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Integrated model optocouplers 被引量:5
1
作者 LIYinghui QITianyou 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1995年第1期77-80,共4页
IntegratedmodeloptocouplersLIYinghui;QITianyou(ChongqingOptoelectronicsResearchInstitute,Yongchuan632163,CHN... IntegratedmodeloptocouplersLIYinghui;QITianyou(ChongqingOptoelectronicsResearchInstitute,Yongchuan632163,CHN)Abstract:Utilizi... 展开更多
关键词 光耦合器 混合集成电路 绝缘 综合模型
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Progress in complementary metal–oxide–semiconductor silicon photonics and optoelectronic integrated circuits 被引量:7
2
作者 陈弘达 张赞 +2 位作者 黄北举 毛陆虹 张赞允 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第12期1-13,共13页
Silicon photonics is an emerging competitive solution for next-generation scalable data communications in different application areas as high-speed data communication is constrained by electrical interconnects. Optica... Silicon photonics is an emerging competitive solution for next-generation scalable data communications in different application areas as high-speed data communication is constrained by electrical interconnects. Optical interconnects based on silicon photonics can be used in intra/inter-chip interconnects, board-to-board interconnects, short-reach communications in datacenters, supercomputers and long-haul optical transmissions. In this paper, we present an overview of recent progress in silicon optoelectronic devices and optoelectronic integrated circuits (OEICs) based on a complementary metal-oxide-semiconductor-compatible process, and focus on our research contributions. The silicon optoelectronic devices and OEICs show good characteristics, which are expected to benefit several application domains, including communication, sensing, computing and nonlinear systems. 展开更多
关键词 silicon photonics silicon LED grating coupler silicon modulator optoelectronic integrated circuits
原文传递
微波光子集成及前沿展望(特邀) 被引量:5
3
作者 李明 郝腾飞 +5 位作者 潘时龙 邹喜华 恽斌峰 邹卫文 李伟 闫连山 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第7期25-38,共14页
微波光子学是一门融合了微波技术和光子技术的交叉学科,是研究光波和微波在媒质中的相互作用以及在光频域实现微波信号的产生、处理、传输及接收的微波光波融合系统。由于现有的微波光子系统大多由分立器件组成,在体积、功耗、稳定性、... 微波光子学是一门融合了微波技术和光子技术的交叉学科,是研究光波和微波在媒质中的相互作用以及在光频域实现微波信号的产生、处理、传输及接收的微波光波融合系统。由于现有的微波光子系统大多由分立器件组成,在体积、功耗、稳定性、成本等方面仍有待提升,因此集成化是微波光子技术发展的必然趋势。文中探讨了微波光子集成技术面临的主要科学与技术问题,总结了该技术的发展现状和前沿研究进展,并对其未来发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 微波光子学 集成微波光子学 光电子学 光电集成 光子集成电路
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硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现 被引量:2
4
作者 梁恩主 冯军 +2 位作者 郑婉华 王志功 陈良惠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1-2,16,共3页
介绍前置电路对光电探测器性能的影响和给出一种适用于硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现。
关键词 光电集成电路 CMOS 光电探测器 前置放大电路 硅基
