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Optimization of Key Parameters in 622-Mb/s Amplitude Shift Keying Labeled 40-Gb/s Return to Zero Differential Phase Shift Keying Optical Switching Network 被引量:1
1
作者 ZHAO Jun-yan XIN Xiang-jun YU Chong-xiu XU Da-xiong 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2008年第1期17-21,共5页
Optimized are the label extinction ratio and dispersion compensation of an optical label switching transmission system,which employs 40-Gb/s return to zero differential phase shift keying(RZ-DPSK)payload labeled with ... Optimized are the label extinction ratio and dispersion compensation of an optical label switching transmission system,which employs 40-Gb/s return to zero differential phase shift keying(RZ-DPSK)payload labeled with 622-Mb/s amplitude shift keying(ASK)control data.In our scheme,the receiver sensitivities of payload and label achieves-27.8dBm and-33.5dBm,respectively.After transmitted over 40km,60km and 80km single mode fiber(SMF)(with dispersion compensation)respectively,the payload can be recovered with no power penalty,while the label can be recovered with less than 2dB penalty. 展开更多
关键词 optical label switching RZ-DPSK/ASK extinction ratio(ER) dispersion compensation orthogonal modulation
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Non-blocking 2×2 switching unit based on nested silicon microring resonators with high extinction ratios and low crosstalks 被引量:2
2
作者 Jiayang Wu Xinhong Jiang +4 位作者 Ting Pan Pan Cao Liang Zhang Xiaofeng Hu Yikai Su 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2014年第22期2702-2708,共7页
In this paper,we propose and demonstrate a2 9 2 optical Benes switching unit based on two nested silicon microring resonators(MRRs)monolithically integrated on a silicon-on-insulator(SOI)wafer.High extinction ratios(E... In this paper,we propose and demonstrate a2 9 2 optical Benes switching unit based on two nested silicon microring resonators(MRRs)monolithically integrated on a silicon-on-insulator(SOI)wafer.High extinction ratios(ERs)of about 44.7/38.0 dB and low crosstalk values of about-37.5/-45.2 dB at cross/bar states are obtained with the fabricated device.The operation principle is theoretically studied and the switching function is verified by system demonstration experiments with 10 and12.5 Gb/s non-return-to-zero(NRZ)signals.The switching speed on the order of gigahertz based on free carrier effect in silicon is also experimentally demonstrated. 展开更多
关键词 切换功能 消光比 谐振器 微环 嵌套 非阻塞 串音 器具
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全内反射光波导开关器件的理论分析 被引量:6
3
