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浮栅和高压栅极共掺在EEPROM中的应用研究
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作者 刘冬华 陈云骢 钱文生 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期363-366,共4页
为简化电可擦除可编程只读存储器(Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)的制造工艺以及减少等离子体对隧道氧化层的损害,重点分析了将浮栅多晶硅和高压器件的栅极共同掺杂对存储器件和高压器件的影响,包括不... 为简化电可擦除可编程只读存储器(Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)的制造工艺以及减少等离子体对隧道氧化层的损害,重点分析了将浮栅多晶硅和高压器件的栅极共同掺杂对存储器件和高压器件的影响,包括不同掺杂浓度下EEPROM存储单元的擦写速度、读取电流、可靠性以及高压晶体管的电学特性等相关分析,探讨优良器件特性的最优掺杂浓度设计方法,为器件性能优化以及工艺改进提供参考。 展开更多
关键词 eeprom 浮栅 共掺
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On-Chip Micro Temperature Controllers Based on Freestanding Thermoelectric Nano Films for Low-Power Electronics
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作者 Qun Jin Tianxiao Guo +4 位作者 Nicolas Perez Nianjun Yang Xin Jiang Kornelius Nielsch Heiko Reith 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第7期98-108,共11页
Multidimensional integration and multifunctional com-ponent assembly have been greatly explored in recent years to extend Moore’s Law of modern microelectronics.However,this inevitably exac-erbates the inhomogeneity ... Multidimensional integration and multifunctional com-ponent assembly have been greatly explored in recent years to extend Moore’s Law of modern microelectronics.However,this inevitably exac-erbates the inhomogeneity of temperature distribution in microsystems,making precise temperature control for electronic components extremely challenging.Herein,we report an on-chip micro temperature controller including a pair of thermoelectric legs with a total area of 50×50μm^(2),which are fabricated from dense and flat freestanding Bi2Te3-based ther-moelectric nano films deposited on a newly developed nano graphene oxide membrane substrate.Its tunable equivalent thermal resistance is controlled by electrical currents to achieve energy-efficient temperature control for low-power electronics.A large cooling temperature difference of 44.5 K at 380 K is achieved with a power consumption of only 445μW,resulting in an ultrahigh temperature control capability over 100 K mW^(-1).Moreover,an ultra-fast cooling rate exceeding 2000 K s^(-1) and excellent reliability of up to 1 million cycles are observed.Our proposed on-chip temperature controller is expected to enable further miniaturization and multifunctional integration on a single chip for microelectronics. 展开更多
关键词 Temperature control Low-power electronics on-chip micro temperature controller Freestanding thermoelectric nano films Temperature-sensitive components
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High-intensity spatial-mode steerable frequency up-converter toward on-chip integration
3
作者 Haizhou Huang Huaixi Chen +7 位作者 Huagang Liu Zhi Zhang Xinkai Feng Jiaying Chen Hongchun Wu Jing Deng Wanguo Liang Wenxiong Lin 《Opto-Electronic Science》 2024年第4期12-20,共9页
Integrated photonic devices are essential for on-chip optical communication,optical-electronic systems,and quantum information sciences.To develop a high-fidelity interface between photonics in various frequency domai... Integrated photonic devices are essential for on-chip optical communication,optical-electronic systems,and quantum information sciences.To develop a high-fidelity interface between photonics in various frequency domains without disturbing their quantum properties,nonlinear frequency conversion,typically