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Power Ratio Gain Technique and General Integral Control
1
作者 Baishun Liu 《Applied Mathematics》 2015年第4期663-669,共7页
In conjunction with general integral control, and synthesizing Singular perturbation and Equal ratio gain techniques, this paper proposes a new control design technique, named Power ratio gain technique, and then by L... In conjunction with general integral control, and synthesizing Singular perturbation and Equal ratio gain techniques, this paper proposes a new control design technique, named Power ratio gain technique, and then by Lyapunov method, theorem to ensure regionally as well as semi-globally asymptotic stability is established in terms of some bounded information. The highlight point is that it not only inherits all the essences of Singular perturbation and Equal ratio gain techniques but also makes up for their shortcomings, and then the conservatism of control input can be improved by compromising the Power ratio coefficients. Theoretical analysis, design example and simulation results show that Power ratio gain technique is a simple, practical and powerful tool to deal with the uncertain nonlinear system. 展开更多
关键词 GENERAL Integral CONTROL Nonlinear CONTROL Robust CONTROL Equal RATIO gain TECHNIQUE SINGULAR Perturbation TECHNIQUE power RATIO gain TECHNIQUE output Regulation
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无线电波发射功率防爆要求与检测方法 被引量:1
2
作者 孙继平 彭铭 《工矿自动化》 CSCD 北大核心 2024年第6期1-5,22,共6页
现行国家标准GB/T 3836.1—2021《爆炸性环境第1部分:设备通用要求》和国际标准IEC 60079-0:2017《Explosive atmospheres-Part 0:Equipment-General requirements》规定无线电发射器的阈功率为无线电发射器的有效输出功率与天线增益的... 现行国家标准GB/T 3836.1—2021《爆炸性环境第1部分:设备通用要求》和国际标准IEC 60079-0:2017《Explosive atmospheres-Part 0:Equipment-General requirements》规定无线电发射器的阈功率为无线电发射器的有效输出功率与天线增益的乘积。在无线电波防爆安全发射功率阈值一定的条件下,天线增益越大,无线电发射器的有效输出功率就越小,这将限制通过增大天线增益,提高无线传输距离。因此,有必要对国家标准GB/T 3836.1—2021和国际标准IEC 60079-0:2017中规定的阈功率的正确性进行研究,提出合理的无线电波发射功率防爆要求与检测方法。提出了无线电波防爆安全发射功率与天线增益无关,国家标准GB/T 3836.1—2021和国际标准IEC 60079-0:2017规定的无线电发射器的阈功率是错误的。提出了煤矿井下无线电波防爆安全发射功率阈值应大于16 W,且与天线增益无关;国家标准GB/T 3836.1—2021和国际标准IEC 60079-0:2017规定阈功率不得大于6 W,且与天线增益相关,是错误的。提出了无线电波防爆安全性能检测方法——检测无线电发射器输出功率,这既可保证通过检测的防爆无线电设备的防爆安全,又简化了检测方法,更提高了防爆无线电设备的无线电波发射功率,解除了对天线增益的限制,将大大提高煤矿井下防爆无线电设备的无线传输距离。 展开更多
关键词 矿井无线电波 防爆安全 天线增益 发射功率 输出功率 防爆安全性能检测
