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Determination of ohmic/voltage drop and factors influencing anodic overvoltage of carbon anodes in Na_3AlF_6-Al_2O_3 based melts
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作者 李庆余 李劼 +1 位作者 田忠良 张刚 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2003年第3期699-703,共5页
Experimental technique has been inadequate to anodic overvoltage measurements in aluminum electrolysis. To determine its ohmic/voltage drop precisely, a current interruption technique was modified with a high frequenc... Experimental technique has been inadequate to anodic overvoltage measurements in aluminum electrolysis. To determine its ohmic/voltage drop precisely, a current interruption technique was modified with a high frequency digital oscilloscope, current interrupters with fast switching time, an improved cell configuration and a simulation applied to the oscillating potential decay curve. The results show that the technique can give good reproducibility for overvoltage studies. A substantial increase of anodic overvoltage is observed with graphite powder addition, metallic aluminum addition and CO bubbling in the melts. 展开更多
关键词 炼铝 碳阳极 电解 阳极过电压 Na3AlF6-Al2O3 滴定分析 一氧化碳
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A combined computational/experimental study of anode-concerned voltage drop in aqueous primary Mg-air batteries
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作者 Wen Xu Min Deng +5 位作者 Darya Snihirova Linqian Wang Yulong Wu Sviatlana V.Lamaka Mikhail L.Zheludkevich Daniel Hoche 《Journal of Magnesium and Alloys》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第5期1854-1866,共13页
The voltage drop appearing at Mg anode-electrolyte interface is a critical issue for the battery power and energy density of aqueous primary Mg-air batteries.The respective voltage loss is typically assigned to the de... The voltage drop appearing at Mg anode-electrolyte interface is a critical issue for the battery power and energy density of aqueous primary Mg-air batteries.The respective voltage loss is typically assigned to the deposits layer forming on the anode surface during discharge.In this work,we experimentally and computationally investigate the critical factors affecting the voltage drop at Mg anode towards a deeper understanding of the contribution of deposit and its growth.A two-dimensional(2D)mathematical model is proposed to compute the voltage drop of Mg-0.15Ca wt.