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RECENT DEVELOPMENTS OF DIRECT BONDED COPPER(DBC)SUBSTRATES FOR POWER MODULES 被引量:1
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作者 Dr.JuergenSchulz-Harder Dr.KarlExel curamik 《电力电子》 2003年第5期42-47,共6页
DBC substrates are the standard circuit boardsfor power modules. Using the DBC technologythick copper foils (0.125mm - 0.Tmm) arecladded to Alumina or Aluminum Nitride,The strong adhesion of the copper to ceramicbond ... DBC substrates are the standard circuit boardsfor power modules. Using the DBC technologythick copper foils (0.125mm - 0.Tmm) arecladded to Alumina or Aluminum Nitride,The strong adhesion of the copper to ceramicbond reduces the thermal expansion coefficientin horizontal direction only slightly above theTEC of the ceramic itself. This allows directsilicon attach of large dies without using TECcontrolling layers.As DBC technology is using copper foils,integralleads overhanging the ceramic can be realized... 展开更多
关键词 DBC)substrateS FOR POWER MODULES of or on with as RECENT DEVELOPMENTS OF DIRECT BONDED copper AIN
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Deposition of Diamond Films on Copper Substrate
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作者 马志斌 邬钦崇 +3 位作者 舒兴胜 汪建华 王传新 黎向锋 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第2期207-212,共6页
The direct deposition of diamond films on copper substrate has been suffered fromadhesion problems due to the mismatch of the thermal expansion coefficients of diamond andcopper. In this paper nuclei with valuable den... The direct deposition of diamond films on copper substrate has been suffered fromadhesion problems due to the mismatch of the thermal expansion coefficients of diamond andcopper. In this paper nuclei with valuable density were directly introduced thirough a submicrondiamond powder layer. The diamond grits partially were buried in the copper substrate leadingto better adhesion. Another method with nickel intermediate layer for enhancing the adhesionwas studied here in detail. It was suggested that Cu-Ni eutectic between the copper substrate andNi interlayer might contribute to the adhesion improvement. The quality of the diamond filmsdeposited wlth rnckel interlayer was investigated by scanning electron microscopy and Ramanspectroscopy. 展开更多
关键词 NI OO Deposition of Diamond Films on copper substrate
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Study of the Effect of Acetic Acid and Phosphate on Copper Corrosion by Immersion Tests
