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Single-and Two-band Transport Properties Crossover in Bi_(2)Te_(3)Based Thermoelectrics
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作者 MENG Yuting WANG Xuemei +2 位作者 ZHANG Shuxian CHEN Zhiwei PEI Yanzhong 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1283-1291,共9页
Based on Peltier effect,Bi_(2)Te_(3)-based alloy is widely used in commercial solid-state refrigeration at room temperature.The mainstream strategies for enhancing room-temperature thermoelectric performance in Bi_(2)... Based on Peltier effect,Bi_(2)Te_(3)-based alloy is widely used in commercial solid-state refrigeration at room temperature.The mainstream strategies for enhancing room-temperature thermoelectric performance in Bi_(2)Te_(3)focus on band and microstructure engineering.However,a clear understanding of the modulation of band structure and scattering through such engineering remains still challenging,because the minority carriers compensate partially the overall transport properties for the narrow-gap Bi_(2)Te_(3)at room temperature(known as the bipolar effect).The purpose of this work is to model the transport properties near and far away from the bipolar effect region for Bi_(2)Te_(3)-based thermoelectric material by a two-band model taking contributions of both majority and minority carriers into account.This is endowed by shifting the Fermi level from the conduction band to the valence band during the modeling.A large amount of data of Bi_(2)Te_(3)-based materials is collected from various studies for the comparison between experimental and predicted properties.The fundamental parameters,such as the density of states effective masses and deformation potential coefficients,of Bi_(2)Te_(3)-based materials are quantified.The analysis can help find out the impact factors(e.g.the mobility ratio between conduction and valence bands)for the improvement of thermoelectric properties for Bi_(2)Te_(3)-based alloys.This work provides a convenient tool for analyzing and predicting the transport performance even in the presence of bipolar effect,which can facilitate the development of the narrow-gap thermoelectric semiconductors. 展开更多
关键词 thermoelectric material bi_(2)te_(3)-based alloy two-band model narrow-gap thermoelectric semiconductor
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Ultrahigh thermoelectric properties of p‐type Bi_(x)Sb_(2−x)Te_(3) thin films with exceptional flexibility for wearable energy harvesting
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作者 Zhuang‐Hao Zheng Yi‐Ming Zhong +9 位作者 Yi‐Liu Li Mohammad Nisar Adil Mansoor Fu Li Shuo Chen Guang‐Xing Liang Ping Fan Dongyan Xu Meng Wei Yue‐Xing Chen 《Carbon Energy》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期273-284,共12页