%alloy(Mg-0.15Ca)by means of a semi-empirical formulas and experiments-based modification model,considering the effect of discharge current density,the negative difference effect(NDE)and surface deposits layer itself.This model is utilized to simulate the discharge potential of the anode at predefined experimental current densities.The computed voltage drop(half-cell voltage)is in good agreement with the experimental value.The applicability of the mathematical model is successfully validated on the second material(namely high-purity Mg). 展开更多
关键词 Aqueous Mg-air battery voltage drop NDE Charge transfer Deposits-related resistances
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Experimental Study of the Voltage Quality of the Low Voltage Distribution Network: Application to the City of Bobo-Dioulasso 被引量:1
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作者 Abdoulaye Zongo Frédéric Ouattara 《Open Journal of Applied Sciences》 CAS 2022年第7期1262-1270,共9页
The electrical energy produced must be consumed at the same time, hence the need to achieve a balance between supply and demand. Therefore, the production, transport, and distribution systems together constitute an el... The electrical energy produced must be consumed at the same time, hence the need to achieve a balance between supply and demand. Therefore, the production, transport, and distribution systems together constitute an electricity network. The distribution networks are designed to deliver energy to consumers. Unacceptable voltage drops are observed in the distribution networks of developing countries such as Burkina Faso. A study was carried out on the distribution network of the city of Bobo-Dioulasso in Burkina Faso. It allowed for experimentation with the “Megger MPQ1000” network analyzer to evaluate the quality of the voltage supplied to households. To this end, tests were carried out in a public distribution station and at a few subscribers in the Sarfalao district of the city of Bobo-Dioulasso. These tests were used to assess the percentage of voltage drops. These values, which are higher than 8% of the nominal voltage, are not regulatory. The load curves of the consumers in the district were also drawn. Indeed, the period of the high load is between 19:00 and 23:00 Local Time (LT), while the period of the medium and low load is between 00:00 and 18:00 LT. 展开更多
关键词 EXPERIMENTAL voltage drop MV/LV Networks Network Analyzer
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A Novel Ideal Ohmic Contact SiGeC/Si Power Diode with Graded Doping Concentration
