p-GaAs基欧姆接触快速退火的研究

为了更好地提高GaAs基半导体材料器件的性能,对p型GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了实验优化研究。使Ti/Pt/Au/p-GaAs分别在380℃-460℃快速退火温度和40s-80s快速退火时间下进行欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。结果表明:为了与n-GaAs快速退火温度相兼容,Ti/Pt/Au/p-GaAs在420℃快速退火温度和60s退火时间下形成了较好的接触电阻率3.91×10-5Ω·cm2。