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一种用于传感器模拟前端的可编程增益放大器 被引量:1
3
作者 王程 张加宏 +1 位作者 刘祖韬 邹循成 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第2期230-237,245,共9页
基于华虹0.18μm CMOS工艺设计了一款用于传感器模拟前端的可编程增益放大器(PGA),其整体采用全差分结构来抑制传感器输出的共模噪声、直流分量以及供电电源的输出噪声。该电路由仪表放大结构轨对轨输入级、轨对轨自动调零全差分运算放... 基于华虹0.18μm CMOS工艺设计了一款用于传感器模拟前端的可编程增益放大器(PGA),其整体采用全差分结构来抑制传感器输出的共模噪声、直流分量以及供电电源的输出噪声。该电路由仪表放大结构轨对轨输入级、轨对轨自动调零全差分运算放大器、数字控制电路以及直流分量消除电路这四个部分构成,同时采用连续时间自动调零校准技术来降低其输入失调电压。PGA的放大倍数为5 bit调节,共12个档位,分别为1,2,4,8,…,1024,2048倍。在3.3 V电源电压下,PGA输入输出摆幅为0.2~3.1 V。在输入500 mV的直流分量条件下,在-40~125℃的温度范围内,可将直流分量抑制到47.6μV。通过Virtuoso软件进行电路设计、版图绘制以及仿真验证,后仿真结果表明,在进行100次蒙特卡罗仿真下,电源抑制比和共模抑制比在1 kHz处的平均值分别约为110.3 dB和116.1 dB,输入失调电压的1σ值约为21.3μV。 展开更多
关键词 可编程增益放大器 输入输出范围 自动调零校准 电源抑制比 共模抑制比
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三线圈无线电能传输系统耦合机理研究 被引量:7
4
作者 刘溯奇 谭建平 文学 《工矿自动化》 北大核心 2017年第7期62-69,共8页
针对三线圈无线电能传输系统中继线圈位置变化会改变系统传输性能的实际问题,研究了三线圈无线电能传输系统耦合机理;通过建立三线圈无线电能传输系统等效电路模型,推导出系统输出功率增益和传输效率基本特性公式,分析了系统输出功率增... 针对三线圈无线电能传输系统中继线圈位置变化会改变系统传输性能的实际问题,研究了三线圈无线电能传输系统耦合机理;通过建立三线圈无线电能传输系统等效电路模型,推导出系统输出功率增益和传输效率基本特性公式,分析了系统输出功率增益、传输效率与特性参数的相互作用机理,得出了系统输出功率增益、传输效率各自的规律;设计开发了无线电能传输实验系统,验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 无线电能传输 三线圈 中继线圈 耦合机理 输出功率增益 传输效率
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X波段单级氮化镓固态放大器 被引量:2
5
作者 陈炽 郝跃 +3 位作者 冯辉 马晓华 张进城 胡仕刚 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1039-1043,共5页
利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用... 利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用双偏置电路馈电,并且采用独特的电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡.利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配.在8 GHz频率及连续波情况下(直流偏置电压为Vds=27 V,Vgs=-4.0 V),放大器线性增益为5.6 dB,最大效率为30.5%,输出功率最大可达40.25 dBm(10.5 W),此时增益压缩为2 dB.在带宽为500 MHz内,输出功率变化为1 dB. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT 固态放大器模块 饱和输出功率 增益压缩 功率附加效率
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X波段GaN HEMT内匹配器件 被引量:2
6
作者 王勇 李静强 +5 位作者 张志国 冯震 宋建博 冯志红 蔡树军 杨克武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1783-1785,共3页
自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A量级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功... 自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A量级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%.2.5mm×4GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39%. 展开更多