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作者 刘静 高勇 +1 位作者 杨媛 王彩琳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期342-348,共7页
A novel structure of ideal ohmic contact p^+ (SiGeC)-n^- -n^+ diodes with three-step graded doping concentration in the base region is presented, and the changing doping concentration gradient is also optimized. U... A novel structure of ideal ohmic contact p^+ (SiGeC)-n^- -n^+ diodes with three-step graded doping concentration in the base region is presented, and the changing doping concentration gradient is also optimized. Using MEDICI, the physical parameter models applicable for SiGeC/Si heterojunction power diodes are given. The simulation results indicate that the diodes with graded doping concentration in the base region not only have the merit of fast and soft reverse recovery but also double reverse blocking voltage,and their forward conducting voltage has dropped to some extent,compared to the diodes with constant doping concentration in the base region. The new structure achieves a good trade-off in Qs-Vf-Ir ,and its combination of properties is superior to ideal ohmic contact diodes and conventional diodes. 展开更多
关键词 SiGeC/Si heterojunction power diodes reverse blocking voltage ohmic contact
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新型载流子积累的逆导型横向绝缘栅双极晶体管
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作者 段宝兴 王佳森 +1 位作者 唐春萍 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期179-186,共8页
通过引入n^(+)阳极在体内集成续流二极管的逆导型横向绝缘栅双极晶体管(reverse-conducting lateral insulated gate bipolar transistor,RC-LIGBT)可以实现反向导通,并且优化器件的关断特性,是功率集成电路中一个有竞争力的器件.本文... 通过引入n^(+)阳极在体内集成续流二极管的逆导型横向绝缘栅双极晶体管(reverse-conducting lateral insulated gate bipolar transistor,RC-LIGBT)可以实现反向导通,并且优化器件的关断特性,是功率集成电路中一个有竞争力的器件.本文提出了一种新型载流子积累的RC-LIGBT,它具有电子控制栅(electron-controlled gate,EG)和分离短路阳极(separated short-anode,SSA),可以同时实现较低的导通压降和关断损耗.在正向导通状态,漂移区上方的EG结构可以在漂移区的表面积累一个高密度的电子层,从而大大地降低器件的导通压降.同时,SSA结构的使用还极大优化了器件的关断损耗.另外,低掺杂p型漂移区与SSA结构配合,可以简单地实现反向导通并且消除回吸电压.仿真结果表明,所提出的器件具有优秀的导通压降与关断损耗之间的折衷关系,其导通压降为1.16 V,比SSA LIGBT低55%,其关断损耗为0.099 mJ/cm^(2),比SSA LIGBT和常规LIGBT分别低38.5%和94.7%. 展开更多
关键词 载流子积累 逆导型横向绝缘栅双极晶体管 导通压降 回吸电压
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对称反向CW型倍压整流电路性能分析
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作者 毛鹏 左玉阳 +1 位作者 张晓强 张卫平 《北方工业大学学报》 2024年第3期62-66,共5页
