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Fabrication of Tm-Doped Fibers for High Power and 121W Output All-Fiber Tm-Doped Fiber Laser 被引量:3
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作者 邢颍滨 廖雷 +4 位作者 步凡 王一礴 彭景刚 戴能利 李进延 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第3期52-55,共4页
We fabricate the Tm-doped double cladding silica fiber by using the vapor-solution hybrid-doping method, then build up an all-fiber Tin-doped fiber laser which can provide the output power of up to 121 W, correspondin... We fabricate the Tm-doped double cladding silica fiber by using the vapor-solution hybrid-doping method, then build up an all-fiber Tin-doped fiber laser which can provide the output power of up to 121 W, corresponding to a slope efficiency of 51% and an optical-optical efficiency of 48%. By using the domestic Tin-doped fiber, it is the first time a hundred-watt level output at 1915nm has been achieved, to the best of our knowledge. The thermal effect of Tm-doped fiber laser is also analyzed. 展开更多
关键词 Fabrication of Tm-Doped Fibers for High power and 121W output All-Fiber Tm-Doped Fiber laser TM
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Development of Surface Grating Distributed Feedback Quantum Cascade Laser for High Output Power and Low Threshold Current Density
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作者 刘颖慧 张锦川 +3 位作者 江建民 孙素娟 李沛旭 刘峰奇 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第2期60-62,共3页
We report on the room-temperature cascade laser (QCL) at λ -4.7μm. cw operation of a surface grating Both grating design and material distributed feedback (DFB) quantum optimization are used to decrease the thre... We report on the room-temperature cascade laser (QCL) at λ -4.7μm. cw operation of a surface grating Both grating design and material distributed feedback (DFB) quantum optimization are used to decrease the threshold current density and to increase the output power. For a high-reflectivity-coated 13-μm-wide and 4- mm-long laser, high wall-plug efficiency of 6% is obtained at 20℃ from a single facet producing over I W of ew output power. The threshold current density of DFB QCL is as low as 1.13kA/cm^2 at 10℃ and 1.34kA/cm2 at 30℃ in cw mode. Stable single-mode emission with a side-mode suppression ratio of about 30 dB is observed in tile working temperature range of 20-50℃. 展开更多
关键词 DFB QCL Development of Surface Grating Distributed Feedback Quantum Cascade laser for High output power and Low Threshold Current Density
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Experimental Study of Buffer Gas Flow Rate Effect on Output Power of a Copper Vapor Laser
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作者 Saeid Behrouzinia Kamran Khorasani +3 位作者 Saeid Marjani Masoud Sabaghi Mohammad Ebrahim Aeinehvand Sadegh Mohammadpour 《Optics and Photonics Journal》 2016年第2期24-28,共5页
