超短波低噪声放大器的设计

采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10~1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大器。该放大器利用有源偏置电路和共源共栅结构设计而成,提出的新型有源偏置电路使该低噪声放大器(LNA)能够在复杂的环境中稳定地工作。仿真结果表明,在工作频带内,增益高于22 dB,噪声系数低于0.7 dB,输出1 dB压缩点高于26 dBm,输出三阶交调点高于43 dBm。

双频段低噪声放大器的仿真与实现

用增强模式伪形态高电子迁移率晶体(E-phemt)管实现直放站前端低噪声放大器,并给出整体方案。首先按要求选取电路,然后对原理电路进行线性及非线性仿真分析,模拟出电路的运行结果,最后得出PCB板的实际测量结果。