steered with the quadratic(χ2)process,should be considered.Furthermore,another degree of freedom in steering the spatial modes during theχ2 process,with unprecedent mode intensity is proposed here by modulating the lithium niobate(LN)waveguide-based inter-mode quasi-phasematching conditions with both temperature and wavelength parameters.Under high incident light intensities(25 and 27.8 dBm for the pump and the signal lights,respectively),mode conversion at the sum-frequency wavelength with sufficient high output power(−7–8 dBm)among the TM01,TM10,and TM00 modes is realized automatically with characterized broad temperature(ΔT≥8°C)and wavelength windows(Δλ≥1 nm),avoiding the previous efforts in carefully preparing the signal or pump modes.The results prove that high-intensity spatial modes can be prepared at arbitrary transparent wavelength of theχ2 media toward on-chip integration,which facilitates the development of chip-based communication and quantum information systems because spatial correlations can be applied to generate hyperentangled states and provide additional robustness in quantum error correction with the extended Hilbert space. 展开更多
关键词 integrated photonics LN waveguide sum-frequency generation spatial-mode steering on-chip integration
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提高EEPROM擦写次数耐久力的工艺分析
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作者 宋金星 《集成电路应用》 2024年第7期6-7,共2页
阐述基于器件工艺特性,提高EEPROM擦写次数耐久力的一种方法,采用控制掺杂氯的比例提高浮栅氧化层(隧穿氧化层)的质量,尤其是两侧的质量,并利用快速热退火技术修复氧化层缺陷,进一步提高氧化层质量。
关键词 集成电路设计 eeprom 擦写耐久力
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应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM
5
作者 李海鸥 刘耀隆 +4 位作者 朱蒙洁 余新洁 徐卫林 陈永和 翟江辉 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第2期261-266,共6页
基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺,设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下,通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构,实现电路版图面积的最小化,从而对整体电路实... 基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺,设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下,通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构,实现电路版图面积的最小化,从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压,且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别,该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器,有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出,芯片总面积仅为0.14 mm^(2),有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。 展开更多
关键词 电可擦除可编程只读存储器 Dickson电荷泵 射频识别 低成本
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DSP与同步串行EEPROM 93LC56B的接口研究 被引量:1
6
作者 张文婷 谢伟 《单片机与嵌入式系统应用》 2023年第8期59-63,共5页
为了查明同步串行EEPROM芯片93LC56B是否适配DSP芯片TMS320F2812的SPI接口,分析了93LC56B的关键接口时序特性,设计电路将TMS320F2812和93LC56B的SPI引脚连接在FPGA的I/O引脚上,通过ChipScope抓取两个芯片的SPI接口数据,确定了TMS320F281... 为了查明同步串行EEPROM芯片93LC56B是否适配DSP芯片TMS320F2812的SPI接口,分析了93LC56B的关键接口时序特性,设计电路将TMS320F2812和93LC56B的SPI引脚连接在FPGA的I/O引脚上,通过ChipScope抓取两个芯片的SPI接口数据,确定了TMS320F2812的SPI接口适配93LC56B时需要的寄存器参数和读写子程序,并发现了单次读取时数据最高位无效的应用限制。 展开更多
关键词 eeprom DSP SPI 93LC56B TMS320F2812
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一种应用于EEPROM的快速升压电荷泵设计
7
作者 洪国华 卓启越 +1 位作者 葛优 邹望辉 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第11期1396-1401,共6页
设计了一种能快速升压的片上电荷泵电路。当电荷泵用于为EEPROM存储单元提供擦除及写入操作需要的高压时,其升压速度是重要的设计指标之一。研究发现,使用NPN晶体管代替传统Dickson电荷泵中的NMOS管组成升压链路后,能够提高电荷泵的升... 设计了一种能快速升压的片上电荷泵电路。当电荷泵用于为EEPROM存储单元提供擦除及写入操作需要的高压时,其升压速度是重要的设计指标之一。研究发现,使用NPN晶体管代替传统Dickson电荷泵中的NMOS管组成升压链路后,能够提高电荷泵的升压速度和输出电压,且NPN晶体管能够用三阱CMOS工艺制作,不需要更复杂的BiCMOS工艺。基于0.18μm三阱CMOS工艺设计了电荷泵系统,包括时钟产生电路和12级采用NPN晶体管的Dickson电荷泵,其中时钟产生电路产生的两相不交叠时钟用于驱动电荷泵,避免电荷在泵电容间反向流通,同时增加预充管进一步提高升压速度。仿真结果显示,在5 V电源电压下,电荷泵的输出电压仅需2.06μs就能达到16 V,比传统的12级Dickson电荷泵快了2.51μs,实现了快速升压的目的。 展开更多