A copper vapor laser with active medium length of 60 cm and bore of 16 mm has been operated and optimized using different buffer gases to investigate the effect of the gas flow rates on the output power. It is found t... A copper vapor laser with active medium length of 60 cm and bore of 16 mm has been operated and optimized using different buffer gases to investigate the effect of the gas flow rates on the output power. It is found that there is a special optimum gas flow rate associated with the type of buffer gas. 展开更多
关键词 Copper Vapor laser Gas Flow Rate output power
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High power 2-μm room-temperature continuous-wave operation of GaSb-based strained quantum-well lasers 被引量:3
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作者 徐云 王永宾 +2 位作者 张宇 宋国峰 陈良惠 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第9期439-441,共3页
A high power GaSb-based laser diode with lasing wavelength at 2 μm was fabricated and optimized. With the optimized epitaxial laser structure, the internal loss and the threshold current density decreased and the int... A high power GaSb-based laser diode with lasing wavelength at 2 μm was fabricated and optimized. With the optimized epitaxial laser structure, the internal loss and the threshold current density decreased and the internal quantum efficiency increased. For uncoated broad-area lasers, the threshold current density was as low as 144 A/cm2 (72 A/cm^2 per quantum well), and the slope efficiency was 0.2 W/A. The internal loss was 11 cm^-1 and the internal quantum efficiency was 27.1%. The maximum output power of 357 mW under continuous-wave operation at room temperature was achieved. The electrical and optical properties of the laser diode were improved. 展开更多
关键词 Galn(As)Sb/AlGaAsSb diode lasers threshold current density output power
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可应用于光纤激光器的高稳定度泵浦源系统研制
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作者 高博 贾鲁风 +1 位作者 霍佳雨 张姗 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2024年第10期16-20,共5页
为了提升光纤激光器的输出性能,研制了一个高稳定度泵浦源系统,包括激光泵浦模块和外围控制系统。泵浦源系统测试结果表明,输出光功率与驱动电流之间具有良好的线性关系,输出光功率的短期稳定度为0.0613%,长期稳定度为0.1080%,而且输出... 为了提升光纤激光器的输出性能,研制了一个高稳定度泵浦源系统,包括激光泵浦模块和外围控制系统。泵浦源系统测试结果表明,输出光功率与驱动电流之间具有良好的线性关系,输出光功率的短期稳定度为0.0613%,长期稳定度为0.1080%,而且输出光谱的中心波长在长时间持续运行中稳定不变。将该泵浦源系统应用于光纤激光器,经过连续测试,输出光谱的中心波长仅发生4 pm的偏移。 展开更多
关键词 激光泵浦源 输出光功率 高稳定度 光纤激光器
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基于锗激光标识的正交实验设计
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作者 康洪亮 《电子工业专用设备》 2024年第4期21-23,共3页
