小麦背景下冰草6P染色体特异EST标记的开发

小麦-冰草[Agropyroncristatum(L.)Gaertn.]6P附加系普冰4844-12具有多粒等可用于小麦改良的优异基因。为高效率检测由小麦-冰草6P附加系衍生的易位系和渐渗系,以普冰4844-12及其亲本普通小麦Fukuhokomugi和冰草Z559(2n=4x=28,PPPP)为材料,通过对冰草转录组测序获得的EST序列设计的P基因组EST分子标记引物,筛选在普通小麦背景下的6P染色体特异分子标记。结果从1453对P基因组EST引物中筛选出130对小麦-冰草6P附加系特异标记引物。进而将这些特异标记与NCBInr蛋白质数据库及小麦EST序列进行了比对,发现4条冰草EST序列的功能注释与抗病、抗逆相关;36条冰草EST与已经定位的小麦EST具有较高的相似性,其中33条(91.67%)位于小麦第6部分同源群染色体。为了进一步验证这些标记的特异性,分别对其中4个具有功能注释的EST标记在中国春等7个普通小麦背景下和随机选择的5个标记在小麦-冰草6P易位系背景下进行了检测,结果证明其确实可用于检测6P染色体。这些冰草6P染色体特异标记的开发为大规模地鉴定小麦-冰草衍生后代中P染色质成分奠定了基础。

双异质诱导层对红荧烯薄膜晶体管性能的影响

在二氧化硅衬底上依次真空沉积p-六联苯(p-6P)和酞菁铜(CuPc)构成双异质诱导层,研究了不同衬底温度下双异质诱导层对红荧烯薄膜形貌的影响,以及红荧烯分子在双异质诱导层上的生长过程.分析发现,第二诱导层酞菁铜的局部有序性对红荧烯薄膜的结晶度有直接影响.随着衬底温度的升高,酞菁铜薄膜有序区域面积增大,红荧烯的棒状晶粒也逐渐增大.当酞菁铜和红荧烯的衬底温度均为90℃,红荧烯蒸镀厚度为20 nm时,红荧烯薄膜形成高度有序、内部连接及具有特定方向的棒状晶畴.利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)分析了红荧烯薄膜的晶体结构,发现经过双异质诱导后的红荧烯薄膜转变为多晶形态.另外,红荧烯薄膜晶体管性能也明显提高,开态电流提高了约3个数量级,迁移率提高了30倍,阈值电压降低了20 V.

异质诱导酞菁锌有机薄膜晶体管的蒸镀工艺

通过调控对六联苯(p-6P)诱导层和酞菁锌(ZnPc)蒸镀工艺条件,研究了有机半导体小分子的结晶生长成膜与ZnPc有机薄膜晶体管(OTFT)器件电性能的关系。结果表明,p-6P在180~190℃较高的衬底生长温度和3~4 nm的生长厚度下能够形成更大的结晶畴以及对二氧化硅衬底表面更好的覆盖,有利于诱导ZnPc小分子的结晶生长,使晶畴的排列更加有序。同时通过X射线衍射分析晶体结构,结果表明p-6P衬底温度的升高会明显提高ZnPc薄膜的结晶性。电性能研究发现,ZnPc蒸镀厚度的增加会显著提高器件的饱和电流和迁移率,在异质诱导条件下,p-6P薄膜厚度为3 nm、ZnPc蒸镀厚度为20 nm时,器件的饱和电流为1.08×10^(-6) A,迁移率为1.66×10^(-2) cm ^(2)·V^(-1)·s^(-1)。

基于弱外延生长的有机薄膜晶体管的研究

采用弱外延生长(Weak Epitaxy Growth, WEG)的方法制备OTFTs,研究了不同衬底温度对诱导层p-6P生长形貌的影响,以及WEG-OTFTs器件特性与诱导层形貌的关系。另外,还研究了诱导层p-6P的厚度变化对WEG-OTFTs场效应迁移率的影响。研究发现随着p-6P厚度增加WEG-OTFTs的场效应迁移率是一个先上升后下降然后再上升再下降的过程。我们在诱导层p-6P的厚度2 nm,衬底温度180度时得到了最大的OTFTs场效应迁移率1.03 cm2/Vs。