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作者 Yuna Yamaguchi Kaho Sugiura +4 位作者 Toyohiro Arima Fuka Takahashi Itaru Ikeda Yutaka Yamada Osamu Sakurada 《Materials Sciences and Applications》 2024年第1期15-23,共9页
It was reported that hemispheric corrosion occurred in copper tubes in an acetic acid environment. When hemispheric corrosion occurred, corrosion could easily progress if water then flowed into the copper pipe, and co... It was reported that hemispheric corrosion occurred in copper tubes in an acetic acid environment. When hemispheric corrosion occurred, corrosion could easily progress if water then flowed into the copper pipe, and countermeasures were needed. Therefore, we studied the copper corrosion caused by acetic acid. The present work investigated the relationship between the corrosion form of copper and acetic acid concentration using phosphorous-deoxidized copper, and reported that hemispherical corrosion was observed at acetic acid concentrations of 0.01 to 1 vol.% (0.002 to 0.2 mol·L<sup>-1</sup>) in the immersion test. In this study, the effects of acetic acid and phosphate on copper corrosion were examined using oxygen-free copper in immersion tests. The results suggested that different concentrations of phosphate in acetic acid solutions and the presence or absence of acetic acid and phosphate affected the corrosion of copper, resulting in different corrosion forms and corrosion progress. 展开更多
关键词 Acetic Acid PHOSPHATE oxygen-free copper Hemispherical Corrosion Ant-Nest Corrosion
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LED黄铜基材绿色制造的生产实践
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作者 方德祥 闫成琨 +3 位作者 谭智泉 刘军德 刘云飞 王悦晗 《山西冶金》 CAS 2024年第1期120-123,150,共5页
通过对清远楚江高精铜带有限公司的LED灯导电引线支架用黄铜基础带材原料的绿色利用和基材低耗能、低排放的绿色制造的生产实践进行介绍,希望能够助力中国“碳达峰、碳中和”目标的早日实现。重点介绍了在对LED黄铜基材原料的绿色利用... 通过对清远楚江高精铜带有限公司的LED灯导电引线支架用黄铜基础带材原料的绿色利用和基材低耗能、低排放的绿色制造的生产实践进行介绍,希望能够助力中国“碳达峰、碳中和”目标的早日实现。重点介绍了在对LED黄铜基材原料的绿色利用过程中,对Fe和Pb含量的工艺优化和选择。在基材绿色制造的过程中,应抓核心工序以稳定质量,提高成材率;抓全流程生产以提升效率,提高产量,减少设备无效能耗;抓污染源头以控制治理,减少污染物排放。 展开更多
关键词 LED黄铜基材 再生铜 绿色制造 大卷径铜卷
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压延率对无氧铜板高温退火的组织及性能影响
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作者 晏小猛 王善林 +2 位作者 陈卫民 吴懿平 李欢欢 《电子工艺技术》 2024年第2期1-4,18,共5页
