效率增强的新型蓝色有机发光器件

使用一种新型空穴传输材料J0 5 0 3制备了不同结构、不同发光层厚度的两组蓝色发光器件 ,其结构为 :ITO/CuPc/J0 5 0 3 /JBEM∶perylene/Alq3 /LiF/Al和ITO/CuPc/J0 5 0 3 /JBEM∶perylene/TPBi/Alq3 /LiF/Al,这里CuPc(Copperphthalocyanine)和LiF分别为空穴注入层 (HIL)和电子注入层 (EIL) ,J0 5 0 3为空穴传输层 (HTL) ,JBEM( 9,1 0 bis( 3 5 diaryl)phenylanthracene)为发光层 (EML) ,TPBi( 1 ,3 ,5 tri(phenyl 2 benzimidazole) benzene)为空穴阻挡层 (HBL) ,Alq3 (tris( 8 quinolinolato)aluminiumcomplex)为电子传输层 (ETL)。两种结构中前者为无阻挡层的普通型结构 ,后者在发光层和电子传输层中加入了空穴阻挡层 ,是新型阻挡层结构。研究了空穴阻挡层的引入在不同厚度发光层时对器件发光性能的影响 ,结果表明 ,新型阻挡层结构能明显提高器件的亮度和效率 ,但依赖于发光层厚度 ,利用能级图分析了其中的原因。

MoO3为缓冲层的高效非掺杂蓝色有机发光二极管

以典型蓝色发光材料-联苯乙烯衍生物(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-1,1'-biphenyl,DPVBi)为发光层,采用MoO3为阳极缓冲层制备了结构简单的非掺杂型蓝色有机电致发光器件。在电流密度为20 mA/cm2、MoO3缓冲层厚度为0.5 nm对器件效率约为无缓冲层器件效率的18倍,为通常酞菁铜(Copper phthalocya-nine,CuPc)缓冲层器件效率的1.2倍。器件启亮电压为3.3 V,最高外量子效率为3.1%,最高亮度达到16 000 cd/m2,器件CIE色坐标(Commission Internationale de l'Eclairage co-ordinates)为(0.15,0.15)。器件性能的提升归因于MoO3缓冲层的插入在阳极/有机层间形成了良好的欧姆接触。

输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响

基于一些合理假设与近似,建立了具有欧姆接触栽流子注入的双层有机电致发光器件的解析模型.模型中计算参数只有空穴和电子输运层的厚度、迁移率、外加电压及材料参数Fh和Fe,且这些参数都是可以通过测量得到的.研究了材料参数Fh,Fe对器件复合电流密度的影响及空穴输运层厚度和载流子迁移率对器件电场强度和复合电流密度的影响.结果表明:空穴输运层厚度和载流子迁移率引起电场强度的重新分布,进而对复合电流密度产生影响;接触限制电极注入少数载子的器件可以取得比欧姆接触注入多数载流子的器件更高的复合电流.

发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件:ITO/TPD/Alq3/Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nm的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。

BePP_2沉积速率以及厚度对蓝光OLED性能的影响

实验采用真空热蒸镀方法，在高准确度膜厚控制仪的监控下，制备了结构为ITO／2T-NATA（25nm）／NPB（30nm）／BePP2（Xnm）／A1q3（30nm）／LiF（0．6nm）／Al（80nm）的蓝光器件，并对其发光层（BePP2）薄膜的沉积速率以及厚度对器件的亮度、发光效率影响进行了分析和实验研究．结果表明：当束源炉孔径为垂1．5mm，束源炉温度在120℃～150℃区域，BePP2的蒸镀速率比较平滑，斜率变化小，易于膜厚精准控制，且薄膜较致密满足器件需要；BePP2在最佳沉积速率为0．02nm／s（蒸发温度为135oC），且发光层厚度为35nm时，可获得启亮电压为5．34V、发光亮度为9100cd／m2、发光效率达4．4cd／A的较理想蓝光器件．

发光层位置对白光有机发光二极管的影响(英文)

同一种主体材料MADN中混掺不同的掺杂剂,分别制备了两种白光有机发光二极管,测试并研究了它们的发光效率、寿命、发光亮度、电致发光光谱以及色平衡度。结果表明,两种白光器件的性能受发光层的顺序和厚度的影响显著。发光层顺序由阳极到阴极方向为橙/蓝的器件的稳定性要优于发光层顺序为蓝/橙的器件,这是由于橙光发光层中的rubrene对空穴的陷进作用可捕获穿越橙光发光层中的空穴,从而有效地调控了器件内部的电子、空穴浓度的平衡。通过对器件的优化,制得了色坐标为(0.320 1,0.345 9)的接近标准白光的有机电致发光器件。

ZnCdS/Cd_xZn_(1-x)Se_yS_(1-y)量子点量子阱及有机-无机LED

为了提高无机纳米发光材料的发光效率和有机-无机杂化电致发光器件的性能,使用有机金属前驱体法,制备了具有化学组分梯度的ZnCdS/CdxZn1-xSeyS1-y量子点量子阱材料以及CdxZn1-xSeyS1-y量子点材料。观察到相同反应温度与反应物配比所制得的ZnCdS/CdxZn1-xSeyS1-y光致发光峰相较于CdxZn1-xSeyS1-y出现明显的蓝移,且荧光量子效率有一定的提高,最高可达60.6%。通过在反应过程中调节Se与S的比例,观察到了反应产物的光致发光峰随Se比例的减少而逐渐蓝移。结果表明,与使用纯无机纳米材料作为有源层的器件相比,使用量子点量子阱材料制备的有机-无机杂化LED的电流效率提高了4.3倍。