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n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究
被引量:
1
1
作者
熊超
朱锡芳
+5 位作者
陈磊
陆兴中
袁洪春
肖进
丁丽华
徐安成
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期787-790,803,共5页
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流...
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。
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关键词
p-cui/
n-si
异质结
I-V特性
C-V特性
内建电势
界面态
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职称材料
题名
n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究
被引量:
1
1
作者
熊超
朱锡芳
陈磊
陆兴中
袁洪春
肖进
丁丽华
徐安成
机构
常州工学院光电工程学院
华南理工大学电子与信息学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期787-790,803,共5页
基金
国家自然科学基金项目(11247323)
江苏省高校自然科学基金项目(12KJD510001)
+1 种基金
常州市科技项目(CJ20120001)
常州工学院自然科学基金项目(YN1105)
文摘
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。
关键词
p-cui/
n-si
异质结
I-V特性
C-V特性
内建电势
界面态
Keywords
p-cui/n-si heterojunction
I-V
C-V
builtn potential
interface state
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究
熊超
朱锡芳
陈磊
陆兴中
袁洪春
肖进
丁丽华
徐安成
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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