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p种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响
1
作者
王光红
张晓丹
+7 位作者
许盛之
孙福河
岳强
魏长春
孙建
耿新华
熊绍珍
赵颖
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期7294-7299,共6页
采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅...
采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅i层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明:采用此方法能改善p/i界面特性,提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染,有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后,通过优化沉积条件,制备得到光电转换效率为8.81%(1cm2)的非晶/微晶硅叠层电池.
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关键词
单室
甚高频等离子体增强化学气相沉积
微晶硅太阳电池
p种子层
原文传递
题名
p种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响
1
作者
王光红
张晓丹
许盛之
孙福河
岳强
魏长春
孙建
耿新华
熊绍珍
赵颖
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期7294-7299,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202602,2006CB202603)
国家自然科学基金(批准号:60506003)
+4 种基金
南开大学博士科研启动基金(批准号:J02031)
科技部国际合作计划重点项目(批准号:2006DFA62390)
国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z436)
天津市科技支撑计划(批准号:08ZCKFGX03500)
教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET60506003)资助的课题~~
文摘
采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅i层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明:采用此方法能改善p/i界面特性,提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染,有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后,通过优化沉积条件,制备得到光电转换效率为8.81%(1cm2)的非晶/微晶硅叠层电池.
关键词
单室
甚高频等离子体增强化学气相沉积
微晶硅太阳电池
p种子层
Keywords
single-chamber
very high frequency
p
lasma enhanced chemical va
p
or de
p
osition
μc-Si:H solar cells
p
-seeding layer
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响
王光红
张晓丹
许盛之
孙福河
岳强
魏长春
孙建
耿新华
熊绍珍
赵颖
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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