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Be、Mg掺杂AlN电子结构的第一性原理计算
被引量:
4
1
作者
袁娣
黄多辉
罗华锋
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期919-926,共8页
基于密度泛函理论(Density Functional Theory)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算分析了纤锌矿结构的AlN晶体和Be、Mg掺杂AlN晶体的晶格参数、结合能、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表...
基于密度泛函理论(Density Functional Theory)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算分析了纤锌矿结构的AlN晶体和Be、Mg掺杂AlN晶体的晶格参数、结合能、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明:Be和Mg都是良好的p型掺杂剂,但是Be掺杂AlN晶体比Mg提供的空穴更多,Be比Mg更有利于AlN晶体的p型掺杂.
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关键词
aln
p型掺杂aln
电子结构
第一性原理
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职称材料
题名
Be、Mg掺杂AlN电子结构的第一性原理计算
被引量:
4
1
作者
袁娣
黄多辉
罗华锋
机构
宜宾学院计算物理四川省高校重点实验室
宜宾学院物理与电子工程学院
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期919-926,共8页
基金
四川省教育厅项目(09ZC048)
宜宾学院项目(2011z11)
文摘
基于密度泛函理论(Density Functional Theory)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算分析了纤锌矿结构的AlN晶体和Be、Mg掺杂AlN晶体的晶格参数、结合能、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明:Be和Mg都是良好的p型掺杂剂,但是Be掺杂AlN晶体比Mg提供的空穴更多,Be比Mg更有利于AlN晶体的p型掺杂.
关键词
aln
p型掺杂aln
电子结构
第一性原理
Keywords
aln
p
-ty
p
e do
p
ed
electronic structure
first-
p
rinci
p
les
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Be、Mg掺杂AlN电子结构的第一性原理计算
袁娣
黄多辉
罗华锋
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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职称材料
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