高气压屏栅电离室的调试和^(58)Ni(n,p)反应双微分截面的试测

介绍了高气压屏栅电离室的结构和调试，并对５８Ｎｉ（ｎ，ｐ）试测结果进行了分析，结果证明此电离室和测量方法对（ｎ，ｐ）反应的测量是适用的。目前正用此电离室进行测量（ｎ，ｐ）反应截面的实验．

从^(89)Y(n,p)^(89)Sr反应产物中分离^(89)SrCl_2

89SrC l2具有良好的应用前景,可通过89Y(n,p)89Sr反应制备89Sr。研究了Y2O3靶在300#反应堆照射后形成的辐照产物、辐照混合物中杂质核素的去除方法,以及纯化过程中带入有机杂质的清除方法。结果表明,靶件辐照后产生了88Y及86Rb等杂质核素,通过TBP萃取能将辐照混合物的Y浓度降到0.001 mol.L-1以下;通过P204萃淋树脂的吸附,可将Y浓度降低到1×10-8mol.L-1以下;通过HZ-803大孔径吸附树脂能有效去除过程中带入的有机杂质;通过HZ-001阳离子交换树脂能有效去除辐照混合物中的86Rb,同时使89Sr(NO3)2转型为89SrC l2。

快中子(n,α)和(n,p)反应的研究

快中子核反应数据，不论对反应堆和聚变堆的设计，还是对核反应机制和核结构的研究及其理论的发展均有着重要的意义．由于屏栅电离室的诸多特点，被用于快中子核反应截面、能谱及双微分截面的测量．作为系统研究的一部分，利用屏栅电离室在北京大学４．５ＭＶ静电加速器上和在４～７ＭｅＶ能区内，对４０Ｃａ、６４Ｚｎ、５８Ｎｉ、５４Ｆｅ、３９Ｋ的（ｎ，α）反应进行了成功的测量，并对５８Ｎｉ的（ｎ，ｐ）反应进行了初步的测量．实验给出了反应中出射粒子的微分能谱、角分布和反应截面．从测量结果来看，在所测能区内，角分布大致是９０°对称的，说明在此能区复合核反应机制起主要作用．

(p,n)反应激发函数的系统学研究

从普朗克（Ｐｌａｎｃｋ）黑体辐射公式和实验测量数据出发，提出了１个包含２个可调参量、入射质子能量从阈能到１５０ＭｅＶ、靶核质量数在２０＜Ａ＜２３８范围内能够较好描述（ｐ，ｎ）反应激发函数的系统学经验公式。

E_n<6MeV能区(n,p)反应截面的物理分析

在En＜6MeV能区，以(58)Ni（n，p）(58)Co和(64)Zn（n，p）(64)Cu反应为例，对（n，p）反应截面的实验数据进行物理分析，得出在评价这段能区的反应截面时更应重视使用7Li－P和7T－P中子源实验数据的结论。

质子入射能量E_p≤100MeV的(p,n)反应激发函数半经验计算方法

基于核反应的蒸发模型和预平衡激子模型,在靶核质量数为30≤A≤140、质子入射能量Ep≤100MeV范围内,对上述模型理论进行了简化,得到了计算(p,n)反应的激发函数的半经验公式。计算结果与已有实验数据的核素符合很好,同时得到了有关参数的系统学公式。

14 MeV能区中子引起的^(58)Ni(n,p)^(58m+g)Co反应截面测量

用活化法以27Al(n,α)24Na反应截面为中子通量标准,对14 MeV能区中子引起的58Ni(n,p)58m+8Co反应 截面进行了测量。中子能量是用金硅面垒半导体探测器测定的。

O(~3P)+1,2-丁二烯反应的交叉分子束和理论研究:丙烯+CO和亚乙基+乙烯酮反应的主要分子通道（英文）

详细了解O(^3P)与不饱和烃的多通道燃烧反应机理需要鉴定所有主要反应产物、确定分支比、评估三重态与单重态势能面之间的系间窜跃.将交叉分子束实验、软电离、质谱、飞行时间分析,以及高级从头算计算三重态/单线态势能面,RRKM/Master方程计算支化比包括系间窜跃,均可以获得最佳效果.最近已经证明这些方法对于含有两个或三个碳原子的最简单的不饱和烃(炔烃,烯烃,二烯)和O(^3P)反应是成功的.本文通过交叉分子束与理论相结合的方法研究O(^3P))和含有四个C原子的二烯类化合物, 1,2-丁二烯(甲基芳烃)的反应,探索产物分布、分支比和系间窜跃如何随着分子复杂性的增加而变化,即从O(3P)和丙二烯反应到O(3P)1,2-丁二烯的反应变化.尤其关注了最重要的导致链终止的主导分子通道(即形成丙烯+CO(分支≥0.5)和亚乙基+乙烯酮(分支比≥0.15))与导致链传递的自由基形成通道进行对比(分支比≥0.35).

14MeV中子反应和远离核研究

指出了中子源的重要性,扼要地说明了加速器中子源的特点。简单地介绍了14 MeV中子引起的核反应,发现了14 MeV中子可以引起重核的奇异(n,2p)反应,并以此为基础,形成了合成和研究重丰中子新核素的一条物理思想和生成、分离鉴别技术路线;先后合成和研究了^(185)Hf、^(237)Th、^(175)Er和^(197)Os等四种重丰中子新核素。

利用QMD分析中高能质子入射^(208)Pb的(p,xn)反应双微分截面

中高能质子入射重金属靶产生散裂中子是加速器驱动洁净核能系统的一个关键部分 .利用量子分子动力学 (QMD)模型研究入射质子能量在 3 0 0MeV—1 .5GeV ,散裂靶为2 0 8Pb的 (p ,xn)核反应的双微分截面 ,QMD计算结果很好再现了实验数据 ,且QMD的计算结果明显优于HETC和LAHET .

(n,p)激发函数一种新的半经验计算方法

基于核反应蒸发模型和预平衡激子模型,在一些近似条件下得到了入射能量小于20MeV的(n,p)的激发函数解析半经验表达式,靶核在23≤A≤209的范围内,利用大量(n,p)反应的截面实验数据对可调参数进行了研究,得到了参数对靶核的N和Z以及中子入射能量的依赖关系,对得到的参数做了定性的解释,利用普适参数对(n,p)反应的激发函数做了预言,预言值在其误差范围内与实验数据一致。

基于14 MeV质子回旋加速器的BNCT中子源实验终端设计

随着加速器技术的发展,基于加速器的硼中子俘获治疗装置越来越受到国内外关注。为了研究基于能量为14 MeV、流强为80μA的回旋质子加速器获得硼中子俘获治疗(Boron Neutron Capture Therapy,BNCT)中子源的可能性,利用Geant4软件对中子产生靶以及束流整形组件进行了优化设计,旨在获得理想的超热中子束实验终端。由于加速器的流强较低,增设了天然铀作为中子倍增器以提高中子注量。经过对铍靶、天然铀增殖层、AlF_(3)和TiF_(3)复合慢化体、热中子吸收层和γ屏蔽层等进行优化设计,在束流出口处能够获得超热中子占比高达95.6%,注量率可达6.26×10^(7) n·cm^(−2)·s^(−1)的中子源终端。该方案可初步用于加速器BNCT中子源实验终端的技术验证。