Use of a flexible thermoelectric source is a feasible approach to realizing selfpowered wearable electronics and the Internet of Things.Inorganic thin films are promising candidates for fabricating flexible power supp... Use of a flexible thermoelectric source is a feasible approach to realizing selfpowered wearable electronics and the Internet of Things.Inorganic thin films are promising candidates for fabricating flexible power supply,but obtaining highthermoelectric‐performance thin films remains a big challenge.In the present work,a p‐type Bi_(x)Sb_(2−x)Te_(3) thin film is designed with a high figure of merit of 1.11 at 393 K and exceptional flexibility(less than 5%increase in resistance after 1000 cycles of bending at a radius of∼5 mm).The favorable comprehensive performance of the Bi_(x)Sb_(2−x)Te_(3) flexible thin film is due to its excellent crystallinity,optimized carrier concentration,and low elastic modulus,which have been verified by experiments and theoretical calculations.Further,a flexible device is fabricated using the prepared p‐type Bi_(x)Sb_(2−x)Te_(3) and n‐type Ag_(2)Se thin films.Consequently,an outstanding power density of∼1028μWcm^(−2)is achieved at a temperature difference of 25 K.This work extends a novel concept to the fabrication of highperformance flexible thin films and devices for wearable energy harvesting. 展开更多
关键词 bi_(x)Sb_(2−x)te_(3) electrical transport properties FLEXIbiLITY THERMOELECTRIC
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Enhanced Electrical Properties of Bi_(2−x)Sb_(x)Te_(3) Nanoflake Thin Films Through Interface Engineering
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作者 Xudong Wu Junjie Ding +8 位作者 Wenjun Cui Weixiao Lin Zefan Xue Zhi Yang Jiahui Liu Xiaolei Nie Wanting Zhu Gustaaf Van Tendeloo Xiahan Sang 《Energy & Environmental Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第6期359-366,共8页
The structure–property relationship at interfaces is difficult to probe for thermoelectric materials with a complex interfacial microstructure.Designing thermoelectric materials with a simple,structurally-uniform int... The structure–property relationship at interfaces is difficult to probe for thermoelectric materials with a complex interfacial microstructure.Designing thermoelectric materials with a simple,structurally-uniform interface provides a facile way to understand how these interfaces influence the transport properties.Here,we synthesized Bi_(2−x)Sb_(x)Te_(3)(x=0,0.1,0.2,0.4)nanoflakes using a hydrothermal method,and prepared Bi_(2−x)Sb_(x)Te_(3) thin films with predominantly(0001)interfaces by stacking the nanoflakes through spin coating.The influence of the annealing temperature and Sb content on the(0001)interface structure was systematically investigated at atomic scale using aberration-corrected scanning transmission electron microscopy.Annealing and Sb doping facilitate atom diffusion and migration between adjacent nanoflakes along the(0001)interface.As such it enhances interfacial connectivity and improves the electrical transport properties.Interfac reactions create new interfaces that increase the scattering and the Seebeck coefficient.Due to the simultaneous optimization of electrical conductivity and Seebeck coefficient,the maximum power factor of the Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(3) nanoflake films reaches 1.72 mW m^(−1)K^(−2),which is 43%higher than that of a pure Bi_(2)Te_(3) thin film. 