有机多层量子阱结构的光致发光特性的研究

采用多源高真空有机分子束沉积系统(OMBDs),将两种有机小分子材料PBD和Alq3以交替生长的方式,制备了不同厚度的PBD/Alq3有机多层量子阱结构(OMQWs),并利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定了PBD和Alq3的最低空分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)。该结构类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构,PBD层作为势垒层,Alq3层作为势阱层和发光层,并进行了小角X射线衍射(XRD)的测量。利用荧光光谱研究了OMQWs光致发光(PL)特性,得到随着阱层厚度的降低,光致发光的峰位将蓝移;同时随垒层厚度的减小,PBD的发光峰逐渐消失。利用量子阱结构可以使PBD的能量有效的传递给Alq3,从而增强Alq3的发光。

多层结构有机物薄膜制备及光致发光特性

利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝（Alq）和叔丁基联苯基苯基二唑（PBD）交替生长的多层结构薄膜．低角X射线衍射测量表明，样品具有良好的层状结构；光吸收及光致发光测量结果表明，随着PBD层厚度的减薄，激发态能量发生了从PBD向Alq层中转移的现象．

有机多层阱结构中光谱蓝移的研究

为了研究有机多层阱结构中光谱蓝移的原因,制备了以N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)为垒层和以Tris-(8-quinolinolato)aluminum(Alq3)为阱层的有机多层阱结构器件.利用光致发光的方法,对具有不同周期及不同阱层厚度的有机多层阱结构器件进行研究.分析认为有机多层阱结构中的光谱蓝移是由于光谱重叠造成的,而并非量子尺寸效应或激子限制效应.

多层周期结构有机物薄膜制备及其发光特性研究

利用高真空多源型有机分子沉积系统制备了同８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）和叔丁基联苯基苯基呃二唑（ＰＢＤ）交替生长的有机多层周期结构，小角Ｘ－射线衍射分析表明，样品具有良好的、完整的结构特性，并且界面质量很好．光致发光测量中发现，对于由以上两种材料制备的周期结构，激发态能量发生了从ＰＢＤ层向Ａｌｑ３中转移的现象，并且随着ＰＢＤ层厚度的变薄，这种能量转移现象更加明显．电致发光测量中发现谱线在室温下有蓝移及窄化现象．

一种有机多层量子阱结构能量转移的研究

将有机材料PBD和Alq3交替生长,制备PBD/Alq3有机多层量子阱结构(OMQWs)。利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定PBD和Alq3最低空分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)。从能带图可看出,类似于无机半导体中的I型量子阱结构。利用小角X射线衍射(XRD)和荧光光谱研究了OMQWs的结构特征和光致发光特性。本文基于四个周期制备了不同势垒层和势阱层厚度的样品。随着势垒层厚度地变化,PBD与Alq3之间的能量转移也有所变化,文中将给与讨论。

有机多层量子阱结构的发光特性及应用的研究进展

有机电致发光器件(OLEDs)的研究不断地深入,其亮度、效率、寿命等发光特性也得到了较大地提高。近些年,Forrest等人提出有机多层量子阱结构(OMQWs)的概念,随后又将其应用到OLEDs中,从而增强了具有这种结构的器件的发光特性。本文从这种结构的分类、结构表征、吸收特性、光致发光及电致发光等特性和应用方面进行讨论,进而总结了有机电致发光主要应用和研究进展,并提出存在的问题及展望。

高亮度掺杂红色有机电致发光器件的制备与光电性能研究

采用真空热蒸镀的方法，在高精度膜厚控制仪监控下，实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀，其中发光层采用主体材料与掺杂材料在一个真空腔体同时共同蒸发，制备了一种高亮度多层结构的红色有机电致发光（OLED）器件：ITO-CuPc（20nm）-α-NPD（60nm）-Alq3（40nm）：Rubrene（10％）：DCJTB（1％）Alq3（20nm）LiF（10nm）-Al（100nm）。研究发现：驱动在电压为5～52V变化时，其亮度基本满足线性增加关系，随之饱和；随着驱动电压的变化，其电致发光光谱有蓝移的现象，发射峰从638nm变到632nm，同时色坐标CIE…值也发生相应的变化；器件的流明效率在驱动电压较低时（V=5V），达到最大值ηλmax=0．497 1m·W^-1，随着驱动电压的增加，流明效率有降低的趋势。

ZnO/AlN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究

用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温Al N缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及Al N(000l)的衍射峰。ZnO/Al N/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460″和1105″;干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20cm-1;3μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5nm;激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h。低温10K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线。所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入Al N为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量。