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P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
被引量:
5
1
作者
姚中辉
陈红梅
+2 位作者
王拓
蒋成
张子旸
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第16期1-7,共7页
1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点...
1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。
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关键词
激光器
量子点
p型调制掺杂
分子束外延
腔面镀膜
原文传递
题名
P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
被引量:
5
1
作者
姚中辉
陈红梅
王拓
蒋成
张子旸
机构
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
青岛翼晨镭硕科技有限公司
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第16期1-7,共7页
基金
江西省应用研究培育计划资助项目(20181BBE58020)。
文摘
1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。
关键词
激光器
量子点
p型调制掺杂
分子束外延
腔面镀膜
Keywords
lasers
quantum dots
p
-modulation do
p
ing
molecular beam e
p
itaxy
facet coating
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
姚中辉
陈红梅
王拓
蒋成
张子旸
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
5
原文传递
已选择
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