为了降低高压变压器中匝数比过大带来的影响,业界普遍采用变压器加倍压整流电路的多级升压方式实现高电压输出。本文通过研究对称反向高压倍加器(Cockcroft-Walton accelerator,CW)型倍压整流电路的工作原理,分析了输入电压频率、负载... 为了降低高压变压器中匝数比过大带来的影响,业界普遍采用变压器加倍压整流电路的多级升压方式实现高电压输出。本文通过研究对称反向高压倍加器(Cockcroft-Walton accelerator,CW)型倍压整流电路的工作原理,分析了输入电压频率、负载和电容值对对称反向CW型倍压整流电路输出电压压降和输出电压纹波的影响。研究发现该电路适用于高频率输入电压、轻负载、大容值电容的工作场景,可以根据确定的输入电压、输出电压、以及负载大小等参数,来选择合适的电压频率和电容,使得输出电压压降和输出电压纹波达到最小。 展开更多
关键词 倍压整流电路 电压压降 电压纹波 轻负载 大容值电容
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肖特基结多数载流子积累新型绝缘栅双极晶体管
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作者 段宝兴 刘雨林 +1 位作者 唐春萍 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期325-332,共8页
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.... 绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.当新型IGBT处于导通状态,栅极施加正向偏压,由于肖特基势垒二极管极低的正向导通压降,使得栅半导体层的电压几乎等于栅极电压,从而能够在漂移区中积累大量的多数载流子电子.除了现有的电子外,这些积累的电子增大了漂移区的电导率,从而显著降低了正向导通压降.因此,打破了传统IGBT正向导通压降受漂移区掺杂浓度的限制.轻掺杂的漂移区可以使新型IGBT具有较高的击穿电压,同时减小了关断过程中器件内部耗尽层电容,因此整体米勒电容减小,提升了关断速度,减小了关断时间和关断损耗.分析结果表明,600 V级别的击穿电压时,新型IGBT的正向导通压降,关断损耗和关断时间相比常规IGBT分别降低了46.2%,52.5%,30%,打破了IGBT中正向导通压降和关断损耗之间的矛盾.此外,新型IGBT具有更高的抗闩锁能力和更大的正偏安全工作区.新型结构的提出满足了未来IGBT器件性能的发展要求,对于功率半导体器件领域具有重大指导意义. 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 积累模式 正向导通压降 关断损耗
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电网电压跌落下基于二分迭代和NITA法的同步调相机全域瞬态流热分析
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作者 王立坤 宋旭升 +3 位作者 寇宝泉 孙玉田 沈峰裕 李靖琰 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第20期8292-8303,I0031,共13页
同步调相机安装在特高压输电系统换流站内用于稳定输电系统的电压,输电系统可能发生电压跌落故障决定其需要具备工作在极限运行状态的能力。温升是制约调相机极限调节能力的重要因素之一,因此,对同步调相机极限运行时的瞬态流热分析非... 同步调相机安装在特高压输电系统换流站内用于稳定输电系统的电压,输电系统可能发生电压跌落故障决定其需要具备工作在极限运行状态的能力。温升是制约调相机极限调节能力的重要因素之一,因此,对同步调相机极限运行时的瞬态流热分析非常必要。该文建立调相机与输电系统耦合的暂态分析模型,研究电网电压跌落时调相机的瞬态响应特性。为综合评价电网电压跌落故障对调相机热表征的影响,建立300 Mvar同步调相机全域内流固耦合瞬态分析模型;提出一种二分迭代的流固耦合模型边界确定方法,通过数以亿计的多面体网格离散(共1.4亿网格单元),同时,基于非迭代时间推进法对全域复杂传热模型进行求解,研究调相机多风腔内流体和温度相互影响机理;探讨极限运行状态下温度约束对调相机安全运行的影响。为对该文所提研究方法进行验证,开展调相机总装温升实验,证明其可行性与准确性。 展开更多
关键词 同步调相机 电网电压跌落 非迭代时间推进法 瞬态流固特性
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低压断路器中铁磁性栅片的近极压降影响因素
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作者 孙昊 周柳君 +2 位作者 张新宇 吴翊 纽春萍 《电器与能效管理技术》 2024年第8期21-26,33,共7页
低压断路器中电弧电压直接关系到断路器的灭弧性能,而栅片的近极压降直接影响电弧电压,因此研究其可以为优化断路器性能提供帮助。搭建简化的实验装置,测量直流电流等级为250 A时稳定燃弧过程的电弧电压,并绘制电弧电压与栅片间距的关... 低压断路器中电弧电压直接关系到断路器的灭弧性能,而栅片的近极压降直接影响电弧电压,因此研究其可以为优化断路器性能提供帮助。搭建简化的实验装置,测量直流电流等级为250 A时稳定燃弧过程的电弧电压,并绘制电弧电压与栅片间距的关系曲线,通过拟合曲线求得近极压降;同时从栅片材料、厚度和电流等级等方面探究影响近极压降的因素。实验结果表明,不同材料的近极压降会有差异,而栅片厚度和电流等级的大小不会对其产生影响。 展开更多
关键词 低压断路器 铁磁性栅片 电弧电压 近极压降
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一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