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3) nanoflakes interface engineering scanning transmission electron microscopy thermoelectric thin film
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Investigation of helicity-dependent photocurrent of surface states in(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplate
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作者 喻钦 俞金玲 +3 位作者 陈涌海 赖云锋 程树英 何珂 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第5期573-578,共6页
Helicity-dependent photocurrent(HDPC)of the surface states in a high-quality topological insulator(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplate grown by chemical vapor deposition(CVD)is investigated.By investigating the angle... Helicity-dependent photocurrent(HDPC)of the surface states in a high-quality topological insulator(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplate grown by chemical vapor deposition(CVD)is investigated.By investigating the angle-dependent HDPC,it is found that the HDPC is mainly contributed by the circular photogalvanic effect(CPGE)current when the incident plane is perpendicular to the connection of the two contacts,whereas the circular photon drag effect(CPDE)dominates the HDPC when the incident plane is parallel to the connection of the two contacts.In addition,the CPGE of the(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplate is regulated by temperature,light power,excitation wavelength,the source–drain and ionic liquid top-gate voltages,and the regulation mechanisms are discussed.It is demonstrated that(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplates may provide a good platform for novel opto-spintronics devices. 展开更多
关键词 (bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)te_(3)nanoplate helicity-dependent photocurrent circular photogalvanic effect ionic liquid gating
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双Z型异质结Bi_(2)MoO_(6)/Bi_(2)WO_(6)/Ag_(3)PO_(4)的光催化研究
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作者 董玮 林莉 +3 位作者 顾怀章 罗云强 马平 李向阳 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期81-89,共9页
采用一锅水热法制备了片层花簇状Bi_(2)MoO_(6)/Bi_(2)WO_(6)复合物,并以其为载体,将Ag_(3)PO_(4)通过原位生长的方式沉积在其表面,设计出一种新型的Bi_(2)MoO_(6)/Bi_(2)WO_(6)/Ag_(3)PO_(4)复合双Z-scheme型结构的光催化剂,考察了复... 采用一锅水热法制备了片层花簇状Bi_(2)MoO_(6)/Bi_(2)WO_(6)复合物,并以其为载体,将Ag_(3)PO_(4)通过原位生长的方式沉积在其表面,设计出一种新型的Bi_(2)MoO_(6)/Bi_(2)WO_(6)/Ag_(3)PO_(4)复合双Z-scheme型结构的光催化剂,考察了复合催化剂在可见光下降解罗丹明B(RhB)的催化活性。研究表明,当Ag_(3)PO_(4)在复合物中的质量分数为5%时,复合催化剂在可见光下具有最佳的光催化活性,在120 min内对RhB的降解率高达99.15%。Bi_(2)MoO_(6)、Bi_(2)WO_(6)和Ag_(3)PO_(4)三者的协同作用有效提高了对可见光的吸收能力,所构建的双Z型异质结可改变光生电子的传输路径,进而促使光生电子空穴的分离,从而获得显著的光催化活性。根据捕获实验和能带理论分析,提出了一种双Z-scheme型光催化剂的作用机理。 展开更多