高导热AMB陶瓷基板的覆铜厚板性能直接影响基板的电性能和力学性能。通过对无氧铜原料板的加工、微观组织调整以及陶瓷与铜板的活性焊料复合,达到AMB陶瓷覆铜基板最优的组织状态和电学与力学性能。首先对无氧铜板原料进行450℃和650℃... 高导热AMB陶瓷基板的覆铜厚板性能直接影响基板的电性能和力学性能。通过对无氧铜原料板的加工、微观组织调整以及陶瓷与铜板的活性焊料复合,达到AMB陶瓷覆铜基板最优的组织状态和电学与力学性能。首先对无氧铜板原料进行450℃和650℃再结晶退火0.5 h处理,得到两种原始的铜板组织。其次,对原始铜板进行压延率为15%、30%、45%、60%、75%的压延和800℃/1 h的退火处理,研究了退火铜板的微观组织及力学性能和电学性能。结果表明:当压延率在15%~75%时,随着压延率增加,晶粒逐渐被拉长变成扁平状,再变成纤维状;硬度随着压延率增加逐渐增大,铜板的延伸率逐渐减小,抗拉强度在压延率为15%~60%时逐渐增大,压延率达到75%时出现了小幅度降低。当在800℃退火1 h后,铜板表面晶粒尺寸随着压延率的增加逐渐减小,晶粒分布更加均匀,其大小稳定在400~800μm之间。铜板在压延率为15%~60%时的抗拉强度基本保持不变;当压延率到达75%时,抗拉强度出现小幅度降低。铜板硬度随着压延率增加基本保持不变。当压延率从15%变为75%时,铜板的电阻率有小幅度上升。 展开更多
关键词 无氧铜 AMB陶瓷覆铜基板 压延率 晶粒尺寸 电阻率
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SiC功率模块封装材料的研究进展
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作者 程书博 张金利 +2 位作者 张义政 吴亚光 王维 《科技创新与应用》 2024年第3期106-109,共4页
随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年... 随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年来陶瓷覆铜基板、散热底板、黏结材料、互连材料及灌封材料的研究进展,同时引出相关封装材料的研究重点,以满足SiC功率模块的应用需求。 展开更多
关键词 SiC功率模块 封装材料 陶瓷覆铜基板 散热底板 黏结材料 互连材料 灌封材料
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基于铜模电路工艺的Mini LED显示用基板玻璃
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作者 李培浩 田英良 +3 位作者 赵志永 刘武站 王长军 杨会良 《中国建材科技》 CAS 2024年第S01期12-16,共5页
本文综述了Mini LED显示产业发展的重要性,Mini-LED显示结构以及铜膜电路工艺对玻璃基板的理化性能要求,总结了Mini LED所用基板玻璃的发展趋势及实现路径。
关键词 Mini LED 铜膜电路 直接显示 基板玻璃 理化性能
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基于氮化铝HTCC的表面Cu互连制备技术
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作者 杨欢 张鹤 +1 位作者 杨振涛 刘林杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期156-161,共6页
针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫... 针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和剥离强度测试仪分析和研究了界面的微观结构和力学性能。研究结果表明:与氮化铝/钛钨(TiW)/Cu相比,氮化铝/钛(Ti)/Cu界面的缺陷更少,金属Ti的黏附性能更优,拉脱断裂面在陶瓷基板上。当采用厚度为400 nm的Ti作为黏附层时,表面金属化剥离强度高达592 MPa,实现了高界面结合力,保证了产品封装性能的稳定性。 展开更多
关键词 氮化铝 高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板 直接镀铜(DPC) 黏附层 钛(Ti) 剥离强度
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铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度对高功率密度LED极限光电性能的影响
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作者 黄林凤 熊传兵 +3 位作者 汤英文 袁慧 马依豪 杨欣雨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1196-1210,共15页
高功率密度LED器件能实现传统光源和普通LED器件无法实现的诸多功能,将半导体照明技术链推向了一个崭新的高度。在实际应用中,单颗LED器件需要在数百瓦及近100 A电流下工作,铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度均会对该类型LED器件的极限光... 高功率密度LED器件能实现传统光源和普通LED器件无法实现的诸多功能,将半导体照明技术链推向了一个崭新的高度。在实际应用中,单颗LED器件需要在数百瓦及近100 A电流下工作,铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度均会对该类型LED器件的极限光电性能这一关键指标产生显著影响。