为了得到标识清楚且不损伤锗晶片特性的激光标识,借助于正交实验设计的方法,对激光平均输出功率值、脉冲激光频率和标刻速度对晶片进行了DOE(正交实验设计)和极差分析。通过极差分析得到4个影响因素的主次关系为激光发生器功率值>标... 为了得到标识清楚且不损伤锗晶片特性的激光标识,借助于正交实验设计的方法,对激光平均输出功率值、脉冲激光频率和标刻速度对晶片进行了DOE(正交实验设计)和极差分析。通过极差分析得到4个影响因素的主次关系为激光发生器功率值>标刻速度>激光频率>空白(其余因素)。得到标刻深度的最佳配方为标刻速度200 mm/s,激光发生器平均输出功率值46%,脉冲激光频率为18 kHz。此时标刻深度为230μm。 展开更多
关键词 锗片 激光标识 正交实验 输出功率
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大功率高能脉冲激光电源设计 被引量:1
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作者 李贺龙 徐健 +5 位作者 杨之青 宋家豪 吴周宇 汤义辉 赵爽 丁立健 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期56-61,共6页
根据YAG激光器对大功率高能量脉冲电源的应用需求,设计了一种大功率脉冲激光电源,可实现高脉冲能量重复频率输出及充电电压灵活调控。前级充电网络采用串联LC谐振变换器,后级脉冲形成网络选择晶闸管触发LC放电电路。最终,研制了1台7 kW... 根据YAG激光器对大功率高能量脉冲电源的应用需求,设计了一种大功率脉冲激光电源,可实现高脉冲能量重复频率输出及充电电压灵活调控。前级充电网络采用串联LC谐振变换器,后级脉冲形成网络选择晶闸管触发LC放电电路。最终,研制了1台7 kW实验样机,最大重复频率10 Hz,最高充电电压2.2 kV,可实现单脉冲最高700 J电能输出,满足大功率高能脉冲输出的应用需求,实验测试结果验证了设计的可行性。 展开更多
关键词 YAG激光器 串联LC谐振变换器 脉冲激光电源 高脉冲能量输出
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Compact Diode-Pumped Continuous-Wave Nd:LuVO4 Lasers Operated at 916 nm and 458 nm 被引量:2
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作者 张玲 张春雨 +5 位作者 魏志义 张驰 龙拥兵 张治国 张怀金 王继扬 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第5期1192-1194,共3页
We report the compact diode-pumped continuous-wave (CW) Nd:LuV04 lasers operated at 916nm and 458nm for the first time. The maximum output power of 780mW at 916nm laser is obtained with a slope efficiency of 9.3%. ... We report the compact diode-pumped continuous-wave (CW) Nd:LuV04 lasers operated at 916nm and 458nm for the first time. The maximum output power of 780mW at 916nm laser is obtained with a slope efficiency of 9.3%. We generate 50roW of 458nm blue laser employing a type-Ⅰ critical phase-matched LBO crystal. 展开更多
关键词 FREQUENCY-DOUBLED ND output power YAG laser PERFORMANCE EFFICIENT CRYSTAL
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Diode-Pumped Passive Q-Switched 946 nm Nd:YAG Laser with a GaAs Saturable Absorber
9
作者 王素梅 张秋琳 +4 位作者 张玲 张春雨 张东香 冯宝华 张治国 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第3期619-621,共3页
We report, for the first time to our knowledge, a diode-pumped passive Q-switched 946nm Nd:YAG laser by using a GaAs as saturable absorber. The maximum average output power is 1.24 W at an incident pump power of 15 W... We report, for the first time to our knowledge, a diode-pumped passive Q-switched 946nm Nd:YAG laser by using a GaAs as saturable absorber. The maximum average output power is 1.24 W at an incident pump power of 15 W, corresponding to a slope efficiency of 10%. Laser pulses with pulse duration of 70ns and repetition rate of 330 kHz are generated. 展开更多
关键词 AVERAGE output power SOLID-STATE laserS MICROCHIP laser COUPLER
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Laser Driver for Optic Fiber Gyro with 4 mA to 200 mA Drive Current