关键词 光催化 双Z-scheme异质结 bi_(2)MoO_(6)/bi_(2)WO_(6)/Ag_(3)pO_(4)复合材料 可见光响应
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β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂研究进展
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作者 何俊洁 矫淑杰 +3 位作者 聂伊尹 高世勇 王东博 王金忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期557-567,共11页
β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。... β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。本文首先简要概述了β-Ga_(2)O_(3)的优点,并介绍了其晶体结构和基本性质。其次,说明了β-Ga_(2)O_(3)的本征缺陷,尤其是氧空位对导电性能的影响。然后,详细讨论了β-Ga_(2)O_(3) p型掺杂的研究现状,包括p型掺杂困难的原因和N掺杂、Mg掺杂、Zn掺杂、其他受主元素掺杂、两种元素共掺杂以及其他方法。最后,总结并对β-Ga_(2)O_(3)未来的发展进行了展望。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 本征缺陷 p掺杂 宽禁带半导体 半导体
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Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的制备及其圆偏振光致电流效应
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作者 冯世尊 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期14-19,共6页
采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于... 采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于纳米线和平行于纳米线时的CPGE电流.实验结果表明,测得的CPGE电流主要来自纳米线的拓扑表面态.激光垂直入射纳米线时的CPGE电流不为0,说明CPGE电流来源于纳米线能带的六角翘曲效应.本研究测得的Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的CPGE电流比文献报导的Bi2(Te0.23Se0.77)3纳米线增大2倍以上,这是因为Te组分的增加不但使得费米能级更加靠近狄拉克点,还降低了纳米线中载流子复合的概率,二者共同作用,使得CPGE电流增大. 展开更多
关键词 bi_(2)(Se_(0.53)te_(0.47))_(3)纳米线 拓扑绝缘体 化学气相沉积 圆偏振光致电流效应
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Sb和Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料热电性能的影响研究
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作者 彭星 孙彩云 +4 位作者 唐晶晶 丛大龙 吴永鹏 周富 高诗情 《电工材料》 CAS 2024年第4期29-33,36,共6页
为了明确Sb、Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料热电性能的影响规律,采用高温熔炼法制备不同Sb掺杂量的P型Bi_(2)Te_(3)和不同Se掺杂量的N型Bi_(2)Te_(3)材料,通过SEM和EDS分析、热电性能测试等,研究Sb、Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料电导率、... 为了明确Sb、Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料热电性能的影响规律,采用高温熔炼法制备不同Sb掺杂量的P型Bi_(2)Te_(3)和不同Se掺杂量的N型Bi_(2)Te_(3)材料,通过SEM和EDS分析、热电性能测试等,研究Sb、Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料电导率、塞贝克系数、热导率、热电优值等热电性能的影响。结果表明,随着Sb掺杂量的增大,P型Bi_(2)Te_(3)的电导率先增大后减小,赛贝克系数先减小后增大,热导率减小,热电优值先增大后减小;随着Se掺杂量的增大,N型Bi_(2)Te_(3)的电导率先增大后减小,赛贝克系数先减小后增大,热导率减小,热电优值增大。当Sb掺杂量为22.5%时,P型Bi_(2)Te_(3)在175℃下的热电性能更好,热电优值为0.83;当Se掺杂量为5%时,N型Bi_(2)Te_(3)在175℃下的热电性能更好,热电优值为1.33。 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3) 掺杂 电导率 赛贝克系数 热导率 热电优值
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n型Bi_(2)Te_(3)基化合物的类施主效应和热电性能
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作者 李强 陈硕 +7 位作者 刘可可 鲁志强 胡芹 冯利萍 张清杰 吴劲松 苏贤礼 唐新峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期288-296,共9页