关键词 GAN HEMT 内匹配 输出功率 功率增益 功率附加效率
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不同自然冷却方式对光伏墙体性能影响的理论与实验研究 被引量:17
7
作者 季杰 何伟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期380-384,共5页
对有通风流道的光伏墙体和直接贴墙无通风流道的光伏墙体的性能进行比较 ,建立了各自的数理模型 ,并在香港建立了两种不同自然冷却方式的光伏墙体的对比实验台 ,通过实验与计算结果的比较 ,结果表明在香港地区这两种自然冷却方式的光伏... 对有通风流道的光伏墙体和直接贴墙无通风流道的光伏墙体的性能进行比较 ,建立了各自的数理模型 ,并在香港建立了两种不同自然冷却方式的光伏墙体的对比实验台 ,通过实验与计算结果的比较 ,结果表明在香港地区这两种自然冷却方式的光伏墙体在发电性能差异不大 ,但室内得热方面相差较大。 展开更多
关键词 光伏墙体 自然冷却 发电性能 室内得热量 性能 理论 实验 冷却方式 太阳能
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读卡器末级功率放大器的设计与实现 被引量:1
8
作者 南敬昌 梁立明 刘影 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期18-22,93,共6页
在研究了平衡功率放大器的电路结构和工作原理基础上,设计了一个工作中心频率为915MHz,输出功率为32dBm应用于读卡器系统的末级功率放大器。为了在工作频段内实现平坦的功率增益和获得良好的输入、输出驻波比,本文采用了平衡放大技术来... 在研究了平衡功率放大器的电路结构和工作原理基础上,设计了一个工作中心频率为915MHz,输出功率为32dBm应用于读卡器系统的末级功率放大器。为了在工作频段内实现平坦的功率增益和获得良好的输入、输出驻波比,本文采用了平衡放大技术来设计该功率放大器。仿真优化和实际测试结果表明,在整个工作频段内放大器的增益平坦度小于±0.5dB,输入、输出驻波比小于1.5,完全满足设计指标要求。因此这种运用平衡放大技术设计的放大器可以很好地应用在读卡器系统中,从而提高读卡器的读卡性能。 展开更多
关键词 输出功率 增益平坦度 驻波比 仿真优化 读卡器
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L波段雷达发射机中功率放大器的研制 被引量:2
9
作者 曾孝平 杨凡 熊东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期819-822,共4页
针对在全固态雷达发射机的功率放大器设计中,大信号S参数无法获得的情况,采用小信号S参数法和负载牵引法设计了一种工作于1.9~2.0 GHz的3级功率放大器。通过对功率放大器的仿真,得到满足设计指标要求的精确的匹配参数,再根据这些匹配参... 针对在全固态雷达发射机的功率放大器设计中,大信号S参数无法获得的情况,采用小信号S参数法和负载牵引法设计了一种工作于1.9~2.0 GHz的3级功率放大器。通过对功率放大器的仿真,得到满足设计指标要求的精确的匹配参数,再根据这些匹配参数构建了实际的功率放大器,并对放大器进行了实际测试。实际测试结果表明,在其工作频段内,最大输出功率为34.3 dBm,增益高于30 dB,增益平坦度也小于1 dB,均达到设计要求,可用于实际的全固态雷达发射机中。 展开更多
关键词 L波段功率放大器 最大输出功率 高增益 S参数 负载牵引
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S/SP非接触谐振变换器的时域特性分析 被引量:23
10
作者 侯佳 陈乾宏 +3 位作者 任小永 阮新波 Siu-Chung Wong Chi K.Tse 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期1983-1992,共10页
S/SP非接触谐振变换器因为对系统参数变化尤其是变压器的耦合系数变化不太敏感,具有良好的应用前景。但该变换器中主要波形谐波含量较大,导致基波分析方法误差较大,直接影响到变换器的参数设计以及控制的有效性。为此论文对变换器的时... S/SP非接触谐振变换器因为对系统参数变化尤其是变压器的耦合系数变化不太敏感,具有良好的应用前景。但该变换器中主要波形谐波含量较大,导致基波分析方法误差较大,直接影响到变换器的参数设计以及控制的有效性。为此论文对变换器的时域特性展开研究。论文考虑谐波影响,推导谐振网络的通用等效电路,揭示谐波产生的原因,建立谐振腔各波形的定量表达式。在时域波形分析的基础上,论文进一步研究变换器的输出增益特性,推导精确的电压增益并指出基波分析方法结果偏大的原因。最后,设计一台1.5 k W的S/SP非接触谐振变换器,特征波形、电压增益的实验与分析结果吻合良好,验证了论文所采用的时域特性分析方法的正确性。 展开更多
关键词 非接触电能传输 时域特性分析 输出电压增益 串/串并(S/SP)补偿 谐振变换器
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1~6 GHz宽带大功率固态功放设计 被引量:3
11
作者 马佳 吴云飞 +1 位作者 韩海生 赖署晨 《黑龙江工程学院学报》 CAS 2019年第2期46-49,64,共5页
