AuBe/p-GaP接触体系界面特性随温度变化的研究

微合金条件对Ｍ－Ｓ接触的表面与界面特性产生重要的影响．借助光电子能谱分析了ＡｕＢｅ／ｐ－ＧａＰ接触体系界面组分变化，用扫描电子显微镜观察其表面形貌；从冶金学观点解析了Ｍ－Ｓ接触界面反应的特征，并对其温度依赖关系进行了讨论．

p-GaP/Au-Sb/Au-Zn体系的接触界面

采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn内扩散使界面形成一个较高掺杂浓度的再生长层,可改善M-S欧姆接触性质,此外,界面上还有碳、氧杂质的沾污,有效地清除半导体表面氧化层对于制好欧姆电极是重要的。

间隔p Virasoro代数的导子代数和自同构群

Virasoro代数作为圆上的多项式向量场的复李代数的泛中心扩张在二维共形量子场论中起到奠基性作用,间隔p Virasoro代数是一类与无心的Heisenberg-Virasoro代数密切相关的无限维李代数.本文研究了间隔p Virasoro代数的导子代数和自同构群.特别地,本文给出间隔p Virasoro代数到它自身的一阶同调群和所有的外导子.

基于P-GMAW摆动电弧传感的窄间隙坡口宽度自适应焊接

针对窄间隙自动化焊接过程中,组对误差、焊接热变形等因素导致的坡口宽度不一致问题,本文提出采用电弧传感方式对坡口宽度进行检测,并根据检测结果调节工艺参数,保证焊接质量的方法。通过研究坡口宽度偏差的提取算法,分析窄坡口条件下脉冲熔化极焊接的峰值电流、基值电流和平均电流信号的传感特征,提出以脉冲周期内的电流均值作为特征信号,利用侧壁平均法进行偏差提取的传感方式;确定了坡口宽度变化时,焊枪摆幅、焊接速度的调控方法,实现了适应坡口宽度变化的自动化焊接。窄间隙焊接试验表明,上述方法能够有效识别坡口宽度变化,及时对摆幅、焊速进行调整,可在坡口宽度变化时,保证侧壁熔合质量和焊层厚度均匀。研究结果对单道多层窄间隙焊接实现焊接自动化,保证焊接质量具有一定的参考价值。

Ag与p型GaP欧姆接触的表面特性分析

在p型GaP表面制作Ag电极,并利用退火环境令金属和半导体的接触界面产生良好的欧姆接触。通过扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)以及X射线光电子能谱(XPS)的表征分析与对比,研究了不同退火环境对欧姆接触表面特性的影响。结果表明:退火时间过短,获得能量自由移动的原子移动面积小,不利于提高样品表面致密性;退火温度过高,欧姆接触表面的晶粒又容易发生球聚现象,造成样品表面的粗糙程度加剧。另外,在退火过程中,发生的相互扩散、形成化合物和合金相以及氧化反应也会对欧姆接触表面特性产生影响。其中,氧化反应较其他反应更为剧烈,对比接触电阻率的影响更大。因此,适宜的退火环境和有效控制氧化反应是增强欧姆接触性能的关键。

钯为基底的p－GaP低阻欧姆接触层的XPS分析

对钯为基底的多层金属膜Ｐｄ／ｚｎ／Ｐｄ与ｐ型ＧａＰ形成的低阻欧姆接触层的表面及界面进行了Ｘ光电子能谱（ｘｐｓ）的分析，由此给出该接触体系表面及界面处的各用分元素、电子结合状态、化学位移情况，同时也分析、讨论了接触层的冶金性质。

Au/Au-Be与GaP欧姆接触的表面分析

用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表面有结晶团状物产生,晶粒变粗,接触电阻增大.AES和XPS分析表明,经540～550℃温度热处理后,界面生成Au Ga P化合物;Be原子由表面向界面扩散,在界面处出现最大值.

新的系统发育标记及其应用

系统发育标记是阐明个体间遗传关系的基因片段 ,为了区别遗传关系接近的分类单元 ,有许多新的系统发育标记被应用 ,配合其它分类手段的使用 ,为多相分类的研究注入了新的活力。

p型宽带隙半导体CuAl_(1-x)Fe_xO_2的光电性能研究

采用固相反应合成了CuAl1-xFexO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量。结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构,随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性能明显提高。当x=0.10时,样品的室温电导率达到3.38×10-1S·cm-1;所有掺杂样品的电导率随温度变化曲线在近室温区,很好地符合Arrhenius关系,其热激活能为20～32meV;Hall系数均为正值,表明所有样品都为p型半导体。

