P型Si上电沉积Ni-W-P合金薄膜

首次采用恒电流电沉积方式P型Si（111）上制备出Ni－W－P合金薄膜。考察了电沉积条件对镀层组成的影响，确定了制备表面致密、具有良好结合力的Ni-W－P合金薄膜的最佳工艺条件。

p型Si(100)化学镀NiP薄膜的制备及性能研究

采用化学镀的方法在组成为NiSO4.6H2O+NaH2PO2.H2O+Na3C6H5O7.H2O的化学镀液中与Pd活化的p型Si(100)表面制备了NiP薄膜,利用X射线能量色散谱(EDX)对NiP薄膜的成分进行了表征。用原子力显微镜(AFM)和电化学阳极溶出(ASV)的方法对不同化学镀时间下的NiP薄膜在Si表面的覆盖度进行了研究。结果表明,在表面覆盖度Γ达到4.03×10-8mol/cm2时,表面覆盖达到饱和,此时颗粒大小均一,并分布均匀。以NiP/Si为工作电极,在0.5 mol/L1的H2SO4溶液中分别在光照和暗态条件下对不同化学镀时间的NiP薄膜进行阴极极化扫描,结果表明,在Si表面未完全被覆盖和过度被覆盖的情况下光电催化的性能都没有达到最高,仅当Si表面被完全覆盖时,具有最强的光电催化析氢特性。

单晶硅掺杂类型对化学镀Ni-P膜的影响

本文采用化学镀的方法分别在P型、N型Si(100)表面制备了Ni-P膜,通过扫描电镜(SEM)及电子能谱仪(EDS)分析考察了同种制备条件下,在不同基底上镀膜的表面形貌和不同基底对镀层组分的影响;并用原子力显微镜(AFM)对不同基底上镀膜的平整度进行了研究。结果发现两种基底上的镀膜形貌、元素含量及镀膜平整度明显不同,以P型Si(100)作为基底时,膜层颗粒度及平整度较好。