晶粒细化是提高Bi_(2)Te_(3)基热电材料力学性能的重要方法,但晶粒细化过程中伴随的类施主效应严重劣化了材料的热电性能,并且一旦产生类施主效应,就很难通过简单的热处理等工艺消除.本文系统研究n型Bi_(2)Te_(3)基化合物烧结前粉体颗... 晶粒细化是提高Bi_(2)Te_(3)基热电材料力学性能的重要方法,但晶粒细化过程中伴随的类施主效应严重劣化了材料的热电性能,并且一旦产生类施主效应,就很难通过简单的热处理等工艺消除.本文系统研究n型Bi_(2)Te_(3)基化合物烧结前粉体颗粒尺寸对材料类施主效应和热电性能的影响规律.随着颗粒尺寸减小,氧诱导的类施主效应明显增强,载流子浓度从10 M烧结样品的3.36×10^(19)cm^(-3)急剧增加到120 M烧结样品的7.33×10^(19)cm^(-3),严重偏离最佳载流子浓度2.51×10^(19)cm^(-3),热电性能严重劣化.当粉体颗粒尺寸为1—2 mm时,烧结样品的Seebeck系数为–195 μV/K,载流子浓度为3.36×10^(19)cm^(-3),与区熔样品沿着ab面方向的Seebeck系数为–203 μV/K和载流子浓度为2.51×10^(19)cm^(-3)相近,未表现出明显的类施主效应,可作为粉末冶金工艺的优质原料. 18 M烧结样品获得最大ZT值为0.75,进一步增强织构有望获得优异的热电性能.本研究为调控和有效抑制类施主效应的产生提供了新方法和途径,为采用粉末冶金工艺制备具有优异热电性能和力学性能材料提供了重要指导. 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3)基化合物 颗粒尺寸 类施主效应 热电性能
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Bi_(2)Te_(3)薄膜的宽波段自供电柔性光电探测器研究
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作者 刘霄龙 唐涵 +2 位作者 黄茜茜 陈琼 罗斯玮 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第3期66-73,共8页
拓扑绝缘体由于其独特的电学和光学性能在光电器件领域得到了广泛关注.Bi_(2)Te_(3)二维材料是一种拓扑绝缘体,其体态绝缘而表面态导电,可用于高性能光电探测器的新型材料.该文使用气相沉积法分别在SiO_(2)/Si基底和聚酰亚胺(PI)柔性基... 拓扑绝缘体由于其独特的电学和光学性能在光电器件领域得到了广泛关注.Bi_(2)Te_(3)二维材料是一种拓扑绝缘体,其体态绝缘而表面态导电,可用于高性能光电探测器的新型材料.该文使用气相沉积法分别在SiO_(2)/Si基底和聚酰亚胺(PI)柔性基底上生长出了连续、高质量的Bi_(2)Te_(3)薄膜,在此基础上构建了Bi_(2)Te_(3)光电探测器,测试结果表明Bi_(2)Te_(3)薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应和自供电性能,并在PI柔性基底上表现出优异的抗疲劳性能,在现代光电探测领域有着非常大的应用潜力. 展开更多
关键词 二维材料 bi_(2)te_(3) 光电探测器 柔性器件 气相沉积
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王不留行黄酮苷通过miR-570-3p/BNIP3减轻线粒体损伤并缓解2型糖尿病内皮功能障碍
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作者 赵晨阳 朱雪雪 +6 位作者 陈欣雨 陈天笑 徐锦朋 李泰悦 曹幸予 张源 邱丽颖 《中国病理生理杂志》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期872-881,共10页
目的:探究王不留行黄酮苷(VAC)对2型糖尿病(T2DM)内皮功能障碍的治疗作用及机制研究。方法:(1)通过腹腔注射链脲佐菌素和喂饲高脂饲料(21.8 kJ/kg,60%能量为脂肪)构建T2DM小鼠模型。将30只C57BL/6小鼠随机分为对照组、T2DM组和T2DM+VAC... 目的:探究王不留行黄酮苷(VAC)对2型糖尿病(T2DM)内皮功能障碍的治疗作用及机制研究。方法:(1)通过腹腔注射链脲佐菌素和喂饲高脂饲料(21.8 kJ/kg,60%能量为脂肪)构建T2DM小鼠模型。将30只C57BL/6小鼠随机分为对照组、T2DM组和T2DM+VAC组,每组10只。T2DM+VAC组小鼠给予1 mg/kg VAC灌胃6周,对照组和T2DM组小鼠均给予等体积PBS。RT-qPCR和Western blot检测胸主动脉中BCL2相互作用蛋白3(BINIP3)、PTEN诱导激酶1(PINK1)和parkin的mRNA和蛋白表达。(2)在体外通过高糖(HG)刺激人脐静脉内皮细胞(HUVECs),用JC-1染色检测线粒体膜电位变化,吖啶橙(AO)染色检测自噬溶酶体变化,MitoSOX染色检测线粒体超氧化物的积累。结果:与对照组相比,T2DM小鼠胸主动脉BNIP3、PINK1和parkin的mRNA和蛋白表达水平显著升高(P<0.05);与T2DM组相比,T2DM+VAC组小鼠胸主动脉中BNIP3、PINK1和parkin的mRNA和蛋白表达水平显著降低(P<0.05)。JC-1、AO和MitoSOX染色结果显示,VAC可抑制HG诱导的HUVECs线粒体膜电位降低、自噬溶酶体增多和线粒体超氧化物水平升高。VAC也可减轻BNIP3过表达后HG诱导的HUVECs线粒体损伤。微小RNA-570-3p(miR-570-3p) mimic与VAC有相似的减轻线粒体损伤作用。RT-qPCR和Western blot结果显示,miR-570-3p mimic和VAC都使BNIP3、PINK1和parkin的mRNA和蛋白水平显著降低。使用miR-570-3p抑制剂后,VAC的上述作用均被抑制。结论:VAC通过miR-570-3p/BNIP3减轻HG诱导的线粒体损伤,从而缓解T2DM内皮功能障碍。 展开更多
关键词 王不留行黄酮苷 2糖尿病 内皮功能障碍 BNIp3蛋白 微小RNA-570-3p 线粒体损伤
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老年2型糖尿病患者血清微小RNA-125a-3p和基质金属蛋白酶9水平与颈动脉粥样硬化的关系
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作者 江巍 白盟盟 王海峰 《中国医药》 2024年第4期545-549,共5页