作者 贾玉斌 康寿万 庄婉如 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第6期541-545,共5页
本文基于电磁波理论,给出了光子穿过开关反射区的几率.由此得出了开关特征参数的解析表式,并在此基础上给出了在不同要求下计算反射区宽度d的理论公式,为光开关的设计提供了简明的理论分析方法。
关键词 光开关 串话 消光比 光波导
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光纤水听器时分复用系统串扰的理论分析与仿真研究 被引量:4
4
作者 李舰艇 曹春燕 +1 位作者 倪明 胡永明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期256-260,共5页
串扰是困扰光纤水听器阵列时分复用技术应用发展的重要问题之一。对时分复用系统中通道之间存在的串扰从理论上进行了深入分析,并运用仿真方法研究了系统中的串扰与光开关消光比、复用通道数等因素的关系。
关键词 光纤水听器 时分复用 串扰 光开关 消光比
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基于3×3平行排列耦合器的全光光开关的特性分析 被引量:5
5
作者 李亚捷 吴重庆 付松年 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期400-402,共3页
提出了一种新型的基于3×3平行排列耦合器的全光光开关。此种光开关具有两个独立的输出端口且具有极好的偏振稳定性,消光比可达20dB。介绍了其工作原理,详细分析了信号光强度、控制光强度、光纤长度及耦合器分光比偏差等因素对各端... 提出了一种新型的基于3×3平行排列耦合器的全光光开关。此种光开关具有两个独立的输出端口且具有极好的偏振稳定性,消光比可达20dB。介绍了其工作原理,详细分析了信号光强度、控制光强度、光纤长度及耦合器分光比偏差等因素对各端口消光比的影响。比较了不同种类和长度光纤环的开关性能,首次得到了耦合器分光比偏差对消光比的影响曲线。 展开更多
关键词 平行排列耦合器 全光光开关 消光比
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一种副载波复用OLS光分组产生方案 被引量:1
6
作者 郑勉 邱昆 凌云 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期659-662,共4页
提出了一种采用三分支干涉型调制器来实现单边带副载波标签的光分组产生方案,通过理论分析和仿真实验表明该方案实现了副载波标签的单边带调制,克服了Mach-Zehnder调制器强度调制导致的副载波信号的非线性失真,但存在着净荷信号对副载... 提出了一种采用三分支干涉型调制器来实现单边带副载波标签的光分组产生方案,通过理论分析和仿真实验表明该方案实现了副载波标签的单边带调制,克服了Mach-Zehnder调制器强度调制导致的副载波信号的非线性失真,但存在着净荷信号对副载波标签信号的强度调制。 展开更多
关键词 光标签交换 副载波复用 调制器 消光比
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全光开关的功率代价分析 被引量:1
7
作者 李亚捷 吴重庆 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2010年第5期20-22,共3页
以半导体光放大器为非线性元件的全光开关中,由于SOA中交叉增益调制和交叉相位调制并存,会导致光开关各输出端口性能有所差异。文章分析了双端口全光开关各输出端口消光比、强度噪声及其引发的光接收机功率代价。结果表明反射端消光比... 以半导体光放大器为非线性元件的全光开关中,由于SOA中交叉增益调制和交叉相位调制并存,会导致光开关各输出端口性能有所差异。文章分析了双端口全光开关各输出端口消光比、强度噪声及其引发的光接收机功率代价。结果表明反射端消光比恶化会降低接收机灵敏度,但在反射端由强度噪声导致的功率代价明显小于透射端。 展开更多
关键词 半导体光放大器 全光开关 消光比 强度噪声
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定向耦合器型光开关分叉角对消光比的影响
8
作者 杨亚培 陆荣鑫 刘永智 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期293-296,共4页
本文用光线传输法(BPM)对集成光学无间距定向耦合器型光开关分叉角对消光比的影响进行了数值分析。
关键词 光开关 消光比 光纤通信 光子交换技术
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VCSOA动态开关特性的理论研究
9
作者 秦张淼 罗斌 潘炜 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期34-36,共3页
区别于常规的法布里-珀罗(F-P)腔增益公式,本文结合传输矩阵和载流子速率方程从理论上研究了垂直腔半导体光放大器(VC-SOA)的动态开关特性。模拟结果发现,VCSOA作为光开关应用时,可以达到ns级的开关延时和15dB以上的消光比;在满足增益... 区别于常规的法布里-珀罗(F-P)腔增益公式,本文结合传输矩阵和载流子速率方程从理论上研究了垂直腔半导体光放大器(VC-SOA)的动态开关特性。模拟结果发现,VCSOA作为光开关应用时,可以达到ns级的开关延时和15dB以上的消光比;在满足增益需求的前提下减小顶部分布布拉格反射镜(DBR)的膜层周期,以及正确设置关状态下的抽运电流密度值略高于增益截止区水平,是同时得到较好的开关延时和输出消光比的重要因素。 展开更多
关键词 激光器 开关 传输矩阵法 垂直腔半导体光放大器 消光比