一维光子晶体的光学传输特性分析

采用等效F P腔方法对一维光子晶体进行研究 ,计算并讨论不同周期数的一维光子晶体对光学传输特性的影响 计算结果表明 ,一维光子晶体具有光子禁带 ,表现为对光的高反射率 ;掺杂的一维光子晶体的光子禁带中央将出现频宽极窄的缺陷态 ,即光子局域 ,与复折射率和晶体周期数有密切的关系 所得结果与实验分析一致 ,证明了方法的有效性和实用性 。

准毛细间隙反应器中直接电氧化合成茴香醛二甲基缩醛

以准毛细间隙反应器为电化学合成装置，采用恒电流电解技术考察了阳极材料、支持电解质、电流密度等工艺参数对茴香醚直接电氧化合成茴香醛二甲基缩醛的影响。结果表明，收率从高到低采用的阳极材料依次为：石墨＞钛基铱钽＞钛基钌铱＞钛基铂；支持电解质依次为：对甲基苯磺酸钠＞苯磺酸钠＞氟化钾＞甲醇钠＞高氯酸钠＞间硝基苯磺酸钠；在电流密度1～9 A·dm-2范围内，反应选择性随着电流密度的增大而减小；添加适量的2,6-二甲基吡啶能抑制茴香醛二甲基缩醛的氧化从而提高反应选择性。在优化条件下，茴香醛二甲基缩醛的收率和电流效率分别达到75%和47%。

溶胶-凝胶法制备CuAlO_2粉末及其光电性能研究

采用柠檬酸络合的无机盐溶胶-凝胶法,结合自蔓延燃烧制备出铜铁矿结构的CuAlO2粉末。用DSC-TGA、X射线衍射仪、扫描电子显微镜等分析方法对CuAlO2的形成过程、物相结构、微观形貌等进行了研究。结果表明:形成CuAlO2相的温度在1092℃左右,在1100℃烧结2 h可以得到铜铁矿结构CuAlO2纳米粉末,其粒径分布在50～200 nm之间。制备的样品为p型半导体,CuAlO2片的电阻率为45.5Ω.cm;光学带隙增大,其值约为3.75 eV。

中国潜在产出测算实证研究

在对中国潜在产出测算研究状况进行评介的基础上,分别使用H-P滤波法和生产函数法估算了中国1978—2004年间的潜在产出、产出缺口和潜在产出增长率。结果表明:(1)1978—2004年间,中国的产出缺口出现了波动水平正负交替的周期情形;(2)1995年以前产出缺口的波动幅度比较剧烈且较为频繁,1996年特别是1999年以后产出缺口的变化较为平缓;(3)1997年以后,虽然经济的增长率保持较高的水平,但是生产要素的实际利用水平却逐渐降低;(4)生产函数法得到的结果基本客观的反映了改革开放后,中国开始从计划经济向市场经济过渡到市场经济初步建立这一时期的生产要素使用情况。(5)根据H-P滤波法和生产函数法估算的潜在产出,得到1978—2004年间的平均潜在产出增长率分别为9.54%和9.67%。根据估计结果,在今后几年,通过适当的宏观调控,把中国的经济增长率稳定在8%～9%可能是一个较好的选择。

四川芦山M_S7.0地震震源区及其周边区域P波三维速度结构研究

利用四川数字地震台网和流动地震台站在芦山MS7.0地震震后(2013年4月20日—6月23日)记录到的2 026次区域地震事件的28 188条P波到时资料,采用地震层析成像方法反演得到了芦山地震震源区及其周边区域中上地壳P波三维速度结构.结果表明,浅部地壳的P波速度异常分布特征与地表地质构造、地形和岩性密切相关,即成都断陷盆地表现出与第四纪沉积有关的低速异常区;犍为、乐山一带的川中微升区和川青块体龙门山以西的邻近地带均表现为与构造抬升有关的高速异常;宝兴、康定附近分布的基性火山岩及火山碎屑岩均呈局部高速异常分布.芦山地震震源位于高低速异常分界线附近且偏向高速体一侧,其下方存在明显的低速异常分布,可能与流体的存在有关.流体的作用导致中上地壳内部发震层的弱化,使孕震断层易于破裂,可能对芦山地震起到了触发作用.芦山地震与汶川地震两次地震的余震密集区相距50km,这50km地震空区震源体的深度范围附近目前正处于高速异常区内,加之龙门山断裂带西南段又具有比较典型的断错地貌发育,使得该段地震空区(大邑—邛崃活动断裂破裂空段)现在所处的深浅部构造环境变得复杂,其潜在的地震危险性仍值得进一步关注.