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1.25Gb/sInP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成(英文) 被引量:2
5
作者 李献杰 曾庆明 +7 位作者 徐晓春 敖金平 赵方海 杨树人 柯锡明 王志功 刘式墉 梁春广 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期468-472,共5页
描述了一种基于 In P材料沿 [0 11]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的 In P基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成 .通过一个横向缓冲台面结构 ,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度 ,改善了光发射单片光电... 描述了一种基于 In P材料沿 [0 11]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的 In P基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成 .通过一个横向缓冲台面结构 ,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度 ,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性 .采用该方法制作的光发射单片直流功耗为 12 0 m W,在码长 2 2 3- 1传输速率 1.5 Gb/ s伪随机码信号调制下有清晰的眼图 ,光输出功率为 2 d 展开更多
关键词 光发射 单片集成 光电集成电路 磷化铟 多量子阱激光器 HBT驱动电路
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新型DVD/VCD光学头用PDIC的研制 被引量:5
6
作者 梁恩主 郑婉华 +4 位作者 冯军 李远境 李卉 王志功 陈良惠 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期347-350,共4页
PDIC是DVD/VCD光学头的关键部件。基于硅基工艺并采用混合集成的方法 ,研制出DVD和VCD兼容的、功能与国外同类商用产品相当的PDIC。着重介绍了器件设计思想、实现方法和测试结果。
关键词 光电集成电路 DVD/VCD PDIC 光学头
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液态金属离子源聚焦离子束系统在微米/纳米技术中的应用 被引量:6
7
作者 董桂芳 张克潜 +1 位作者 汪健如 应根裕 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期110-114,共5页
随着微米/纳米科学技术的发展,微细加工微区分析所用的主要技术之一──聚焦离子束技术引人注目.本文简述了具有液态金属离子源的聚焦离子束技术的主要功能,着重报道了近年来该技术在下述领域中的应用:(1)半导体大规模集成电路... 随着微米/纳米科学技术的发展,微细加工微区分析所用的主要技术之一──聚焦离子束技术引人注目.本文简述了具有液态金属离子源的聚焦离子束技术的主要功能,着重报道了近年来该技术在下述领域中的应用:(1)半导体大规模集成电路器件的集成、失误诊断和修复.(2)光电子集成技术中量子阱激光器和光纤相位掩模的制备及量子效应研究.(3)超导器件和真空微电子器件的研制.(4)二次离子质谱分析和透射电子显微镜样品的制备. 展开更多
关键词 聚焦离子束 液态金属离子源 IC 微米/纳米技术
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一种硅基金属狭缝表面等离子体波导的设计 被引量:3
8
作者 李志全 冯思远 +3 位作者 孙宇超 牛力勇 王志斌 张波 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期20-23,共4页
设计了一种适用于光电子集成电路的表面等离子体波导结构.利用三维全矢量时域有限差分法对该波导结构进行了数值模拟,并分析了其在基模传输时的模式场分布与金属结构顶角的关系以及其能量限制性.研究了该波导结构在不同金属材料下的有... 设计了一种适用于光电子集成电路的表面等离子体波导结构.利用三维全矢量时域有限差分法对该波导结构进行了数值模拟,并分析了其在基模传输时的模式场分布与金属结构顶角的关系以及其能量限制性.研究了该波导结构在不同金属材料下的有效折射率和传播长度对芯层宽度的依赖关系,讨论了两个该波导结构之间的耦合长度、最大转移功率和彼此间的串扰.结果表明:光场被高度限制在芯层区域,在金属结构顶角为135°时,其能量限制因子更高;在金属材料确定的情况下,有效折射率随芯层宽度增大而减小,而传播长度增大;在芯层宽度一定的条件下,两个波导结构间的耦合长度随波导间距增大而增大,最大转移功率和串扰随波导间距增大而减小. 展开更多
关键词 集成光学 光波导 表面等离子体波导 时域有限元差分法 光电子集成电路
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SiGe/Si异质结光电器件 被引量:2
9
作者 刘国军 叶志镇 +3 位作者 吴贵斌 孙伟峰 赵星 赵炳辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期116-119,共4页
SiGe/Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域。综述了SiGe/Si异质结材料的基本性质,SiGe/Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成。重点介绍了SiGe/Si光电探测器及其与其他相关器件... SiGe/Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域。综述了SiGe/Si异质结材料的基本性质,SiGe/Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成。重点介绍了SiGe/Si光电探测器及其与其他相关器件的集成。 展开更多