目的 探讨老年2型糖尿病(T2DM)患者血清微小RNA-125a-3p(miR-125a-3p)、基质金属蛋白酶9(MMP-9)水平与颈动脉粥样硬化(CAS)的关系。方法 选取2020年4月至2023年5月内蒙古自治区人民医院收治的200例老年T2DM患者(T2DM组),根据颈动脉内中... 目的 探讨老年2型糖尿病(T2DM)患者血清微小RNA-125a-3p(miR-125a-3p)、基质金属蛋白酶9(MMP-9)水平与颈动脉粥样硬化(CAS)的关系。方法 选取2020年4月至2023年5月内蒙古自治区人民医院收治的200例老年T2DM患者(T2DM组),根据颈动脉内中膜厚度(CIMT)分为CAS亚组和非CAS亚组,另选取同期45例老年体检健康者为对照组。收集T2DM患者临床资料,检测研究对象血清miR-125a-3p、MMP-9水平。分析T2DM患者血清miR-125a-3p、MMP-9水平与CIMT、空腹血糖、糖化血红蛋白(HbA1c)、甘油三酯、低密度脂蛋白胆固醇(LDL-C)的相关性,多因素Logistic回归分析T2DM患者CAS的影响因素,受试者工作特征(ROC)曲线分析血清miR-125a-3p、MMP-9对T2DM患者CAS的预测价值。结果 T2DM组血清miR-125a-3p、MMP-9水平均高于对照组[(1.58±0.30)比(1.09±0.22)、(24±8)μg/L比(14±5)μg/L](均P<0.001)。200例T2DM患者中137例CIMT≥1.0 mm, CAS发生率为68.5%(137/200)。CAS亚组miR-125a-3p、MMP-9水平均高于非CAS亚组(均P<0.05)。T2DM患者血清miR-125a-3p与MMP-9水平呈正相关(r=0.778,P<0.001),二者与CIMT、空腹血糖、HbA1c、甘油三酯、LDL-C均呈正相关(均P<0.001)。多因素Logistic回归分析结果显示,血脂异常、病程延长和HbA1c、LDL-C、miR-125a-3p、MMP-9升高为T2DM患者CAS的独立危险因素(均P<0.05)。ROC曲线分析结果显示,血清miR-125a-3p、MMP-9联合预测老年T2DM患者CAS的曲线下面积大于二者单独预测(0.864比0.799、0.796)。结论 老年T2DM患者血清miR-125a-3p、MMP-9水平升高与CAS密切相关,可能成为T2DM患者CAS的辅助预测指标。 展开更多
关键词 2糖尿病 颈动脉粥样硬化 微小RNA-125a-3p 基质金属蛋白酶9
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Bi_(2)Te_(3)热电材料生产设备数据采集与监控系统设计研究
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作者 张珂锌 汤辉 《工业控制计算机》 2024年第5期4-6,共3页
碲化铋(Bi_(2)Te_(3))基热电材料因其在室温下具有最高的热电优值(ZT≈1)而被广泛应用,是目前唯一成功商业化的热电材料。为实现Bi_(2)Te_(3)生产数据实时存储,通过集成管控提高设备运行效率,设计了Bi_(2)Te_(3)热电材料生产设备数据采... 碲化铋(Bi_(2)Te_(3))基热电材料因其在室温下具有最高的热电优值(ZT≈1)而被广泛应用,是目前唯一成功商业化的热电材料。为实现Bi_(2)Te_(3)生产数据实时存储,通过集成管控提高设备运行效率,设计了Bi_(2)Te_(3)热电材料生产设备数据采集与监控系统,实现了全工艺过程的实时数据采集和运行监控。经验证,该系统易于搭建,运行稳定,可以满足企业对Bi_(2)Te_(3)热电材料生产设备的集成监控、存储展示及分析验证等多种实际需求。 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3)热电材料 数据采集 组态软件
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基于Bi_(2)O_(3)掺杂的La_(0.75)Ba_(0.25)Cr_(0.5)Fe_(0.5)O_(3-δ)(LBCF)敏感电极的混成电位型NH_(3)传感器
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作者 孟现聪 普子峻 管雨 《山东化工》 CAS 2024年第18期247-256,共10页
以钇稳定氧化锆(8YSZ)为固体电解质,Bi_(2)O_(3)修饰的La_(0.75)Ba_(0.25)Cr_(0.5)Fe_(0.5)O_(3-δ)(LBCF)复合材料为敏感电极,研制了混成电位NH_(3)传感器。探究了Bi_(2)O_(3)含量、不同多孔层比例、烧结温度和工作温度对传感性能的影... 以钇稳定氧化锆(8YSZ)为固体电解质,Bi_(2)O_(3)修饰的La_(0.75)Ba_(0.25)Cr_(0.5)Fe_(0.5)O_(3-δ)(LBCF)复合材料为敏感电极,研制了混成电位NH_(3)传感器。探究了Bi_(2)O_(3)含量、不同多孔层比例、烧结温度和工作温度对传感性能的影响。通过溶胶凝胶法制备了Bi_(2)O_(3)修饰的钙钛矿型La_(0.75)Ba_(0.25)Cr_(0.5)Fe_(0.5)O_(3-δ)复合材料。随着Bi_(2)O_(3)含量的增加,复合材料的粒径逐渐增大。通过在致密YSZ上丝网印刷YSZ浆料来延长TPB,并在YSZ多孔骨架上煅烧3 h,制备出具有多孔结构的LBCF-xBi_(2)O_(3)-SE。结果表明,LBCF-xBi_(2)O_(3)-SE传感器对不同浓度NH_(3)(5×10^(-6)~3500×10^(-6))的灵敏度均高于LBCF-SE传感器。其中,基于LBCF-30%Bi_(2)O_(3)的传感器灵敏度最高,在500℃时达到109.1 mV/dec。在400~600℃,响应值与NH_(3)浓度呈线性关系。因此,所提出的Bi_(2)O_(3)改性LBCF在工业应用中具有较高的原位氨监测潜力。 展开更多
关键词 NH_(3) La_(0.75)Ba_(0.25)Cr_(0.5)Fe_(0.5)O_(3-δ) bi_(2)O_(3) 混成电位 传感器 敏感电极
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miR-223-3p通过靶向TGFBR3促进LncRNA ADAMTS9-AS2表达上调抑制肺癌细胞的增殖和迁移作用 被引量:1
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作者 陈平 张鹤 李少军 《蚌埠医学院学报》 CAS 2024年第1期18-22,共5页