关键词 电荷泵 NPN晶体管 快速升压 三阱CMOS工艺 eeprom
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EEPROM存储数据耗时问题探究分析
8
作者 石永慧 《山西电子技术》 2023年第4期93-96,共4页
某嵌入式压力处理传感器软件在EEPROM存储器存储故障字过程中耗时太久,不符合所要求的30%时间余量。因此,不能在规定的时间内进行故障字存储操作。即故障字存储耗时过久导致时间余量达不到要求。针对这一问题,通过对存储芯片本身特性的... 某嵌入式压力处理传感器软件在EEPROM存储器存储故障字过程中耗时太久,不符合所要求的30%时间余量。因此,不能在规定的时间内进行故障字存储操作。即故障字存储耗时过久导致时间余量达不到要求。针对这一问题,通过对存储芯片本身特性的分析,结合存储器本身特性,设计了一种加快存储器存储方法,提高存取时间,满足余量的要求。实验结果证明,该方法的准确率和效率,均达到了预期目标。 展开更多
关键词 eeprom 故障字 耗时
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适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计
9
作者 周旺 李一男 +2 位作者 陈风凉 沈鑫 王留所 《电子与封装》 2023年第11期74-79,共6页
设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8 V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18μm商用工艺,版图尺寸为480μm×100μm。给出了Hspice仿真... 设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8 V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18μm商用工艺,版图尺寸为480μm×100μm。给出了Hspice仿真环境下的仿真结果。 展开更多
关键词 eeprom LDO 宽电源电压 高启动速度 低功耗
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复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品
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《单片机与嵌入式系统应用》 2023年第6期96-96,共1页
上海复旦微电子集团股份有限公司推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28 nm先进NAND flash工艺,满足6万次... 上海复旦微电子集团股份有限公司推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28 nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通信、车载等相关领域。 展开更多
关键词 数据保存 NAND eeprom FLASH 擦写 上海复旦 高可靠性要求 系列产品
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FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究 被引量:3
11
作者 罗宏伟 杨银堂 +2 位作者 朱樟明 解斌 王金延 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期174-176,181,共4页
分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因... 分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOXEEPROM性能的退化起主要作用. 展开更多
关键词 FLOTOX结构 eeprom 可靠性 隧穿氧化层 退化 快闪存储器
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EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较 被引量:4
12
作者 王桂珍 林东生 +6 位作者 齐超 白小燕 杨善超 李瑞宾 马强 金晓明 刘岩 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期510-514,共5页
对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。A... 对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C256的闩锁阈值为2×107 Gy(Si)/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy(Si)/s。对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值。基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因。 展开更多
关键词 浮栅器件 eeprom SRAM 剂量率 闩锁阈值 翻转阈值
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EEPROM 28C64和28C256的14MeV中子辐照特性 被引量:3
13
作者 贺朝会 陈晓华 +4 位作者 刘恩科 王燕萍 李国政 耿斌 杨海亮 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期262-266,共5页
给出了 E E P R O M 器件的中子辐照实验结果,发现 28 C64 和 28 C256 的 14 M e V 中子辐照效应不是以往所认为的单粒子效应,而是总剂量效应。器件出现的错误不是随机的,而是存在中子注量阈值;不同的错误... 给出了 E E P R O M 器件的中子辐照实验结果,发现 28 C64 和 28 C256 的 14 M e V 中子辐照效应不是以往所认为的单粒子效应,而是总剂量效应。器件出现的错误不是随机的,而是存在中子注量阈值;不同的错误有不同的阈值。在相同的中子注量下,加电的器件出现错误,而不加电的器件无错误;对于 28 C256,“0”→“1”错误比“1”→“0”错误容易发生;存贮单元由一种状态彻底变为相反状态之前的一段时间内,其状态是不确定的;停止辐照后,中子注量不再增加时,错误数仍在增加,说明是控制部件出错导致的。 展开更多
关键词 空间飞行器 eeprom 中子辐照 单粒子效应 总剂量
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一种40 ns 16 kb EEPROM的设计与实现 被引量:5
14
作者 徐飞 贺祥庆 张莉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期133-137,共5页