关键词 SIGE/SI异质结 光电器件 光电集成
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硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器 被引量:1
10
作者 庄婉如 石志文 +3 位作者 杨培生 梅野正義 神保孝志 曾我哲夫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期960-964,共5页
采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效... 采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效率11%. 展开更多
关键词 半导体 激光器 光电集成 量子阱
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应用于塑料光纤通信接收芯片的集成光电探测器(英文) 被引量:4
11
作者 史晓凤 程翔 +3 位作者 陈朝 颜黄苹 范程程 李继芳 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期32-37,共6页
基于0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器,包括传统的P+/N-EPI/BN+结构光电探测器和多叉指P+/N-EPI/BN+结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和... 基于0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器,包括传统的P+/N-EPI/BN+结构光电探测器和多叉指P+/N-EPI/BN+结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和性能,测试结果表明:多叉指状P+/NEPI/BN+光电探测器能够改善650nm的响应度以及降低结电容.选择该结构大面积P+/N-EPI/BN+光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器的单片集成,采用0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺实现了一个用于650nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.该光接收芯片的测试结果表明:对650nm的入射光,在160 Mb/s速率的伪随机二进制序列以及小于10-9的误码率条件下,光接收芯片的灵敏度为-15dBm,并能得到清晰的眼图.因此,本文设计的光电探测器可以很好地应用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中. 展开更多
关键词 塑料光纤通信 光接收芯片 单片光电集成 光电探测器 硅基 多叉指P^+ N—EPI BN^+
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光子集成研究进展 被引量:4
12
作者 陈向飞 唐松 《电信科学》 北大核心 2015年第10期1-8,共8页
为了适应互联网及无线通信的快速发展,对分立的半导体器件的集成是目前光通信领域的研究热点,是未来光通信系统硬件的发展方向。首先介绍了光子集成的研究背景,探讨了制作光子集成芯片的必要性与紧迫性。接着介绍了目前主流的光子集成... 为了适应互联网及无线通信的快速发展,对分立的半导体器件的集成是目前光通信领域的研究热点,是未来光通信系统硬件的发展方向。首先介绍了光子集成的研究背景,探讨了制作光子集成芯片的必要性与紧迫性。接着介绍了目前主流的光子集成技术以及国际上的研究成果。最后对光子集成面临的挑战及问题做了相关的论述,探讨了光子集成技术的发展趋势及其应用领域。 展开更多
关键词 光子集成 半导体器件 光电子
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2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数 被引量:3
13
作者 高建军 高葆新 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期800-805,共6页
对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟... 对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/ 展开更多
关键词 高速光集成电路 光发射机 驱动电路 HEMT器件模型参数
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新颖的硅基光电材料 被引量:3
14
作者 叶志镇 黄靖云 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第1期11-13,共3页
光电集成是未来信息技术发展的重要方向之一,硅基光电集成具有巨大的应用前景,在硅基材料及集成方面源头创新空间很大。论述了新颖的硅基材料研究现状及应用前景。
关键词 光电集成 硅基光电材料 硅基异质结构
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高性能硅基MOS电光相位调制器(英文) 被引量:2
15
作者 黄北举 陈弘达 +2 位作者 刘金彬 顾明 刘海军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2089-2093,共5页
提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率.模拟显示,调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2·4V·cm,上升和下降时间分别为80和40ps ,带宽达到... 提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率.模拟显示,调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2·4V·cm,上升和下降时间分别为80和40ps ,带宽达到了8GHz .通过减小器件尺寸能进一步提高调制效率和调制速度. 展开更多