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作者 黄磊 李健根 +2 位作者 陆泽灼 俞齐声 陈文锁 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期277-281,共5页
薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Inj... 薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。 展开更多
关键词 SOI 横向绝缘栅双极型晶体管 快速关断 拖尾电流 正向饱和电压
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基于电压跌落安全需求的直流微电网多端协同支撑技术
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作者 张祥宇 薛炎 付媛 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2024年第10期107-115,共9页
量化直流电压稳定判据,在多端换流器协同下完成暂态电压支撑是直流微电网稳定运行的关键。根据直流微电网运行特性,分析功率波动、直流故障下系统运行点变化轨迹,获得系统具备暂态恢复能力下的直流电压跌落安全区间。基于直流微电网须... 量化直流电压稳定判据,在多端换流器协同下完成暂态电压支撑是直流微电网稳定运行的关键。根据直流微电网运行特性,分析功率波动、直流故障下系统运行点变化轨迹,获得系统具备暂态恢复能力下的直流电压跌落安全区间。基于直流微电网须遵循的等电量原则,根据电压跌落安全区间,计算系统允许放电电量,从而得到直流微电网量化稳定判据。在此基础上,利用交流主网、蓄电池、风机侧换流器的控制潜力,提出直流微电网的多端协同支撑技术,通过释放附加电量满足直流微电网在不同扰动下差异化的电压跌落安全需求,提升系统的暂态稳定裕度。搭建5端直流微电网仿真系统,验证所提控制策略对于直流电压的暂态支撑效果。 展开更多
关键词 直流微电网 暂态稳定分析 电压跌落安全区间 等电量原则 稳定判据 多端协同支撑技术
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具有圆形P+区的1200 V SiC JBS二极管的研究
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作者 吴丽娟 张腾飞 +3 位作者 张梦源 梁嘉辉 刘梦姣 杨钢 《长沙理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第4期168-175,187,共9页
【目的】通过改变碳化硅(silicon carbide,SiC)结势垒肖特基二极管(junction barrier Schottky diode,JBS)的P+掺杂区的形状,将常规SiC JBS条形分布的P+掺杂区优化为圆形P+掺杂区,并两两之间以正三角形分布于肖特基接触之间。【方法】... 【目的】通过改变碳化硅(silicon carbide,SiC)结势垒肖特基二极管(junction barrier Schottky diode,JBS)的P+掺杂区的形状,将常规SiC JBS条形分布的P+掺杂区优化为圆形P+掺杂区,并两两之间以正三角形分布于肖特基接触之间。【方法】通过三维结构有限元仿真方法模拟以上两种SiC JBS结构的正反向特性,优化P+掺杂区宽度和外延层掺杂浓度,并进行对比分析。【结果】仿真结果显示,两种结构的反向击穿电压均高于1500 V,圆形P+掺杂区JBS二极管的正向导通压降比条形P+掺杂区JBS二极管的低:在正向电流密度为400 A/cm^(2)时,导通压降由条形P+结构的2.37 V降低至圆形P+结构的2.05 V,降低了13.5%;圆形P+结构在经过优化外延层掺杂浓度后,其在正向电流密度为400 A/cm^(2)时的导通压降为1.97 V,较条形P+结构的降低了16.9%。相较于条形SiC JBS,圆形P+结构具有更大的肖特基接触面积,在保证击穿电压的同时可以获得更低的导通压降,并通过优化器件的外延层掺杂浓度进一步降低器件的导通压降。【结论】本文将P+掺杂区形状由条形调整为圆形,并以正三角形分布排列。这种调整增大了器件的肖特基接触面积,优化了正向导通特性,并通过优化器件的外延层掺杂浓度进一步提高了导通特性,获得了更低的导通压降。 展开更多
关键词 热载流子二极管 碳化硅 结势垒肖特基二极管 导通压降 击穿电压。
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宽范围负载CL-LDO的设计
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作者 唐俊龙 关浩 +2 位作者 邓欢 李振涛 邹望辉 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期109-116,共8页