伴随着有源相控阵技术的飞速发展,对功率放大器设计提出宽带、小型化、高效率、低成本的要求。通过使用GaN HEMT器件设计一款工作在1~6GHz输出功率为50 W的宽带大功率固态功放模块。经过测试,该功放模块工作带宽超过2个倍频程,在全频... 伴随着有源相控阵技术的飞速发展,对功率放大器设计提出宽带、小型化、高效率、低成本的要求。通过使用GaN HEMT器件设计一款工作在1~6GHz输出功率为50 W的宽带大功率固态功放模块。经过测试,该功放模块工作带宽超过2个倍频程,在全频段增益满足47±3dB,输入驻波≤1.5,整个功放模块的功耗≤1 800 W,模块效率≥25%。 展开更多
关键词 宽带 大功率 效率 增益
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压电变压器端口串并联接的电气特性分析 被引量:4
12
作者 白凤仙 董维杰 肖磊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期998-1003,共6页
基于压电变压器的经典集总参数等效电路模型,分别采用Y参数、G参数、H参数和Z参数建立了压电变压器并-并、并-串、串-并和串-串联接的网络方程,将网络方程均转化为用Y参数表达,直观地体现了网络电气特性与压电变压器的模型参数和联接个... 基于压电变压器的经典集总参数等效电路模型,分别采用Y参数、G参数、H参数和Z参数建立了压电变压器并-并、并-串、串-并和串-串联接的网络方程,将网络方程均转化为用Y参数表达,直观地体现了网络电气特性与压电变压器的模型参数和联接个数之间的关系.最后对四种联接的电气特性进行了计算分析,并通过并-并联接实验证明了理论分析的正确性.结果表明,随着压电变压器联接个数的增加,只有并-并和并-串两种联接方式能够提高电压增益和输出功率. 展开更多
关键词 压电变压器 双口网络 电压增益 输出功率
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一种新型光放大器 被引量:1
13
作者 付益 丁明吉 +2 位作者 覃良标 马艳锋 欧阳竑 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2010年第9期43-45,共3页
掺铒光纤放大器(EDFA)是WDM光通信网络最关键技术之一,它对光信号传输的距离和信号传输的完整性起着决定性的作用。文章对EDFA的发展作了一定的阐述,主要介绍一种新型EDFA的设计理念、控制策略的选定、功能的实现情况以及电路和软件的... 掺铒光纤放大器(EDFA)是WDM光通信网络最关键技术之一,它对光信号传输的距离和信号传输的完整性起着决定性的作用。文章对EDFA的发展作了一定的阐述,主要介绍一种新型EDFA的设计理念、控制策略的选定、功能的实现情况以及电路和软件的设计情况,它是一种具备动态均衡调节功能和监测功能的新型光放大器。 展开更多
关键词 掺铒光纤放大器 增益锁定 功率锁定 增益平坦
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RFID系统驱动级功率放大器的设计与实现 被引量:1
14
作者 南敬昌 梁立明 刘影 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1036-1040,共5页
设计了一个工作频段902~928MHz、输出功率19dBm、功率增益高达27dB应用于射频识别(RFID)系统的驱动级功率放大器。运用了仿真优化和实际测试相结合的方法快速、成功地设计了该放大器。对完成匹配后的功率放大器进行仿真优化,得到了满... 设计了一个工作频段902~928MHz、输出功率19dBm、功率增益高达27dB应用于射频识别(RFID)系统的驱动级功率放大器。运用了仿真优化和实际测试相结合的方法快速、成功地设计了该放大器。对完成匹配后的功率放大器进行仿真优化,得到了满足设计指标要求的匹配参数,再根据这些匹配参数构建实际的功率放大器,并对放大器进行实际测试,测试结果与仿真结果高度一致。实际测试结果表明,运用这种方法设计的功率放大器完全满足设计要求,可以很好地应用在RFID系统中,从而改善系统的性能。 展开更多
关键词 输出功率 功率增益 功率放大器 仿真优化 实际测试
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稀释气对COIL输出功率的影响 被引量:1
15
作者 徐明秀 桑凤亭 +2 位作者 陈方 金玉奇 房本杰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1837-1840,共4页
研究了稀释气进气位置、稀释比以及氮气、二氧化碳、氩气作为稀释气对kW级立式N2-COIL输出功率的影响。结果表明:主稀释气从发生器进入,有利于输出功率的提高;从发生器出口进入,有利于激光器的稳定。采用不同的稀释气时,输出功率有很大... 研究了稀释气进气位置、稀释比以及氮气、二氧化碳、氩气作为稀释气对kW级立式N2-COIL输出功率的影响。结果表明:主稀释气从发生器进入,有利于输出功率的提高;从发生器出口进入,有利于激光器的稳定。采用不同的稀释气时,输出功率有很大的不同,但是随着稀释比的变化趋势几乎相同。以Ar作为稀释气可以降低超音速段的温度,提高小信号增益系数;据此优化设计激光器,可以提高激光器的输出功率和化学效率。以CO2气体为稀释气的激光器在低温吸附方面却有着极大的吸引力。对于不同的实验目的和要求,应该选择不同的气体作为稀释气,充分利用气体自身的优势。 展开更多