目的:探讨miR-223-3p通过靶向转化生长因子-βⅢ型受体(TGFBR3)促进长链非编码RNA(LncRNA)ADAMTS9-AS2表达上调抑制肺癌细胞增殖和迁移的作用及可能机制。方法:采用RT-PCR检测肺癌H1299细胞中miR-223-3p和TGFBR3 mRNA表达水平,Western b... 目的:探讨miR-223-3p通过靶向转化生长因子-βⅢ型受体(TGFBR3)促进长链非编码RNA(LncRNA)ADAMTS9-AS2表达上调抑制肺癌细胞增殖和迁移的作用及可能机制。方法:采用RT-PCR检测肺癌H1299细胞中miR-223-3p和TGFBR3 mRNA表达水平,Western blotting检测TGFBR3的蛋白表达水平,RT-qPCR检测LncRNA ADAMTS9-AS2的表达水平,CCK-8检测细胞增殖能力,Transwell细胞迁移实验和划痕实验检测细胞迁移能力。采用脂质体转染miR-223-3p模拟物(过表达组)、抑制剂(抑制组)、对照质粒(对照组)于H1299细胞中,比较各组转染前后miR-223-3p、TGFBR3、LncRNA ADAMTS9-AS2表达水平、细胞增殖能力、细胞迁移能力。结果:与转染前比较,过表达组转染后的H1299细胞中miR-223-3p、LncRNA ADAMTS9-AS2表达水平均升高(P<0.05),TGFBR3蛋白和mRNA表达水平均降低(P<0.01和P<0.05),细胞增殖和迁移能力下降(P<0.05);抑制组转染后的细胞中miR-223-3p和LncRNA ADAMTS9-AS2表达水平均降低(P<0.05),TGFBR3蛋白和mRNA表达水平均升高(P<0.01和P<0.05),细胞增殖和迁移能力均增加(P<0.05)。转染72 h后,TGFBR3蛋白表达水平及mRNA的表达水平细胞增殖与迁移能力:抑制组>观察组>过表达组(P<0.01)。3组miR-223-3p、LncRNA ADAMTS9-AS2 mRNA表达水平逐渐降低,抑制组<对照组<过表达组(P<0.01)。结论:miR-223-3p抑制肺癌H1299细胞的增殖和迁移,靶向下调TGFBR3和上调LncRNA ADAMTS9-AS2表达可能为其作用机制。 展开更多
关键词 肺肿瘤 miR-223-3p 转化生长因子-βⅢ受体 长链非编码RNA ADAMTS9-AS2 增殖 迁移
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miR-93-5p通过PI3K/AKT通路调控HepG2细胞自噬
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作者 周曼 曹萍 +4 位作者 侯以琳 干定云 李广利 陈婉 吴军 《现代肿瘤医学》 CAS 2024年第16期2969-2974,共6页
目的:探究miR-93-5p对HepG2细胞增殖、自噬、葡萄糖消耗以及磷脂酰肌醇3-激酶(phosphatidylinositol 3-kinases,PI3K)/蛋白激酶B(protein kinase B,AKT)通路的影响。方法:高浓度葡萄糖诱导构建胰岛素抵抗(insulin resistance,IR)细胞模... 目的:探究miR-93-5p对HepG2细胞增殖、自噬、葡萄糖消耗以及磷脂酰肌醇3-激酶(phosphatidylinositol 3-kinases,PI3K)/蛋白激酶B(protein kinase B,AKT)通路的影响。方法:高浓度葡萄糖诱导构建胰岛素抵抗(insulin resistance,IR)细胞模型,设计合成miR-93-5p inhibitor和NC,结合自噬抑制剂3-MA,将细胞分为Control组、IR组、IR+inhibitor NC组、IR+inhibitor组、IR+3-MA+inhibitor组。CCK8法检测各组细胞增殖活力,试剂盒检测各组细胞葡萄糖消耗量和细胞糖原合成情况,Western-Blot法检测细胞自噬基因微管相关蛋白1轻链3(autophagy genes microtubule-associated protein 1 light chain 3,LC3)-I、LC3-II、肝细胞生长因子(hepatocyte growth factor,HGF)蛋白、PI3K/AKT通路蛋白(AKT、p-AKT)的表达。结果:与对照组相比,IR组细胞增殖活力、葡萄糖消耗量和细胞糖原合成量、HGF蛋白、LC3-II蛋白表达下降(P<0.01),LC3-I蛋白和p-AKT/AKT值表达均增加(P<0.01)。与IR组和IR+inhibitor NC组相比,IR+inhibitor组细胞增殖活力、葡萄糖消耗量和细胞糖原合成量、HGF蛋白、LC3-II蛋白表达增加(P<0.01),LC3-I蛋白和p-AKT/AKT值表达均下降(P<0.01)。与IR+inhibitor组相比,3-MA能逆转miR-93-5p inhibitor的作用。结论:miR-93-5p通过PI3K/AKT通路促进HepG2细胞自噬,进而抑制胰岛素抵抗,缓解糖尿病造成的机体损伤。 展开更多
关键词 2糖尿病 胰岛素抵抗 miR-93-5p 磷脂酰肌醇3-激酶/蛋白激酶B通路 细胞自噬
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电化学组装一维纳米线阵列p型Bi_2Te_3温差电材料 被引量:5
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作者 王为 贾法龙 +3 位作者 黄庆华 张伟玲 郭鹤桐 申玉田 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期517-522,共6页
对p型Bi_2Te_3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了P型Bi_2Te_3纳米线阵列温差电材... 对p型Bi_2Te_3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了P型Bi_2Te_3纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,P型Bi_2Te_3纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料。 展开更多
关键词 p温差电材料 bi2te3 电化学组装 纳米线阵列
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Helicity-dependent photoconductance of the edge states in the topological insulator Bi_(2)Te_(3)
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作者 周宇超 俞金玲 +2 位作者 陈涌海 赖云锋 程树英 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期375-381,共7页