本文将单颗极限电功率为300 W和200 W的两种规格的LED蓝光和白光器件,分5μm、100μm和200μm三个焊锡厚度,分别贴片焊接在直径为20 mm、25 mm和32 mm三种不同面积的热电分离铜凸台基板上,测试了当散热器温度分别为25℃、50℃、75℃和100℃时蓝光LED器件光功率、白光LED光通量及其灯板导线焊点间的电压随电流的变化。同时,还研究了铜基板的导电铜箔厚度分别为70μm和140μm时,极限电功率为150 W的蓝光LED器件的I-L特性和I-V特性,并对其极限发光进行了研究。研究结果表明,焊锡厚度、铜基板面积和导电铜箔厚度均会对LED的极限发光强度和工作电压产生明显影响;减小焊锡厚度和增加铜基板面积能显著提高高功率LED器件的极限光强,P110和T90两种规格蓝光LED器件极限光功率的提升幅度高达16%和19%,白光器件极限光通量的提升幅度均高达15%左右;当铜箔厚度由70μm增加到140μm、散热器温度为25℃时,P70蓝光LED的极限光功率提升幅度为9.2%,50℃和75℃时极限光功率提升幅度为12.9%,100℃时极限光功率提升幅度为16.4%。 展开更多
关键词 高功率密度LED 热电分离铜凸台基板 焊锡 导电铜箔
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腔体材料对氧化铜箔衬底上制备石墨烯的影响
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作者 沈曦 史永贵 +4 位作者 万玉慧 付影 马嘉恒 杨浩东 王艺佳 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1648-1654,共7页
传统的化学气相沉积法制备的石墨烯普遍存在晶畴面积小、晶界缺陷多的问题,严重制约了大面积石墨烯的性能及应用。本文采用低压化学气相沉积技术在受限生长腔中的氧化铜箔衬底上制备石墨烯,对比研究了石英和刚玉两种材质的受限生长腔中... 传统的化学气相沉积法制备的石墨烯普遍存在晶畴面积小、晶界缺陷多的问题,严重制约了大面积石墨烯的性能及应用。本文采用低压化学气相沉积技术在受限生长腔中的氧化铜箔衬底上制备石墨烯,对比研究了石英和刚玉两种材质的受限生长腔中,不同甲烷流量和生长时间条件下氧化铜箔衬底上石墨烯的形核生长状况。结果表明,相同生长条件下,相较于石英受限生长腔,虽然刚玉受限生长腔中石墨烯的晶畴尺寸较小,但是氧化铜箔衬底表面沉积的杂质颗粒较少,因而石墨烯的形核密度较低,晶体质量较高,更有利于大尺寸、高质量石墨烯的制备。 展开更多
关键词 石墨烯 低压化学气相沉积 受限生长腔 氧化铜箔 衬底 形核
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偶联剂改性对铜箔抗剥强度及PTFE树脂基板性能的影响
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作者 武聪 洪颖 郭晓光 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期45-49,共5页
针对低轮廓铜箔与聚四氟乙烯(PTFE)基板介质层表面结合强度低的问题,采用不同浓度的γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)和十七氟癸基三乙氧基硅烷偶联剂对铜箔粗糙表面进行改性处理。通过分析偶联剂对基板的抗剥强度、介质损耗因数tanδ和吸... 针对低轮廓铜箔与聚四氟乙烯(PTFE)基板介质层表面结合强度低的问题,采用不同浓度的γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)和十七氟癸基三乙氧基硅烷偶联剂对铜箔粗糙表面进行改性处理。通过分析偶联剂对基板的抗剥强度、介质损耗因数tanδ和吸水率的影响,发现当十七氟癸基三乙氧基硅烷浓度为20%时,对铜箔粗糙表面的改性效果最佳,此时基板断面和腐蚀后介质层表面显微形貌显示,铜箔表面与PTFE树脂介质层之间的“锚固现象”最明显,可获得抗剥离强度为1.96 N/mm,介质损耗因数tanδ为0.0015,吸水率为0.042%的基板。 展开更多
关键词 硅烷偶联剂 铜箔 表面 抗剥强度 基板
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低轮廓电解铜箔制备工艺参数的优化 被引量:3
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作者 凌羽 张少强 +6 位作者 卢伟伟 徐鹏 朱倩倩 胡浩 宋克兴 杨祥魁 朱义刚 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第20期11-20,共10页
采用直流电沉积法制备了低轮廓电解铜箔,在仅以明胶作为添加剂的情况下研究了钛基体(阴极)表面粗糙度、电流密度、硫酸质量浓度、铜离子质量浓度、电解液温度等工艺参数对铜箔表面形貌及粗糙度的影响。确定最佳的工艺条件为:钛基体表面... 采用直流电沉积法制备了低轮廓电解铜箔,在仅以明胶作为添加剂的情况下研究了钛基体(阴极)表面粗糙度、电流密度、硫酸质量浓度、铜离子质量浓度、电解液温度等工艺参数对铜箔表面形貌及粗糙度的影响。确定最佳的工艺条件为:钛基体表面粗糙度(Rz)1~2μm,电流密度4.0 A/dm^(2),硫酸100 g/L,铜离子60 g/L,电解液温度37°C。所得铜箔表面形貌良好,粗糙度(Rz)小于1.8μm。 展开更多
关键词 电解铜箔 直流电沉积 钛基体 电解液成分 温度 表面形貌 粗糙度
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铜尾矿生态护坡植生基材配制及种植试验 被引量:3