针对规模与功耗骤增的集成电路发展趋势,设计了一种可以提供宽范围负载电流的无片外电容型低压差线性稳压器(CL-LDO).为了解决宽范围负载电流与无片外电容等需求所带来的稳定性问题与瞬态特性问题,提出了动态零点补偿的方式与瞬态增强... 针对规模与功耗骤增的集成电路发展趋势,设计了一种可以提供宽范围负载电流的无片外电容型低压差线性稳压器(CL-LDO).为了解决宽范围负载电流与无片外电容等需求所带来的稳定性问题与瞬态特性问题,提出了动态零点补偿的方式与瞬态增强电路结构,既保障了整体电路在全负载范围内保持稳定,又实现了较好的瞬态特性.基于0.11μm CMOS工艺,完成电路设计、版图设计与仿真,仿真结果表明,在0~500 mA的负载范围内,整体环路增益可以达到68 dB;最小相位裕度为56°;当负载电流在1~500 mA之间发生跳变时(Δt=500 ns),输出过冲和下冲分别为56 mV和141 mV,建立时间分别为2μs和0.78μs;PSR为-67.2 dB@1 kHz,负载调整率为0.137μV/mA. 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 动态零点补偿 瞬态增强 宽范围负载
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低磷灰铸铁浇铸阳极在500 kA电解槽的应用试验
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作者 孙晓旭 刘朝东 《轻金属》 2024年第1期42-44,共3页
本文通过分析磷生铁各元素作用并控制磷生铁组分,实现浇铸后的磷铁环为灰铸铁组织结构,并对比低磷灰铸铁与白铸铁的阳极浇铸情况以及其浇铸阳极在500 kA电解槽上整个服役周期内的性能表现,得出结论:低磷灰铸铁在1 300℃左右的流动性比... 本文通过分析磷生铁各元素作用并控制磷生铁组分,实现浇铸后的磷铁环为灰铸铁组织结构,并对比低磷灰铸铁与白铸铁的阳极浇铸情况以及其浇铸阳极在500 kA电解槽上整个服役周期内的性能表现,得出结论:低磷灰铸铁在1 300℃左右的流动性比白铸铁更好;使用低磷灰铸铁的浇铸阳极的Fe-C压降比白铸铁浇铸的阳极的低10 mV左右,节省电量30 kWh/t-Al;低磷灰铸铁浇铸工艺不仅降低了残极的垂直裂纹和掉角的概率,还改善了磷铁环的压脱情况。 展开更多
关键词 低磷灰铸铁 白铸铁 浇铸阳极 铁碳压降
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微型组合导航SIP芯片的PDN电热协同仿真与优化
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作者 陈明 余未 +1 位作者 倪屹 时广轶 《空天预警研究学报》 CSCD 2024年第3期226-230,234,共6页
随着SIP芯片逐步小型化和集成化,导致芯片对PDN的直流压降、电流密度以及系统的温升控制要求越来越高.本文通过改变载流导体的面积来改善直流压降和电流密度过高的问题,同时针对芯片温升研究通过合理优化热过孔阵列的孔径、过孔数量以... 随着SIP芯片逐步小型化和集成化,导致芯片对PDN的直流压降、电流密度以及系统的温升控制要求越来越高.本文通过改变载流导体的面积来改善直流压降和电流密度过高的问题,同时针对芯片温升研究通过合理优化热过孔阵列的孔径、过孔数量以及镀铜厚度来减小热阻以达到控制芯片温升的目的.仿真结果表明,增加载流导体的面积能有效降低直流压降和电流密度,且还留有很大的裕量;而热过孔阵列的合理布局能有效控制芯片温升,从而提升了芯片的功能和可靠性. 展开更多
关键词 微型组合导航 SIP芯片 直流压降 热分布 电热协同仿真
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基于PLC的数控机床电气设备电压稳态控制研究
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作者 张继伟 《自动化技术与应用》 2024年第6期46-49,共4页
数控机床电气设备的电压稳态控制的网络损耗高,导致控制效果差,提出基于PLC的数控机床电气设备电压稳态控制研究。根据电气设备等效电路,分析数控机床电气设备无功输出原理,通过压降计算原理,计算数控机床电气设备间的压降,设计电气设... 数控机床电气设备的电压稳态控制的网络损耗高,导致控制效果差,提出基于PLC的数控机床电气设备电压稳态控制研究。根据电气设备等效电路,分析数控机床电气设备无功输出原理,通过压降计算原理,计算数控机床电气设备间的压降,设计电气设备电压稳态控制方案,实现数控机床电气设备的电压稳态PLC控制。实验结果表明,设计方法将数控机床电气设备网络损耗控制在25 W以内,从而保证数控机床电气设备的安全稳定运行,该方法具备可行性和有效性。 展开更多
关键词 PLC 电气设备 无功输出 数控机床 电压稳态控制 压降计算
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基于电参数的IGBT开关瞬态过程耦合关系分析 被引量:1
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作者 李雨泽 张秀敏 +3 位作者 袁文迁 宋鹏 季一润 焦超群 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期1252-1263,共12页
IGBT开关瞬态电流变化过程包括开通电流上升过程和关断电流下降过程,由于功率器件的非线性特征及其与电路参数的紧密耦合,造成瞬态过程电磁现象复杂。重点研究了瞬态过程电压电流参数的耦合规律,分析了耦合关系对IGBT工作特性的影响。首... IGBT开关瞬态电流变化过程包括开通电流上升过程和关断电流下降过程,由于功率器件的非线性特征及其与电路参数的紧密耦合,造成瞬态过程电磁现象复杂。重点研究了瞬态过程电压电流参数的耦合规律,分析了耦合关系对IGBT工作特性的影响。首先,分析了IGBT内寄生PIN结构、集射极电压对栅极控制模型的影响。其次,基于栅极控制模型的分析,提出集电极电流的拟合次数应考虑电流变化过程持续时间及计算场景,二次及以下多项式拟合可近似描述集电极电流波形并开展功率损耗分析,但不适于电流变化率和感应电压分析。再次,比较了开通和关断过程计算所得回路寄生电感值的差异,提出了不同过程计算回路寄生电感的适用范围及FWD封装寄生电感的计算方法。最后,分析了瞬态过程栅极电压和集射极电压的耦合关系,提出了通过栅极电压估计集射极电压的状态监测方法并进行了实验验证。 展开更多