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作者 Fei-Xiang Chen Zong-Min Wang +1 位作者 Ying Kong Xin-Mang Peng 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS 2013年第3期277-280,共4页
Abstract---The stability of the drive current is very important for a laser driver, while it is difficult to maintain the current stable at a high value for the laser driver. On the other hand, the range of the drive ... Abstract---The stability of the drive current is very important for a laser driver, while it is difficult to maintain the current stable at a high value for the laser driver. On the other hand, the range of the drive current is expected to be as wide as possible to be applied to different kinds of lasers. In this paper, a high current laser driver for the superluminescent light emitting diode (SLED) is presented, which is used in the optic fiber gyro embedded by a 0.35 μm bipolar complementary metal-oxide-semiconductor transistor (BiCMOS) process. The laser driver provides automatic power control and certain value of current determined by the external resister. The system is based on the optic-electric feedback theory and uses the closed-loop control technique to maintain the drive current stable. The system is capable of producing stable current ranges from 4 mA to 200 mA when the value of external resister changes. 展开更多
关键词 Index Terms---Average power control calibratedreference current high current output laser driver.
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神光Ⅱ升级激光装置基频输出能力提升 被引量:1
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作者 谢静 王利 +8 位作者 刘崇 张艳丽 刘强 汪涛 柴志豪 夏志强 杨琳 张攀政 朱宝强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第19期126-134,共9页
神光Ⅱ升级装置是国际上为数不多常年运行的惯性约束核聚变激光装置,为进一步提升其输出能力以满足更高物理需求,采用新型钕玻璃,并结合增加钕玻璃数、提高氙灯能源配置等措施来提升主放大器的增益能力.改进后的测试表明装置的平均小信... 神光Ⅱ升级装置是国际上为数不多常年运行的惯性约束核聚变激光装置,为进一步提升其输出能力以满足更高物理需求,采用新型钕玻璃,并结合增加钕玻璃数、提高氙灯能源配置等措施来提升主放大器的增益能力.改进后的测试表明装置的平均小信号增益系数从4.15%cm增至4.94%cm,单路小信号增益倍数从9000提升到118000,提升幅度超过了1个数量级,有效降低了高通量下非线性相移引起的激光近场小尺寸调制,提升了装置基频输出能力,为实现更高的打靶能量奠定关键基础.运行打靶验证了装置高峰值功率下基频近场调制的改善,以及10 ns脉冲12.5 kJ的基频输出能力,有力支撑了高通量要求的物理实验目标. 展开更多
关键词 高功率激光 增益能力 输出性能
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LBO晶体对长腔Nd∶GYAP激光器~1μm波段激光性能优化研究
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作者 陈邱笛 郑为比 +2 位作者 张沛雄 李真 陈振强 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第3期405-413,共9页
本文研究了一种在激光谐振腔内额外加入晶体以优化谐振腔稳定性的方式,通过在谐振腔内加入折射率合适的晶体有效提高了激光输出性能。本工作搭建了一台Nd^(3+)∶Gd_(0.1)Y_(0.9)AlO_(3)(Nd∶GYAP)晶体激光器,并在激光谐振腔内置入LBO晶... 本文研究了一种在激光谐振腔内额外加入晶体以优化谐振腔稳定性的方式,通过在谐振腔内加入折射率合适的晶体有效提高了激光输出性能。本工作搭建了一台Nd^(3+)∶Gd_(0.1)Y_(0.9)AlO_(3)(Nd∶GYAP)晶体激光器,并在激光谐振腔内置入LBO晶体,研究对比了LBO对b切和c切晶体激光性能的影响,以及有无LBO时的激光器性能,包括输出功率、激光波长、光束质量和偏振特性。结果表明,当在激光谐振腔内置入LBO后,光谱和光束质量基本没有发生变化,b切Nd∶GYAP激光器的斜率效率从18.9%提高到24.3%,c切Nd∶GYAP激光器的斜率效率从2.87%提高到10.07%,b切晶体的最大输出功率从0.931 W增加到1.254 W,c切晶体的输出功率从63 mW增加到134 mW。置入LBO后,输出激光的偏振由于旋光现象也会在一定程度上发生偏转。因此,在一些必须延长腔长的情况下,如调谐和锁模操作中,该工作为其提供了一种提高激光器斜率效率和输出功率的方法。 展开更多
