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题名基于基板塑封工艺的小型化宽带电调衰减器
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作者
贾玉伟
唐中强
蔡道民
薛梅
李展
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《电子与封装》
2023年第10期76-80,共5页
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文摘
为满足自动增益控制(AGC)电路中对电调衰减器小型化的需求,采用4个P型-本征-N型(PIN)二极管构成的对称式Π型衰减网络,通过电路设计和基板塑封工艺,实现了一种小型化宽带电调衰减器。电调衰减器采用2.7 V电源供电,采用1.0~5.0 V控制电压。测试结果表明,在工作频带为30~1000 MHz时,电调衰减器的最小插入损耗的绝对值小于2.9 dB,其最大衰减量的绝对值大于35.0 dB,其回波损耗小于-10 dB。器件封装尺寸为3.8 mm×3.8 mm×1.0 mm,单只器件质量为38 mg。该电调衰减器满足宽频带、低插损的要求,具有小型化、高集成、轻量化的特点。
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关键词
小型化
宽带
电调衰减
p型-本征-n型(pin)二极管
Π型衰减网络
基板塑封
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Keywords
miniaturization
wide-band
electronic tuning attenuation
p-type-intrinsic-n-type(pin)diodes
Π-type attenuation network
substrate molding process
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分类号
TN454
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响
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作者
吴正军
顾晓峰
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机构
江南大学信息工程学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期391-395,共5页
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基金
教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]890)
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文摘
利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特性的影响。模拟实验表明,氢化非晶硅(a-Si:H)PIN结构太阳电池本征层厚度存在一个最佳区间,在该区间电池总体性能较为理想,包括对应的光电转换效率达到峰值。得到的a-Si:H太阳电池填充因子可达到约0.8,最高光电转换效率可达到约13%。
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关键词
非晶硅
太阳电池
p型-本征型-n型半导体(pin)
陷阱模型
光电特性
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Keywords
amorphous silicon
solar cell
pin(positive-intrisic-negative)
trap model
photoelectrical characteristics
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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