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光控光开关的研究进展 被引量:3
10
作者 王秀彦 吴重庆 +1 位作者 陶滢 李卓毅 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期377-380,388,共5页
对前人提出的多种光开关的方案和最新研究成果进行了概括和总结 ,按照光开关所能处理的信号类型 ,将其分为两类 ,即基于二光平的光控光开关和基于RZ码 (孤子 )的光控光开关。分析和研究了其工作原理和开关特性。对两类光开关的性能进行... 对前人提出的多种光开关的方案和最新研究成果进行了概括和总结 ,按照光开关所能处理的信号类型 ,将其分为两类 ,即基于二光平的光控光开关和基于RZ码 (孤子 )的光控光开关。分析和研究了其工作原理和开关特性。对两类光开关的性能进行了比较。 展开更多
关键词 光控光开关 开关特性 消化比 二光年 RZ码
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偏振保持型磁光光开关的设计方案 被引量:2
11
作者 叶小华 叶会亮 黄旭光 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1011-1014,共4页
提出并分析了偏振保持型(PM)1×2磁光开关的设计方案,采用该设计易于获得紧凑的结构及有效降低器件成本。理论分析了其实现原理以及各个光学参数,并由实验证实了该方案的有效性。设计结果表明,采用该方案能获得低损耗且结构简单的... 提出并分析了偏振保持型(PM)1×2磁光开关的设计方案,采用该设计易于获得紧凑的结构及有效降低器件成本。理论分析了其实现原理以及各个光学参数,并由实验证实了该方案的有效性。设计结果表明,采用该方案能获得低损耗且结构简单的偏振光开关,其不同通道的串扰小,消光比性能优良,易于装配且适于在通信系统中集成。 展开更多
关键词 光开关 偏振 消光比 串扰 接入损耗
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一种提高SOI电光开关消光比的优化设计 被引量:1
12
作者 王皓 瞿鹏飞 +2 位作者 田自君 向鹏飞 孙力军 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第3期375-378,共4页
针对电流注入型SOI光开关在切换时难以克服的消光比变差的问题,提出了一种非对称的开关结构设计。然后依照实际器件的结构建立了SOI光开关的3D光学模型,对光开关中3D光场传输和输出光功率进行了模拟与分析。最后运用该模型对SOI光开关... 针对电流注入型SOI光开关在切换时难以克服的消光比变差的问题,提出了一种非对称的开关结构设计。然后依照实际器件的结构建立了SOI光开关的3D光学模型,对光开关中3D光场传输和输出光功率进行了模拟与分析。最后运用该模型对SOI光开关在电流切换时的消光比变化的问题进行了比较深入的研究,计算结果表明,提出的非对称的开关结构可以将SOI电光开关的消光比提高5dB左右。 展开更多
关键词 Si基光子集成 SOI 电光开关 消光比 3D光学仿真
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电光Q开关消光比的测量以及影响因素分析 被引量:1
13
作者 刘溢嘉 纳全鑫 +2 位作者 张艺轩 王庆 高春清 《激光杂志》 北大核心 2016年第3期79-83,共5页
设计了一种电光Q开关消光比测试系统,将整个系统分为主光路和监视光路,主光路由起偏器、检偏器、电光晶体、主探测器组成,用于测量电光晶体在加压和不加压的情况下的透射光功率;用一个监视探测器测量监视光路的透射光功率以便校正激光... 设计了一种电光Q开关消光比测试系统,将整个系统分为主光路和监视光路,主光路由起偏器、检偏器、电光晶体、主探测器组成,用于测量电光晶体在加压和不加压的情况下的透射光功率;用一个监视探测器测量监视光路的透射光功率以便校正激光器的功率波动的影响。对起偏器和检偏器的透过率、自身消光比,激光器功率的波动,激光器功率的大小,激光器的偏振态,电光晶体的外加电压对电光Q开关消光比测量的影响逐一进行了分析。利用所设计的电光Q开关消光比测试系统进行了影响因素的验证实验,最后提出了消除或减小这些因素的影响的措施。 展开更多
关键词 电光Q开关 消光比 影响因素
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基于光开关的新型激光探测技术研究 被引量:1
14
作者 杨进川 张小龙 刘锋 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期847-849,共3页
文中针对在浓密介质中进行激光探测时,所遇到的介质后向散射致使探测器饱和及疲劳接收问题,提出了一种基于光开关的新型激光探测技术,可以去除介质中强后向散射,解决探测器饱和及持续疲劳接收问题,从而实现浓密介质激光目标探测的高灵敏... 文中针对在浓密介质中进行激光探测时,所遇到的介质后向散射致使探测器饱和及疲劳接收问题,提出了一种基于光开关的新型激光探测技术,可以去除介质中强后向散射,解决探测器饱和及持续疲劳接收问题,从而实现浓密介质激光目标探测的高灵敏度,为达到更远探测距离提供了新的技术手段。 展开更多
关键词 激光探测 光开关 后向散射 消光比
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有源光开关交换矩阵中的SOA门性能分析 被引量:1
15
作者 胡晓君 刘德明 黄德修 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1999年第10期7-9,共3页
阐述了基于半导体光放大器(SOA) 的有源光开关独特的优点.对SOA 作为开关中的选通门的四个性能参数即开关速度、消光比、噪声指数和动态范围作了分析,指出了改善各性能参数的途径.
