiO_(2)的掺杂明显降低了在10^(5)Hz附近的tanδ值。非线性系数(α)随着SiO_(2)掺杂量的增加先增加后减小,在SiO_(2)掺杂量为1.0%时,样品α值达到43.36,晶界势垒高度φ_(b)在10 kHz时为1.98 eV,施主浓度低至2.97×10^(24)m^(-3),同时漏电流I_(L)为0.31μA/cm^(2)。