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作者 成词峰 刘文连 +3 位作者 赵海燕 郑庭 冯志红 董伟 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2023年第3期146-154,共9页
以铜尾矿固废替代天然土壤,采用硫铝酸盐水泥为黏结剂,以甘蔗渣、聚丙烯酰胺、土壤保水剂、酸性化肥、有机菌肥为改良剂,对铜尾矿的性质进行改良,配制成生态护坡基材。通过测试分析和种植试验,研究了生态护坡基材的理化性质和植物生长... 以铜尾矿固废替代天然土壤,采用硫铝酸盐水泥为黏结剂,以甘蔗渣、聚丙烯酰胺、土壤保水剂、酸性化肥、有机菌肥为改良剂,对铜尾矿的性质进行改良,配制成生态护坡基材。通过测试分析和种植试验,研究了生态护坡基材的理化性质和植物生长特征。结果表明,硫铝酸盐水泥在提高护坡基材强度的同时使其pH值升高,酸性化肥能中和水泥水化反应的碱性,随着时间的推移,基材的pH值逐渐降低至适宜植物生长的范围;甘蔗渣、聚丙烯酰胺、土壤保水剂和有机菌肥的加入,增强了护坡基材的土壤肥力和抗旱性能,使基材具有植物生长所需的类土壤结构和营养元素。较优的基材配比为:硫铝酸盐水泥12%、甘蔗渣4%、聚丙烯酰胺0.4%、土壤保水剂0.15%、酸性化肥1.2%、有机菌肥5%。 展开更多
关键词 铜尾矿 生态护坡 植生基材 种植试验
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硅基底铜基材料电极制备及其储能特性研究
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作者 张文磊 王伟恒 +3 位作者 柴宸宇 孙永娇 胡杰 李刚 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2023年第4期655-662,共8页
【目的】以过渡金属氧化物、硫化物、氢氧化物为代表的赝电容材料由于其良好的比电容容值、高功率密度和低成本等优势,被广泛用于宏观常规超级电容器的电极中。然而,当前对于过渡金属电极的研究多采用非常温下合成,辅以导电剂、粘合剂... 【目的】以过渡金属氧化物、硫化物、氢氧化物为代表的赝电容材料由于其良好的比电容容值、高功率密度和低成本等优势,被广泛用于宏观常规超级电容器的电极中。然而,当前对于过渡金属电极的研究多采用非常温下合成,辅以导电剂、粘合剂固定的加工工艺,制约了其在以硅基底为主的微型超级电容器(micro-supercapacitor,MSC)中的应用。【方法】在硅基底上沉积了钛集流体和铜薄膜,通过兼容微加工工艺的常温原位氧化法制备了氢氧化铜纳米线,并进一步通过浸泡硫化钠溶液实现了原位硫化。【结论】测试结果表明,在1 mA/cm^(2)的电流密度下,硅基底硫化铜的比电容为166.98 mF/cm^(2),较氢氧化铜电极提升了6.68倍,500次充放电循环后电容保持率为74.2%,展现了其在硅基微型超级电容器方面广阔的应用前景。 展开更多
关键词 硫化铜 氢氧化铜 硅基底 超级电容器 储能特性
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铜基底/石墨烯涂层束缚减摩机制
15
作者 冉迪 郑鹏 +1 位作者 苑泽伟 王宁 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期61-70,共10页
目的 探究石墨烯涂层对单晶铜基底摩擦特性的影响,揭示石墨烯涂层的微观减摩和基底强化机制。方法 基于AIREBO、EAM、Lennard-Jones混合势函数和Verlet算法,采用分子动力学法对铜基底/石墨烯涂层(Cu/Gr)和铜基底(Cu)的摩擦行为展开研究... 目的 探究石墨烯涂层对单晶铜基底摩擦特性的影响,揭示石墨烯涂层的微观减摩和基底强化机制。方法 基于AIREBO、EAM、Lennard-Jones混合势函数和Verlet算法,采用分子动力学法对铜基底/石墨烯涂层(Cu/Gr)和铜基底(Cu)的摩擦行为展开研究,结合基底位错、承载直径、划切圆角、划切刃角的变化规律,分析石墨烯涂层对法向力和摩擦力的影响。结果 在纳米压痕中,石墨烯涂层使基底压入边缘处产生了划切圆角,当压入深度为3.0 nm时,基底承载直径由4.6 nm增至8.2 nm,法向承载力由62.63 nN提高至514.32 nN;在摩擦过程中,石墨烯涂层抑制了基底表面的犁沟效应,使位错密度由0.06 nm^(-2)提升至0.15 nm^(-2);当压入深度相同时,石墨烯涂层使基底具有更小、更稳定的摩擦因数,最终使摩擦因数降低了61.43%~77.81%;当下压力为150 nN时,石墨烯涂层使划切刃角由90°降至32°,摩擦力由75.72 nN降至21.51 nN。当Cu/Gr基底上的划切刃角由32°降至17°时,摩擦力由21.51 nN降至9.08 nN。结论 石墨烯涂层的束缚机制增大了基底表面的承载直径,增大了基底内的位错密度,进而提高了法向承载能力。石墨烯涂层的束缚机制降低了划切刃角,降低了摩擦力,提升了基底的摩擦性能。 展开更多
关键词 铜基底 石墨烯涂层 减摩机制 摩擦特性 分子动力学 位错密度 承载直径 划切刃角
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不同偏压下DCMS和DCMS/HiPIMS共溅射铜薄膜的结构和性能
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作者 黄敏 易勇 +2 位作者 刘艳松 谢春平 何智兵 《西南科技大学学报》 CAS 2023年第3期1-7,29,共8页