关键词 LBO Nd∶GYAP ~1μm激光 输出功率 激光光谱 光束质量 偏振特性
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GaN基绿光激光二极管发展现状及趋势
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作者 杜小娟 刘晶 +4 位作者 董海亮 贾志刚 张爱琴 梁建 许并社 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期597-604,共8页
由于氮化镓(GaN)基半导体材料在外延生长技术、外延结构设计方面取得了显著的成果,GaN基绿光激光二极管已广泛应用在激光显示、光纤维通讯、生物医疗器件和光数据存储等领域。综述了绿光激光二极管的发展历程及研究现状;重点详述了导致... 由于氮化镓(GaN)基半导体材料在外延生长技术、外延结构设计方面取得了显著的成果,GaN基绿光激光二极管已广泛应用在激光显示、光纤维通讯、生物医疗器件和光数据存储等领域。综述了绿光激光二极管的发展历程及研究现状;重点详述了导致GaN基绿光激光二极管输出功率低、光束质量差及可靠性差等问题的关键因素及解决方法;探讨了绿光波段量子阱的高In组分导致GaN基激光二极管光电性能骤降方面的问题;总结了制备高性能GaN基绿光激光二极管所面临的挑战仍是外延材料质量差、载流子泄漏严重和强极化效应引起的激射效率低等难题。同时,展望了GaN基绿光激光二极管向智能化和模块化方向发展的趋势以及研究重点。 展开更多
关键词 GaN基绿光激光二极管 输出功率 光束质量 可靠性 外延结构
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1300nm应变补偿量子阱激光器光电性能研究
14
作者 吴亚宁 董海亮 +3 位作者 贾志刚 贾伟 梁建 许并社 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1520-1526,共7页
为了提升1300nm半导体激光器的光电特性,采取k·p方法的激光器模拟软件SiLENSe设计了GaAsSb/GaAsP/InGaAsSb应变补偿激光器,调控了有源区的能带结构,并对该结构进行了仿真计算。结果表明,与传统InGaAsSb/GaAsSb有源区对比,应变补偿... 为了提升1300nm半导体激光器的光电特性,采取k·p方法的激光器模拟软件SiLENSe设计了GaAsSb/GaAsP/InGaAsSb应变补偿激光器,调控了有源区的能带结构,并对该结构进行了仿真计算。结果表明,与传统InGaAsSb/GaAsSb有源区对比,应变补偿结构LD2阈值电流从135mA降低至95mA。在15 A的注入电流下,工作电压从138 V降低至125 V,其输出功率从107W提高到121W,电光转换效率从521提高至646。这主要由于在势垒中引入张应变改善了有源区的能带结构,从而使载流子的泄漏受到抑制,器件性能得到了显著提升。该有源区的设计将对制备高性能中红外单模半导体激光器具有重要的理论参考价值。 展开更多
关键词 半导体激光器 有源区 输出功率 阈值电流 能带结构
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1060 nm锑化物应变补偿有源区激光二极管仿真及其性能研究
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作者 梁财安 董海亮 +3 位作者 贾志刚 贾伟 梁建 许并社 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第9期1624-1634,共11页
本文设计了GaAs基1060 nm高性能激光二极管的有源区结构,通过在有源区中引入锑化物的应变补偿结构GaAsP/InGaAs/GaAsSb/InGaAsSb/GaAsP,改变了有源区的能带结构,解决了禁带宽度对发光波长的限制,将弱Ⅱ型的量子阱能带结构变为Ⅰ型,增大... 本文设计了GaAs基1060 nm高性能激光二极管的有源区结构,通过在有源区中引入锑化物的应变补偿结构GaAsP/InGaAs/GaAsSb/InGaAsSb/GaAsP,改变了有源区的能带结构,解决了禁带宽度对发光波长的限制,将弱Ⅱ型的量子阱能带结构变为Ⅰ型,增大了电子空穴的波函数重叠,提高了激光二极管跃迁概率和辐射复合概率及内量子效率,降低了非辐射复合,有效增强了器件输出功率和电光转换效率。同时,设计了非对称异质双窄波导结构,p侧采用导带差大、价带差小的AlGaAs作为内、外波导层,有利于价带空穴注入有源区且对导带中的电子形成良好的限制。n侧采用导带差小、价带差大的GaInAsP作为内、外波导层,有利于导带电子的注入且对价带中的空穴形成更高的势垒。电子注入势垒和空穴注入势垒分别由原先的218、172 meV降低到148、155 meV,提高了激光二极管的载流子注入效率;电子泄漏势垒和空穴泄漏势垒分别由252、287 meV上升到289、310 meV,增强了载流子限制能力。最后获得的激光二极管的输出功率和电光转换效率分别达到了6.27 W和85.39%,为制备高性能GaAs基1060 nm激光二极管提供了理论指导和数据支撑。 展开更多
关键词 锑化物 应变补偿量子阱结构 非对称异质双窄波导 输出功率 电光转换效率 1060 nm激光二极管 大功率
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400 mW 980 nm泵浦激光器设计 被引量:2
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作者 刘军 李伯中 +6 位作者 陈芳 李子凡 田照宇 钱升起 武宇 屈雪阳 刘锐 《光通信研究》 2023年第2期63-68,共6页