基于产出缺口估计的通货膨胀压力测度研究

笔者利用HP滤波方法估计中国近年的产出缺口状况,并建立描述中国宏观经济中产出缺口与通货膨胀之间关系的菲利普斯曲线方程式,最后采用计量方法进行实证研究发现,持续偏快的经济增长率是中国近年来出现通货膨胀的主要因素。基于此,中国政策当局应当坚持货币政策稳定物价的单一调控目标,并通过控制经济增长速度,来避免宏观经济中出现严重的通货膨胀。

不同林窗马尾松凋落叶与土壤养分变化研究

以现有42年生的马尾松(Pinus massoniana)人工纯林,经过采伐形成4种不同大小有效面积的林窗(100、400、900和1 600 m2)为研究对象,以未经采伐的42年生马尾松人工纯林为对照样地,采用凋落叶分解袋法,研究不同大小有效面积林窗对马尾松凋落叶、土壤C、N、P及化学计量比和养分损失率的影响。研究结果表明:(1)不同大小有效面积林窗下的马尾松凋落叶、土壤C、N、P含量及养分损失率除土壤P含量和马尾松凋落叶P养分损失率外,均存在显著差异。随着林窗有效面积G1~G4的增大,马尾松凋落叶C、N、P含量均呈降低趋势,三者均在G3林窗体现出较小值。马尾松凋落叶C、N、P养分损失率、土壤C、N、P养分含量多呈抛物线趋势,且均在G2或G3林窗体现出最大值。(2)不同大小有效面积林窗下的马尾松凋落叶、土壤C/N/P均存在显著差异。随着林窗有效面积G1~G4的增大,马尾松人工林土壤C/N/P基本呈抛物线变化趋势,土壤C/N在G3林窗出现最大值,土壤C/P、N/P均在G2林窗体现出最大值;土壤C/N、C/P、N/P变异系数分别为13.31%、16.51%、17.21%。马尾松凋落叶C/N、C/P均在G3体现出最小值。(3)马尾松凋落叶C、N含量与土壤C、C/N/P及环境因子的相关性较强,P含量与它们的相关性较弱;C/N与土壤P、C/N/P及环境因子的相关性较强,C/P、N/P与土壤C/P及环境因子的相关性较强;C、N养分损失率与土壤C、C/N、C/P及环境因子的相关性较强,P养分损失率与土壤C、N、P含量及其化学计量比和环境因子的相关性较弱。土壤C、N、P含量及其化学计量比与环境因子的相关性较强。

大别山超高压变质带中牛凸岭地区低温-高压榴辉岩的发现及其意义

依据对南大别超高压带腹地的榴辉岩野外地质调查、岩相学和热力学的研究表明,南大别腹地——牛凸岭地区榴辉岩属于低温高压榴辉岩,并未经历超高压变质作用。该地区榴辉岩的共生围岩主要为片岩、片麻岩和斜长角闪岩,石榴石多为自形-半自形,内含大量的早期矿物包体,峰期变质温压条件分别为:T=360～520℃;P=1.3～2.4GPa。对比南大别超高压榴辉岩形成的变质条件,两者压力差可达0.7GPa,约20km 厚的地壳深度缺失。结合构造分析牛凸岭单元更类似于桐城-源潭铺高压块体,推测其属于构造上层部位岩片。

室上性心动过速中旁道折返的少见现象

报告阵发性室上性心动过速 (PSVT)电生理检查中发现的几种少见的旁道电生理特性。例1为一左侧隐匿性房室旁道参与的房室折返性心动过速 ,其心室扫描示旁道逆向有效不应期260ms,但520～390ms时无逆向传导功能。例2为一慢_慢型房室交接区折返性心动过速 ,同时存在一条右侧隐匿性房室旁道作为旁观者。例3为一宽QRS波群心动过速 ,其体表心电图呈典型马海姆纤维型预激综合征 ,电生理揭示存在左侧房室隐匿性旁道和束室旁道两条附加旁道 ,前者为心动过速的逆传支 ,后者与房室结_希室束同为顺传支。

p型透明导电SrCu_2O_2薄膜电学性能的研究进展

SrCu_2O_2是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于p-SrCu_2O_2和n-ZnO薄膜已经成功制备出异质结透明近紫外发光二极管,预示着其广阔的应用前景。对SrCu_2O_2的能带结构进行了详细说明,分析了p型TCO的导电机理,并对影响SrCu_2O_2电学性能的因素及如何提高其导电性能进行了讨论。

GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析

本文用AES和SIMS分析讨论了p-GaP与三层金属膜Pd/Zn/Pd形成良好欧姆接触层的性质.