 基于0.35μmCMOS工艺,设计并实现了一个3.3V16kbEEPROM存储器。该电路采用2k×8的并行结构体系。通过优化设计灵敏放大器、位线译码和字线充放电等电路,加快了读取速度,典型值仅40ns;通过编程模式和编程电路的设计,提高了编程速度...  基于0.35μmCMOS工艺,设计并实现了一个3.3V16kbEEPROM存储器。该电路采用2k×8的并行结构体系。通过优化设计灵敏放大器、位线译码和字线充放电等电路,加快了读取速度,典型值仅40ns;通过编程模式和编程电路的设计,提高了编程速度,页编程时间为2ms,等效于每字节62ms。重点研究了片上高压产生电路,提出了一种在不增加工艺难度和设计复杂度的情况下提供良好性能的电荷泵电路。电路的单元面积为11.27μm2,芯片尺寸约1.5mm2。 展开更多
关键词 eeprom 存储器 电荷泵 灵敏放大器 并行编程
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一种应用于EEPROM的片上电荷泵电路设计 被引量:4
15
作者 翟艳男 殷景华 +1 位作者 韦秋初 董颖杰 《电子科技》 2008年第2期25-27,32,共4页
设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵电路系统。该电路基于Dickson电荷泵结构,通过使用稳定的参考电压驱动压控振荡电路,从而产生了占空比小于50%的精确时钟,提高了电荷泵升压速度;通过使用调压电路,限制并稳定了输出电压。HSPICE仿真... 设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵电路系统。该电路基于Dickson电荷泵结构,通过使用稳定的参考电压驱动压控振荡电路,从而产生了占空比小于50%的精确时钟,提高了电荷泵升压速度;通过使用调压电路,限制并稳定了输出电压。HSPICE仿真结果显示:在5 V电源电压下,时钟频率高达2.085 MHz。电荷泵仅需要56.256μs就可以输出15.962 V的高压。电荷泵的电压上升时间快,性能优越。 展开更多
关键词 电荷泵 Dickson电路 eeprom 压控振荡器
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基于海明编码的EEPROM数据存取功能的实现 被引量:6
16
作者 潘兴明 石倩 +2 位作者 路胜杰 王晨 尹文颖 《电子设计工程》 2015年第7期162-165,共4页
针对工业现场对大容量数据存储空间及数据高可靠性的要求,基于单片机的IIC接口,设计了硬件电路和软件读写程序,实现了利用8片24LC512扩展单片机外部EEPROM存储空间的目的。并结合海明码的纠错能力,对数据先编码存储、后解码读取以提高... 针对工业现场对大容量数据存储空间及数据高可靠性的要求,基于单片机的IIC接口,设计了硬件电路和软件读写程序,实现了利用8片24LC512扩展单片机外部EEPROM存储空间的目的。并结合海明码的纠错能力,对数据先编码存储、后解码读取以提高数据的可靠性。现场应用验证,此设计可以实现4 Mbit空间数据的存取,数据准确可靠。 展开更多
关键词 IIC eeprom 海明码 24LC512
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深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能 被引量:2
17
作者 周昕杰 李蕾蕾 +1 位作者 徐睿 于宗光 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期518-521,共4页
当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 ... 当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础. 展开更多
关键词 总剂量效应 eeprom 抗辐照加固
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基于I^2C总线的EEPROM在智能电器中的应用 被引量:4
18
作者 李文雄 陆俭国 +1 位作者 刘明生 商书元 《低压电器》 北大核心 2005年第11期40-44,共5页
I2C串行总线是近几年来微处理器领域出现的新技术。由于具有诸多优点,I2C串行总线应用越来越广泛。在介绍了具有I2C总线接口的EEPROM 24LC32特点的基础上,阐述了其I2C总线操作规程、工作原理,包括I2C总线上设备的选择、数据的随机读取... I2C串行总线是近几年来微处理器领域出现的新技术。由于具有诸多优点,I2C串行总线应用越来越广泛。在介绍了具有I2C总线接口的EEPROM 24LC32特点的基础上,阐述了其I2C总线操作规程、工作原理,包括I2C总线上设备的选择、数据的随机读取和当前地址读取、数据的字节模式写入和页模式写入,给出了24LC32与单片机80C196的接口方式及在智能型热过载继电器中的应用。 展开更多
关键词 I^2C eeprom 80C196 热继电器
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MC68HC908JL8 MCU中虚拟EEPROM特性的应用及剖析 被引量:3
19
作者 徐丽华 王宜怀 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2004年第28期106-108,共3页
剖析了MC68HC908JL8单片机的内监控ROM的一个重要特性:虚拟EEPROM。它使用Flash存储区模拟EEPROM按字节读写功能,从而提高了Flash的使用效率并延长其使用寿命。文章阐述了MC68HC908JL8监控ROM中EE_WRITE例程的使用方法,随后简要介绍监控... 剖析了MC68HC908JL8单片机的内监控ROM的一个重要特性:虚拟EEPROM。它使用Flash存储区模拟EEPROM按字节读写功能,从而提高了Flash的使用效率并延长其使用寿命。文章阐述了MC68HC908JL8监控ROM中EE_WRITE例程的使用方法,随后简要介绍监控ROM机器码的读出方法并给出了监控例程中EE_WRITE子例程的机器码,在此基础上,对机器码反汇编并进行分析,得出了EE_WRITE具体实现的流程。此方法可供嵌入式系统应用开发者借鉴应用于具有Flash存储器的MCU开发中。 展开更多
关键词 MC68HC908JL8 flash存储区 eeprom EE_WRITE
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扩展的海明码及其在FLASH/EEPROM中的应用 被引量:4
20
作者 张娟 张雪兰 《兵工自动化》 2003年第3期52-54,共3页
FLASH/EEPROM是一种广泛用于汽车、家用电器的存储器,但存储的数据会因震荡、噪声、遇磁等发生错误。为了提供错误监测/校验功能,须对其存储的数据进行编码。海明码是一种错误校验码。扩展海明码是在海明码的基础上,新增一个监控位15,... FLASH/EEPROM是一种广泛用于汽车、家用电器的存储器,但存储的数据会因震荡、噪声、遇磁等发生错误。为了提供错误监测/校验功能,须对其存储的数据进行编码。海明码是一种错误校验码。扩展海明码是在海明码的基础上,新增一个监控位15,成为具有5个监控位的扩展海明码。它能对32位的数据进行编码,并对编码过的数据进行监测和校验,可以检查出2位错,并对仅有1位错的情况进行纠正。该算法可以对FLASH/EEPROM中存放的数据进行编码/校验/纠错,取得要求的效果。 展开更多
关键词 存储器海明码 FLASH/eeprom 存储器 错误校验码 编码原理 解码 错误校正
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