3300 V p^+深阱平面栅非穿通IGBT特性

高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效。对p^+深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p^+深阱平面栅非穿通IGBT(NPT-IGBT)。对NPT-IGBT的静态特性进行了仿真,结果表明,当p^+结深约为5.5μm,p^+深阱距离多晶硅5μm时,p^+深阱并未影响到沟道处p阱掺杂浓度,对IGBT静态特性无明显影响。制备了不同p^+深阱注入剂量的IGBT芯片,并将芯片封装为模块,分别进行常温和高温下的静态和动态参数测试。测试结果表明,当p^+深阱剂量低时,常温下模块关断失效;而p^+深阱剂量增大时可通过常温、高温开关测试,并通过10μs短路测试。p^+深阱注入剂量对静态特性无明显影响,对动态特性改善明显,可满足应用要求。

90nm CMOS工艺下p^+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固.

一种抑制单粒子瞬态响应的SiGe HBT工艺加固技术仿真

基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,开展了无深槽NPN SiGe HBT工艺和器件仿真。模拟了带深P阱SiGe HBT的制备过程、常规电学特性和重离子单粒子效应。该器件与常规器件相比表现出更优的单粒子瞬态(SET)特性,在关态的SET响应峰值下降了80%,在最大特征频率工作点的SET响应峰值下降了27%,瞬态保持时间也大幅减小。使用深N阱和深P阱隔离同时抑制了集电区-衬底结的漂移载流子收集和衬底扩散载流子收集的过程,极大地提高了器件的SET性能。