关键词 半导体光放大器 开关速度 SOA 有源光开关
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正交调制光标记交换系统的传输特性研究 被引量:2
16
作者 李钇潭 陈相玮 +2 位作者 许也 邬昊昱 曹永盛 《新型工业化》 2017年第3期1-5,共5页
本文提出了一种正交调制光标记交换系统,将幅移键控(ASK)净荷与频移键控(FSK)光标记引入该系统,利用仿真对携带40Gb/sASK净荷和2.5Gb/sFSK标记的光标记交换系统传输的性能进行了验证。同时,通过对系统消光比(ER)与色散补偿方案进行优化... 本文提出了一种正交调制光标记交换系统,将幅移键控(ASK)净荷与频移键控(FSK)光标记引入该系统,利用仿真对携带40Gb/sASK净荷和2.5Gb/sFSK标记的光标记交换系统传输的性能进行了验证。同时,通过对系统消光比(ER)与色散补偿方案进行优化,得到了传输性能最佳的ASK/FSK光标记交换系统模型:FSK标记与ASK净荷接收灵敏度在背靠背传输时分别达到-19.8d Bm与-16d Bm,传输100km后,功率代价小于5d B。 展开更多
关键词 通信与信息系统 正交调制 光标记交换系统 高速光通信 消光比
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基于半导体光放大器的开关矩阵级联规模的研究
17
作者 陈俊 刘应开 杜雷鸣 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2003年第4期38-41,共4页
分析了几种基于半导体光放大器的开光矩阵的级联特性 ,结果表明矩阵 -矢量 ( matrix-vactor)开关规模的大小严重受限于大的分光损失 ,波导损失和耦合损失 .然而对于分布增益矩阵 -矢量开关矩阵和 Benes开关矩阵 ,放大自发辐射噪声 ( ASE... 分析了几种基于半导体光放大器的开光矩阵的级联特性 ,结果表明矩阵 -矢量 ( matrix-vactor)开关规模的大小严重受限于大的分光损失 ,波导损失和耦合损失 .然而对于分布增益矩阵 -矢量开关矩阵和 Benes开关矩阵 ,放大自发辐射噪声 ( ASE)的积累和信号的非理想消光比是限制系统级联规模的主要因素 .当信号光功率较大时 ,非理想消光比对级联的规模有大的影响。 展开更多
关键词 半导体光放大器 光开关矩阵 级联规模 光通信网 放大自发辐射噪声 增益饱和 消光比
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网格结构微环谐振电光开关阵列的特性分析
18
作者 汪玉海 贺可川 +5 位作者 马宁伯 王春旭 张永玲 宋明星 王国峰 秦政坤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期197-205,共9页
设计了由N+1条水平通道、N条竖直通道和2 N个微环构成的电光开关阵列器件,并对其传输特性进行了分析.通过在列微环上加载不同的工作电压,实现相应通道的开关功能.以5×4通道8微环结构为例,取波导芯的宽度与厚度均为1.5μm,波导芯与... 设计了由N+1条水平通道、N条竖直通道和2 N个微环构成的电光开关阵列器件,并对其传输特性进行了分析.通过在列微环上加载不同的工作电压,实现相应通道的开关功能.以5×4通道8微环结构为例,取波导芯的宽度与厚度均为1.5μm,波导芯与电极之间的限制层厚度为2.0μm,电极厚度为0.05μm,微环与通道之间的耦合距离为0.1μm.当开关电压为8 V时,该器件的插入损耗在2.79~4.31 dB范围内,串扰在-20 dB以下,消光比在12.5 dB以上. 展开更多
关键词 微环谐振 电光开关 插入损耗 串扰 消光比
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光分组交换中SOA光载波的恢复
19
作者 任宇 《河南科技学院学报(自然科学版)》 2012年第5期49-53,共5页
论述了在不同脉冲宽度下,半导体光放大器SOA的增益随载流子密度变化的峰两侧出现不同情况的特点.并依据这一特点,进行了光分组交换OPS中的光载波恢复.仿真模拟了当光纤长度50 km时,100 GHz频段的消光比达到7.20 dB的信号,进行的SOA光载... 论述了在不同脉冲宽度下,半导体光放大器SOA的增益随载流子密度变化的峰两侧出现不同情况的特点.并依据这一特点,进行了光分组交换OPS中的光载波恢复.仿真模拟了当光纤长度50 km时,100 GHz频段的消光比达到7.20 dB的信号,进行的SOA光载波恢复为0.257 mV. 展开更多
关键词 光分组交换 半导体放大器 光载波恢复 消光比
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一种小型化1×4保偏磁光光开关的设计
20
作者 贾畔峰 叶小华 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期657-659,共3页
设计并论证了一种小型化偏振保持型(PM)1×4磁光光开关。阐述并分析了器件结构及开关原理,对器件的接入损耗、通道串扰、偏振消光比等参数进行了仿真,论证了设计的可行性。
关键词 光开关 损耗 偏振消光比 通道串扰
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