关键词 栅极电压 集射极电压 电流上升过程 电流下降过程 寄生电感 耦合关系
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基于自适应下垂控制的光储直流微网控制策略研究 被引量:1
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作者 代丽 王君瑞 +3 位作者 谭露 朱旭强 王铭 豆帅 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期154-163,共10页
针对下垂控制会导致母线电压出现跌落现象这一问题,提出基于蓄电池荷电状态(SOC)的n次幂的自适应下垂控制(ADC)策略,设计充放电时的下垂系数,在下垂系数中引入蓄电池S^(n)及基于母线电压的下垂系数调整律,并加入超级电容功率补偿。在系... 针对下垂控制会导致母线电压出现跌落现象这一问题,提出基于蓄电池荷电状态(SOC)的n次幂的自适应下垂控制(ADC)策略,设计充放电时的下垂系数,在下垂系数中引入蓄电池S^(n)及基于母线电压的下垂系数调整律,并加入超级电容功率补偿。在系统的协调运行控制策略上,以母线电压U_(dc)和蓄电池SOC值作为控制元,设计上层协调控制模块。与传统自适应下垂控制相比,所提控制策略可升高跌落的母线电压,且当外界环境因素变化或负载变化时,蓄电池-超级电容混合储能系统能更好地维持母线电压的稳定,提高系统的抗干扰能力;且系统可在各工作模式之间平滑切换,维持母线电压的稳定。最后,在基于TMS320F28335的光储直流微网实验台上验证该控制策略的有效性。 展开更多
关键词 直流微网 储能系统 自适应下垂控制 荷电状态 电压跌落 协调运行
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基于开通集射极电压下降平台的功率器件结温监测方法 被引量:1
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作者 王惠民 许智亮 +2 位作者 丁菊霞 葛兴来 王轶 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第15期4682-4696,共15页
准确的结温监测对功率器件可靠性评估和健康管理至关重要,因此在牵引变流器中广受欢迎。然而,传统的结温监测方法易受到负载电流变化的影响,导致监测精度不高,难以达到牵引变流器的可靠性需求。对此,该文提出一种基于开通集射极电压下... 准确的结温监测对功率器件可靠性评估和健康管理至关重要,因此在牵引变流器中广受欢迎。然而,传统的结温监测方法易受到负载电流变化的影响,导致监测精度不高,难以达到牵引变流器的可靠性需求。对此,该文提出一种基于开通集射极电压下降平台的功率器件结温监测方法,首先,基于功率器件的等效电路模型,对功率器件开通瞬态进行详细分析。在此基础上,对器件结温与开通集射极电压下降平台的关系进行探究,并提出一种基于杂散电感两端最大电压的开通集射极电压下降平台定位方法。进一步地,利用双脉冲实验对所研究结温监测方法的适用性进行分析验证;最后,搭建单相脉冲整流器实验平台,对所研究结温监测方法的可行性进行实验验证,该方法能够有效降低负载电流变化的影响且具有较高的灵敏度。 展开更多
关键词 结温监测 开通集射极电压下降平台 功率器件 可靠性评估
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基于导通压降的大容量IGBT模块结温观测与误差分析研究 被引量:1
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作者 肖凯 王振 +3 位作者 严喜林 李文骁 胡剑生 刘平 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期127-137,共11页
压接式绝缘栅双极性晶体管PP-IGBT(press-pack insulated gate bipolar transistor)模块因其优越的电气性能和可靠性,广泛应用于柔性直流换流阀等大功率应用场景。IGBT芯片结温的准确观测对于其运行状态的监测与剩余寿命的评估都非常重... 压接式绝缘栅双极性晶体管PP-IGBT(press-pack insulated gate bipolar transistor)模块因其优越的电气性能和可靠性,广泛应用于柔性直流换流阀等大功率应用场景。IGBT芯片结温的准确观测对于其运行状态的监测与剩余寿命的评估都非常重要。已有结温观测方法多是针对键合引线式IGBT,未考虑到压接式模块的特性,无法直接应用。首先,针对大容量换流阀中的压接式IGBT,提出了一种实用的模块导通压降与结温标定方法,并对结温在线估计的误差进行了全面分析。然后,基于ABB公司5SNA 3000K452300压接式IGBT模块(4500 V,3000 A)设计了结温标定方案,包括实验电路、温度标定范围选择、结温控制方式、测量电路及标定实验步骤。最后,基于脉冲测试平台,对所提方法进行了验证。实验结果表明,所提结温标定与观测方案有效,结温观测误差在±5℃以内,且能适用压接式IGBT模块存在差异的情况。 展开更多
关键词 压接式IGBT 结温标定实验 热敏电参数 导通压降 误差分析
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