XF_3(X=N,P,As)分子价层电离势的三阶代数图-表构建法计算

应用三阶代数图-表构建法（third-order algebraic diagrammatic construction scheme 简写为 ADC （3））计算了XF3（X=N,P,As）的价层垂直电离势（VIP）.结果表明：内壳层电子关联对电离主峰位置影响非常小；来自不同理论结果的分子结构对电离主峰位置有较小影响；基组差异则表现的非常明显.由计算值和实验结果比较可知：在实验分子结构和 cc-pVDZ基组下,应用 ADC（3）得到的电离势与实验值整体上差距最小；ADC（3）计算的第一电离势往往小于实验值约0.4～0.8 eV,其余主峰位置与实验值差距约0.01～0.3 eV；随基组增大,ADC（3）结果与实验值偏差明显增大.因此,利用 ADC（3）方法计算价层电离势时,建议使用价层电子关联,基组则采用 cc-pVDZ或DZP,结构除采用实验外也可直接从耦合簇、密度泛函等理论获得.

θ型Calderón-Zygmund算子的端点估计

以θ型Calderón-Zygmund算子为研究对象,对θ型Calderón-Zygmund算子的端点估计进行研究.当θ型Calderón-Zygmund算子满足消失性条件,结合经典的Calderón-Zygmund算子在端点处的有界性估计,运用函数分解的方法确定了θ型Calderón-Zygmund算子分别在BMO(Rn)空间和CBMOp,λ(Rn)空间上的有界性.

XF_3(X=N,P,As)价层电离势的运动方程耦合团簇理论计算

采用运动方程单双取代耦合团簇理论(EOM-CCSD)对XF3(X=N,P,As)的价层垂直离势(VIP)进行了系统计算,同时对称匹配团簇组态相互作用(SAC-CI)、外价层格林函数(OVGF)以及部分三阶近似(P3)方法也被应用到目前计算.与已有的实验结果比较表明EOM-CCSD计算的价层垂直电离势整体上与SAC-CI结果相近,而优于OVGF和P3理论结果,在整个价层上,EOM-CCSD结果与实验值总体差距约0.2eV,在外价层这种差距相对较小,在内价层则有所增大.随基组增大EOM-CCSD计算得到的第一电离势与实验值差距迅速减小,约0.03eV.根据SAC-CI,OVGF,P3和EOM-CCSD对NF3和PF3计算结果,判断AsF3第一电离势约为12.8eV,而非12.3eV,同时给出AsF3的价层电离势依次为12.64,15.23,16.30,17.37,18.05,21.98eV.

关于L·德布罗意研究中的几个问题

本文以德布罗意的原著为依据,对诸多物理学史著述及物理学教材中关于德布罗意评价中的若干通行说法重新进行了研究。首先,明确了波粒二元理论中德布罗意的波粒综合思想与玻尔的互补思想的差异;其次,对德布罗意关系p=h/λ在德布罗意理论体系中的地位问题作了说明;最后,对德布罗意一度放弃自己理论,认同哥本哈根观点的原因,作了实质性探讨。