1
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氮化镓基发光二极管结构中粗化p型氮化镓层的新型生长方法 |
李水清
汪莱
韩彦军
罗毅
邓和清
丘建生
张洁
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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2
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p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量 |
薛松
韩彦军
吴震
罗毅
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
6
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3
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Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触 |
冯玉春
张建宝
朱军山
杨建文
胡加辉
王文欣
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
2
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4
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p型GaN基器件的欧姆接触 |
刘一兵
丁洁
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《真空电子技术》
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2008 |
1
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5
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p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究 |
常青原
贾富春
李萌迪
侯斌
杨凌
马晓华
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《空间电子技术》
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2023 |
0 |
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6
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Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量 |
卫静婷
冯玉春
李炳乾
杨建文
刘文
王质武
施炜
杨清斗
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
3
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7
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氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理 |
胡成余
秦志新
冯振兴
陈志忠
杨华
杨志坚
于彤军
胡晓东
姚淑德
张国义
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
1
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8
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p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响 |
孙丽
张江勇
陈明
梁明明
翁国恩
张保平
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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9
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p-GaN与ITO欧姆接触的研究 |
甄珍珍
杨瑞霞
王静辉
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
0 |
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10
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MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究 |
韩军
冯雷
邢艳辉
邓军
徐晨
沈光地
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《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
1
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11
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掺杂GaN的湿法刻蚀研究 |
姚光锐
范广涵
李军
杨昊
胡胜蓝
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2009 |
1
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12
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Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用 |
王乐
郭伟玲
王嘉露
杨新
孙捷
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2019 |
0 |
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