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p-GaAs基欧姆接触快速退火的研究
1
作者
王英鸿
《科技创新与应用》
2015年第30期38-38,共1页
为了更好地提高GaAs基半导体材料器件的性能,对p型GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了实验优化研究。使Ti/Pt/Au/p-GaAs分别在380℃-460℃快速退火温度和40s-80s快速退火时间下进行欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对...
为了更好地提高GaAs基半导体材料器件的性能,对p型GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了实验优化研究。使Ti/Pt/Au/p-GaAs分别在380℃-460℃快速退火温度和40s-80s快速退火时间下进行欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。结果表明:为了与n-GaAs快速退火温度相兼容,Ti/Pt/Au/p-GaAs在420℃快速退火温度和60s退火时间下形成了较好的接触电阻率3.91×10-5Ω·cm2。
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关键词
p-gaas基
欧姆接触
快速退火
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职称材料
题名
p-GaAs基欧姆接触快速退火的研究
1
作者
王英鸿
机构
长春中国光学科学技术馆
出处
《科技创新与应用》
2015年第30期38-38,共1页
文摘
为了更好地提高GaAs基半导体材料器件的性能,对p型GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了实验优化研究。使Ti/Pt/Au/p-GaAs分别在380℃-460℃快速退火温度和40s-80s快速退火时间下进行欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。结果表明:为了与n-GaAs快速退火温度相兼容,Ti/Pt/Au/p-GaAs在420℃快速退火温度和60s退火时间下形成了较好的接触电阻率3.91×10-5Ω·cm2。
关键词
p-gaas基
欧姆接触
快速退火
分类号
TN305.93 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
p-GaAs基欧姆接触快速退火的研究
王英鸿
《科技创新与应用》
2015
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