关键词 载流子积累 等离子色散效应 电光相位调制器 金属-氧化物-半导体 光电子集成回路
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一种新型DVD激光读取头光电检测集成电路的研制 被引量:1
16
作者 胡海军 李挥 +4 位作者 张政操 安杰 马建设 程雪岷 林家用 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期839-843,共5页
在介绍DVD光学头工作原理和伺服检测方法的基础上,提出了一种芯片面积小、输出失调电压低的单片集成的PDIC(Photo Detecting Integrated Circuit)的设计方案。芯片采用0.6μm CMOS工艺来实现,用于光检测的四象限PIN光电二极管阵列,在入... 在介绍DVD光学头工作原理和伺服检测方法的基础上,提出了一种芯片面积小、输出失调电压低的单片集成的PDIC(Photo Detecting Integrated Circuit)的设计方案。芯片采用0.6μm CMOS工艺来实现,用于光检测的四象限PIN光电二极管阵列,在入射光波长为650nm情况下,响应度为0.32A/W。互阻放大器的-3dB带宽可达到100MHz,单个通道灵敏度可达到25mV/μW,平均直流偏置失调电压可减小到10mV。 展开更多
关键词 光存储 光电检测 光电二极管 模拟集成电路
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一种新型高速光保持模块 被引量:1
17
作者 傅鑫 张洪明 姚敏玉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2491-2494,共4页
针对光电混合模数转换系统中采样光脉冲很窄,高速积分保持电路实现较困难这一问题,本文提出了一种新型的高速光保持模块.通过使用多个耦合器组成的无源结构,将采样后的超窄光脉冲转换成一族脉冲簇,再经过光电转换和电低通滤波,得到了顶... 针对光电混合模数转换系统中采样光脉冲很窄,高速积分保持电路实现较困难这一问题,本文提出了一种新型的高速光保持模块.通过使用多个耦合器组成的无源结构,将采样后的超窄光脉冲转换成一族脉冲簇,再经过光电转换和电低通滤波,得到了顶部较平、脉宽较宽的脉冲,有助于降低后续处理电路的复杂度.实验结果表明,这种结构能够较好地实现将超窄脉冲展宽成平顶宽脉冲的功能. 展开更多
关键词 激光技术 光电混合模数转换 积分保持电路 脉冲展宽
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硅基光电子与微电子单片集成研究进展 被引量:9
18
作者 黄北举 张赞 +3 位作者 张赞允 张欢 程传同 陈弘达 《微纳电子与智能制造》 2019年第3期55-67,共13页
硅基光电子具有与CMOS工艺兼容,借助成熟的微电子加工工艺平台可以实现大规模批量生产,具有低成本、高集成度、高可靠性的优势。通过CMOS工艺可以实现硅基光电子和微电子的单片集成,发挥光电子在信息高速传输和微电子在信息高效处理的优... 硅基光电子具有与CMOS工艺兼容,借助成熟的微电子加工工艺平台可以实现大规模批量生产,具有低成本、高集成度、高可靠性的优势。通过CMOS工艺可以实现硅基光电子和微电子的单片集成,发挥光电子在信息高速传输和微电子在信息高效处理的优势,充分实现微电子与光电子的融合与取长补短,实现性能更优的光电集成芯片。介绍了国内外硅基光电子器件与集成芯片的研究进展,重点介绍了本课题组在硅基光电子与微电子集成方向的研究进展,包括硅基激光器、硅基光调制器、硅基发光器件与控制电路单片集成、硅基光电探测器与接收电路单片集成、硅基微环滤波器与温控电路单片集成、单片集成硅光收发芯片等。 展开更多
关键词 硅基光电子 微电子 光电集成 光互连
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硅基光电器件研究进展 被引量:1
19
作者 郭宝增 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期19-24,共6页
在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用。然而,因为硅是间接带隙半导体,试图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难。为解决这一困难,人们发展了多种与硅微电子集成电路兼容的光电子器件制造技术。... 在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用。然而,因为硅是间接带隙半导体,试图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难。为解决这一困难,人们发展了多种与硅微电子集成电路兼容的光电子器件制造技术。本文介绍最近几年这方面技术的发展情况。 展开更多
关键词 多孔硅 光电子器件 硅集成电路 半导体光电器件
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Si基光电子学研究进展 被引量:8
20
作者 余金中 《半导体杂志》 1998年第1期21-32,共12页
作为“第二代硅”,Si基异质结材料为世人所嘱目,Si基光电子器件及光电集成(OEIC)是当前世界范围的热门课题。本文综述Si基异质材料的外延生长和特性、Si基光电子器件的结构和性能及其应用,着重介绍SiGe/Si的研... 作为“第二代硅”,Si基异质结材料为世人所嘱目,Si基光电子器件及光电集成(OEIC)是当前世界范围的热门课题。本文综述Si基异质材料的外延生长和特性、Si基光电子器件的结构和性能及其应用,着重介绍SiGe/Si的研究进展。 展开更多
关键词 光电子学 光电集成 异质结构
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