关键词 氧碘化学激光 稀释气 氮气 二氧化碳 氩气 输出功率 小信号增益系数
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利用三维粒子软件计算螺旋线行波管的互作用和三阶互调 被引量:2
16
作者 李力 冯进军 《真空电子技术》 2010年第2期48-50,共3页
采用三维电磁软件CST粒子工作室模拟单信号输入时某Ku波段螺旋线行波管的互作用及双信号输入时该行波管的三阶互调。模拟计算时,采用理想电子注和均匀聚焦磁场,对衰减器采用分段处理,通过设置每段衰减器材料的损耗正切值来表征其衰减量... 采用三维电磁软件CST粒子工作室模拟单信号输入时某Ku波段螺旋线行波管的互作用及双信号输入时该行波管的三阶互调。模拟计算时,采用理想电子注和均匀聚焦磁场,对衰减器采用分段处理,通过设置每段衰减器材料的损耗正切值来表征其衰减量。单信号输入互作用模拟计算结果与实测结果非常接近,通过模拟得到了行波管双信号输入时两个基波信号输出功率以及三阶互调(IM3)产物,并给出输出信号的快速傅立叶变化频谱。 展开更多
关键词 TWT 输出功率 增益 IM3
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带增益调度的风力发电变桨距控制研究 被引量:10
17
作者 王江 《电源技术应用》 2009年第3期8-11,共4页
介绍了风力发电变桨控制的基本原理,对以输出功率作为控制量的变桨控制方法进行了仿真,并引入了一种带增益调度的变浆控制策略,通过仿真验证对比,证明了这种带增益调度的控制策略可以改善变桨控制效果。
关键词 风力机组 变桨距控制 桨距角 输出功率 增益调度控制
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一种宽频带大摆幅的三级CMOS功率放大器 被引量:2
18
作者 刘三清 张诗娟 +1 位作者 余岳辉 陈晓飞 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期95-97,共3页
设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35μm双层多晶硅工艺实现,驱动32Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70dB,... 设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35μm双层多晶硅工艺实现,驱动32Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3V电源电压下,电压输出摆幅为2.7V. 展开更多
关键词 CMOS 功率放大器 单位增益带宽 输出摆幅
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改进型串联谐振回路在宽带功率合成中的应用 被引量:2
19
作者 黄清华 刘训春 +1 位作者 郝明丽 王宇晨 《电子器件》 CAS 2007年第3期918-920,925,共4页
本文介绍了一种改进型的串联谐振回路在宽带功率合成中的应用.这种回路是在RLC串联谐振回路上并联一电阻构成的.将此谐振回路串联到功率合成级管子的输出端,相比于LC、RLC串联谐振回路,它能更有效地改善全频段的阻抗匹配,使增益平坦度... 本文介绍了一种改进型的串联谐振回路在宽带功率合成中的应用.这种回路是在RLC串联谐振回路上并联一电阻构成的.将此谐振回路串联到功率合成级管子的输出端,相比于LC、RLC串联谐振回路,它能更有效地改善全频段的阻抗匹配,使增益平坦度和输出驻波比同时得到了改善.增益平坦度从±1.4dB降到了±0.75dB,输出驻波比从6:1降到了2:1以下. 展开更多
关键词 功率合成 串联谐振 增益平坦度 输出驻波比
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X波段大功率GaN HEMT的研制
20
作者 宋建博 冯震 +5 位作者 王勇 张志国 李亚丽 冯志宏 蔡树军 杨克武 《微纳电子技术》 CAS 2008年第6期318-321,共4页
在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔... 在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到-20V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34V时,器件在8GHz下连续波输出功率为16W,功率增益为6.08dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5mm×4四胞器件,在8GHz下,连续波输出功率42W,功率增益8dB,峰值功率附加效率34%。 展开更多
关键词 氮化镓基高电子迁移率晶体管 X波段 输出功率 功率增益 功率附加效率
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