由于当前国内980 nm半导体泵浦激光器设计经验及生产工艺的缺乏,高功率980 nm半导体泵浦激光器核心技术一直无法突破,文章采用国产化解决方案,包括芯片、光栅和耦合光纤等设计与实现,通过应用楔形光纤直接耦合的全金属化封装,选择双光... 由于当前国内980 nm半导体泵浦激光器设计经验及生产工艺的缺乏,高功率980 nm半导体泵浦激光器核心技术一直无法突破,文章采用国产化解决方案,包括芯片、光栅和耦合光纤等设计与实现,通过应用楔形光纤直接耦合的全金属化封装,选择双光栅结构进行波长锁定,实现了-50~75℃工作温度范围内,输出光功率达400 mW的980 nm半导体泵浦激光器的研制,其波长稳定性可达0.01 nm/℃。并且通过了5000 h以上、工作电流800 mA和环境温度75℃的带电老炼测试,为满足高可靠性的国产化泵浦激光器奠定了基础。 展开更多
关键词 980 nm波长 泵浦激光器 400 mW功率输出 波长稳定性
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有源区Be掺杂对1.3μm InAs量子点激光器性能的影响
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作者 杜安天 曹春芳 +2 位作者 韩实现 王海龙 龚谦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期450-456,共7页
利用分子束外延技术在GaAs(100)衬底上生长了1.3μm InAs DWELL量子点激光器结构,研究了有源区Be掺杂对量子点激光器性能的影响。研究表明,对有源区进行Be掺杂可以有效降低InAs量子点激光器的阈值电流密度,提升激光器的输出功率,增加激... 利用分子束外延技术在GaAs(100)衬底上生长了1.3μm InAs DWELL量子点激光器结构,研究了有源区Be掺杂对量子点激光器性能的影响。研究表明,对有源区进行Be掺杂可以有效降低InAs量子点激光器的阈值电流密度,提升激光器的输出功率,增加激光器的温度稳定性。研制的Be掺杂InAs量子点激光器的阈值电流降低到12mA,相应的阈值电流密度仅为100 A/cm2,激光器的最高输出功率达到183 mW,最高工作温度达到了130℃。这对InAs量子点激光器器件在光通信系统中的应用具有重要意义。 展开更多
关键词 量子点激光器 分子束外延 阈值电流密度 输出功率 特征温度
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基于半导体泵浦倍频绿光激光器的探究性实验设计
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作者 钟远聪 邓定南 杨晓冬 《大学物理实验》 2023年第1期29-34,共6页
为探究在谐振腔中倍频晶体位置对绿光激光器输出功率的影响,利用半导体泵浦固体激光实验仪设计了腔内和腔外倍频绿光的探究性实验。分析了绿光倍频效率与基频光束的功率密度及光斑半径之间的关系,分别测量了磷酸钛氧钾(KTP)倍频晶体位... 为探究在谐振腔中倍频晶体位置对绿光激光器输出功率的影响,利用半导体泵浦固体激光实验仪设计了腔内和腔外倍频绿光的探究性实验。分析了绿光倍频效率与基频光束的功率密度及光斑半径之间的关系,分别测量了磷酸钛氧钾(KTP)倍频晶体位于谐振腔内部和外部不同位置时,532 nm倍频绿光的输出功率。其中在腔外倍频实验中,分别设计了腔外不加透镜时KTP晶体位于腔外不同位置,以及加上透镜时KTP晶体位于聚焦位置两种实验方案。同时,在实验中引导学生利用谐振腔理论和高斯光束传输理论等激光原理计算1064 nm基频光在腔内外不同位置的光斑半径,分析了KTP晶体在不同位置时532 nm倍频光输出功率出现差别的原因,以及利用透镜聚焦提高激光功率密度以达到提高倍频效率的方法。 展开更多
关键词 绿光激光器 倍频 输出功率 光斑半径 探究性实验
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激光辐照单结砷化镓光伏电池的输出特性 被引量:13
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作者 华文深 刘晓光 张大铭 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1463-1466,共4页
选取单结砷化镓光伏电池和工作波长为808 nm的半导体激光器,开展激光无线能量传输的研究,实验测试了光伏电池性能参数与激光功率和电池温度的关系。结果表明,光伏电池效率随激光功率的增大呈单峰曲线,激光平均功率密度为67.5 mW/cm^2时... 选取单结砷化镓光伏电池和工作波长为808 nm的半导体激光器,开展激光无线能量传输的研究,实验测试了光伏电池性能参数与激光功率和电池温度的关系。结果表明,光伏电池效率随激光功率的增大呈单峰曲线,激光平均功率密度为67.5 mW/cm^2时效率最大为49.7%。温度升高,开路电压线性下降,从而导致效率线性降低。激光功率越大,开路电压和效率的温度系数越小。 展开更多
关键词 激光无线能量传输 砷化镓 输出特性 激光功率 温度
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激光焊接条件下SiC_w/6061Al铝基复合材料界面反应研究 被引量:9
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作者 刘黎明 牛济泰 田艳红 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期38-40,44,共4页
研究了激光焊接条件下SiCw/6061Al铝基复合材料的界面反应,探讨了激光输出功率、激光脉冲频率等焊接工艺参数对该材料界面反应的影响。结果表明:激光焊接条件下SiCw/6061Al铝基复合材料可焊性差的原因主要是与... 研究了激光焊接条件下SiCw/6061Al铝基复合材料的界面反应,探讨了激光输出功率、激光脉冲频率等焊接工艺参数对该材料界面反应的影响。结果表明:激光焊接条件下SiCw/6061Al铝基复合材料可焊性差的原因主要是与基体6061Al铝合金和增强相SiC晶须间的界面反应Al(l)+SiC(s)→Al4C3(s)+Si(s)有关,激光输出功率是影响界面反应程度的主要焊接工艺参数。在此基础上成功实现了SiCw/6061Al铝基复合材料的激光焊接。 展开更多
关键词 铝基 复合材料 激光功率 界面反应 激光焊接
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