采用DCMS(直流磁控溅射)和DCMS/HiPIMS(直流磁控溅射/高功率脉冲磁控溅射)共溅射在不同负偏压下沉积铜薄膜,使用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、白光干涉仪、纳米压痕技术和四点探针法对薄膜的晶体取向、形貌、粗糙度、力学和电学... 采用DCMS(直流磁控溅射)和DCMS/HiPIMS(直流磁控溅射/高功率脉冲磁控溅射)共溅射在不同负偏压下沉积铜薄膜,使用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、白光干涉仪、纳米压痕技术和四点探针法对薄膜的晶体取向、形貌、粗糙度、力学和电学性能进行表征。结果表明:与DCMS铜薄膜相比,随着负偏压增加,DCMS/HiPIMS共溅射铜薄膜晶粒尺寸先减小后增大,Cu(111)取向减弱,硬度逐渐增大,电阻率逐渐降低;高负偏压(100 V)下Cu(111)向Cu(220)转变,薄膜致密,表面粗糙度减小,硬度增大(约3.5 GPa),电阻率降低(约2μΩ·cm)。铜薄膜的结构和性能强烈依赖于由HiPIMS和负偏压共同决定的铜离子通量和能量。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 高功率脉冲磁控溅射 铜薄膜 衬底偏压 硬度 电阻率
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不同因素下镍铜双层膜表面摩擦行为的研究
17
作者 郜家伟 姚廷强 +2 位作者 谢家琛 李廷涛 霍冀鲁 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期50-59,共10页
材料在摩擦接触过程中的弹塑性变形对基体的力学性能具有重要影响。为研究镍铜双层膜在接触过程中的变形行为和力学特性,本文从原子轨迹、原子晶格结构变化、接触力和基体内部位错等方面,详细研究了表面纹理密度、纹理方向、晶体学方向... 材料在摩擦接触过程中的弹塑性变形对基体的力学性能具有重要影响。为研究镍铜双层膜在接触过程中的变形行为和力学特性,本文从原子轨迹、原子晶格结构变化、接触力和基体内部位错等方面,详细研究了表面纹理密度、纹理方向、晶体学方向、磨粒半径和接触深度等因素对摩擦接触过程的影响。结果表明:纳观纹理表面以及镀层的引入对接触力产生影响。镍膜晶体学方向对滑动接触过程影响显著,存在接触力最小的晶体学方向;凸体的分布角度对摩擦过程的影响较小;在界面作用下,特定纹理密度表现出一定的减摩作用;基体材料的接触力随着磨粒半径和接触深度的增大而增大;在不同因素及水平下,基体表现出不同的位错缺陷程度和原子堆积现象。 展开更多
关键词 纹理表面 黏滑摩擦 镍铜基体 减摩抗磨 分子动力学模拟
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铜柱法协同高导热介质提升和封装基板散热能力提升研究
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作者 陈先明 黄本霞 +4 位作者 徐小伟 黄高 冯磊 周国云 张伟豪 《印制电路信息》 2023年第S02期19-25,共7页
本文介绍了一种封装基板散热效能提升方案,通过同时采用高导热封装基板材料和铜柱法工艺,实现封装基板的热导率得到显著提升。本研究的重点是封装载板的热性能,从基板材料和封装基板工艺制备的角度出发,对高导热率封装基板材料进行工艺... 本文介绍了一种封装基板散热效能提升方案,通过同时采用高导热封装基板材料和铜柱法工艺,实现封装基板的热导率得到显著提升。本研究的重点是封装载板的热性能,从基板材料和封装基板工艺制备的角度出发,对高导热率封装基板材料进行工艺的可靠性分析和实验验证。此外,还提供了封装基板材料的热导率和相应封装载板产品的热扩散系数测试方法及测试结果的讨论。同时,对比研究了高导热率的封装基板材料和传统的封装基板材料分别应用于与铜柱法工艺和激光工艺。实验结果表明,由于铜柱法可以实现实心互联结构且侧壁光滑,高导热率封装基板材料结合铜柱法可实现最优的散热效果,对应的封装载板产品的热扩散系数和热导率较传统的封装基板材料分别提升60%和2.6倍,在未来芯片和模组封装热管理中具备显著的优势和潜力。 展开更多
关键词 封装基板 铜柱法 导热率 热扩散系数 热管理
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OFHC copper substrates for niobium sputtering:comparison of chemical etching recipes 被引量:1
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作者 Fuyu Yang Pei Zhang +1 位作者 Jin Dai Zhongquan Li 《Radiation Detection Technology and Methods》 CSCD 2020年第2期139-146,共8页