The helicity-dependent photoconductance of the edge states in three-dimensional topological insulator Bi_(2)Te_(3)films is investigated.It is revealed that the helicity-dependent photoconductivity current on the left ... The helicity-dependent photoconductance of the edge states in three-dimensional topological insulator Bi_(2)Te_(3)films is investigated.It is revealed that the helicity-dependent photoconductivity current on the left edge of the Bi_(2)Te_(3)film shows an opposite sign with that on the right edge.In addition,the helicity-dependent photoconductivity current increases linearly with the applied longitudinal electric field,and it reverses the sign with the reversal of the electric field.As the thickness of the Bi_(2)Te_(3)film increases,the helicity-dependent photoconductivity current also increases.Theoretical analysis suggests that the helicity-dependent photo-conductivity current may come from the intrinsic spin orbit coupling(SOC)or the SOC introduced by the chiral impurities or defects. 展开更多
关键词 helicity-dependent photoconductance bi_(2)te_(3) edge states spin orbit coupling
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正负磁阻共存的Fe/Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_(3)热电磁薄膜
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作者 柯少秋 叶先峰 +6 位作者 张昊俊 聂晓蕾 陈天天 刘承姗 朱婉婷 魏平 赵文俞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第22期257-267,共11页
具有优异电输运性能的热电薄膜是发展高效面内散热技术的关键材料,但是过低的电输运性能是制约其应用的重要难题.热电磁耦合新效应是近年来发展的一种优化综合热电性能的新方法.为了探索热电磁耦合新效应对热电薄膜电输运性能的影响机制... 具有优异电输运性能的热电薄膜是发展高效面内散热技术的关键材料,但是过低的电输运性能是制约其应用的重要难题.热电磁耦合新效应是近年来发展的一种优化综合热电性能的新方法.为了探索热电磁耦合新效应对热电薄膜电输运性能的影响机制,本研究发展了一种球磨分散-丝网印刷-热压固化一体化成型的方法,成功制备了一系列Fe纳米粒子作为第二相的xFe/BST/环氧树脂热电磁薄膜,并重点研究了其热电磁耦合作用及其对电热输运性能的影响规律.研究发现,xFe/Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_(3)(BST)/环氧树脂热电磁薄膜中存在正、负磁阻共存的现象;BST(000l)择优取向因子与正磁阻(MR+)之间呈正比例关系并增加热电磁薄膜的电导率;源于强铁磁性Fe纳米粒子局部磁矩的自旋相关散射的负磁阻(MR-)会增加Seebeck系数.因此,室温附近Fe/BST/环氧树脂热电磁薄膜的功率因子高达2.87 mW/(K^(2)·m),与BST/环氧树脂热电薄膜相比,提高了78%.这些结果表明,热电磁薄膜中正、负磁阻的共存不仅可解耦热电材料中电导率与Seebeck系数之间的耦合关系,还可以为磁纳米粒子诱导优异热电转换性能提供新的物理机制. 展开更多
关键词 pbi_(2)te_(3) 基热电磁薄膜 磁各向异性 磁阻 自旋相关散射
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Bi_(2)Te_(3)/PLA复合薄膜的制备与性能研究
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作者 陈功哲 刘欣雨 +3 位作者 李宏熠 杨闻涛 张林娜 芦宏 《齐齐哈尔大学学报(自然科学版)》 2023年第3期59-62,共4页
采用熔体法制备了高质量的拓扑绝缘体Bi_(2)Te_(3)单晶,将研磨后的微米量级的Bi_(2)Te_(3)单晶粉末与聚乳酸(PLA)溶融共混制成Bi_(2)Te_(3)/PLA复合薄膜。为探究Bi_(2)Te_(3)单晶粉末含量差异对复合薄膜性能的影响,分别对复合薄膜的力... 采用熔体法制备了高质量的拓扑绝缘体Bi_(2)Te_(3)单晶,将研磨后的微米量级的Bi_(2)Te_(3)单晶粉末与聚乳酸(PLA)溶融共混制成Bi_(2)Te_(3)/PLA复合薄膜。为探究Bi_(2)Te_(3)单晶粉末含量差异对复合薄膜性能的影响,分别对复合薄膜的力学性能和气体透过性进行测试。结果表明,随Bi_(2)Te_(3)含量的增加Bi_(2)Te_(3)/PLA复合薄膜的拉伸强度先减小后增大,当Bi_(2)Te_(3)的含量在0.5%时,复合薄膜的拉伸强度最大达到75.00 MPa;随Bi_(2)Te_(3)含量的增加复合薄膜的气体透过系数先增大后减小,当Bi_(2)Te_(3)的含量为7.5%时,N_(2)、O_(2)和CO_(2)的气体透过系数均最大,三者的最大透过系数分别为1.017×10^(-7)、8.626×10^(-8)和1.139×10^(-7)cm^(3)·cm/cm^(2)·s·cm Hg,远超纯PLA薄膜气体透过性。研究结果为拓扑绝缘体共混改性可生物降解PLA基复合薄膜材料的研究提供思路。 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3)/pLA 复合薄膜 拓扑绝缘体 拉伸强度 气体透过性
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