Purpose Niobium sputtered on copper has been a popular alternative approach for superconducting radio frequency(SRF)community in the last few decades.Comparing to bulk materials of a few millimeters,high-purity niobiu... Purpose Niobium sputtered on copper has been a popular alternative approach for superconducting radio frequency(SRF)community in the last few decades.Comparing to bulk materials of a few millimeters,high-purity niobium of merely a few microns is sufficient to realize superconductivity on the coated surface.Being niobium thin film,it has been widely acknowledged that surface quality of the substrate plays a vital role in obtaining a superior niobium coating with excellent SRF performance.Therefore,proper chemical treatment of the substrate before coating is crucial and the ultimate goal is to create a smooth and defect-free surface.Prior to the design of a cavity etching system,the mechanism of SUBU as well as two industry-used solutions is studied in detail on samples.Methods Copper samples were first pre-treated by mechanical grinding to remove fabrication damages,obvious defects and visible impurities.Two chemical solutions widely used in industries were subsequently chosen to etch the samples.Finally,the established SUBU solution was used independently on these pre-treated samples for comparison.Surface morphology and etching rate were measured accordingly.Results and conclusions Mirror-like copper surface was created by using the SUBU solution thus qualified for subsequent niobium sputtering,while the other two solutions used in industries were less effective with nonideal surface morphology.The chemical reactions,the experimental requisites and the involved processes are extensively elucidated for all three solutions.Limitations for SUBU were examined,and the optimum ratio of the chemical bath volume to sample surface area was also determined.These investigations will serve as an important guidance for the development of a chemical etching system for elliptical copper cavities. 展开更多
关键词 Chemical etching copper substrate Dilute sulfuric acid SUBU Surface roughness
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IC载板mSAP工艺的化学镀铜性能研究 被引量:1
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作者 陈海锋 黄俊颖 李卫明 《印制电路信息》 2023年第S01期244-253,共10页
mSAP工艺是在半加成法的基础上进行改良而得的一种制作精细线路的IC载板制作技术,随着轻薄化的发展及国产化趋势,IC封装载板在国内的需求也越来越大。本文介绍一种性能优异、高效、低应力及不含氰化物的环保型mSAP化学镀铜解决方案,实现... mSAP工艺是在半加成法的基础上进行改良而得的一种制作精细线路的IC载板制作技术,随着轻薄化的发展及国产化趋势,IC封装载板在国内的需求也越来越大。本文介绍一种性能优异、高效、低应力及不含氰化物的环保型mSAP化学镀铜解决方案,实现了BT类载板的mSAP工艺金属化制程。研究了添加剂对化学镀铜结晶形貌的影响,同时介绍使用我司的化学镀铜和电镀药水进行BT类载板的孔金属化情况,并测试了其载板的可靠性。 展开更多
关键词 IC载板 mSAP工艺 化学镀铜 结晶形貌 稳定性
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