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p-n结二极管结区边界附近的交流电特性
被引量:
3
1
作者
哈力木拉提
阿拜
+1 位作者
拜山
艾买提
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期1161-1165,共5页
基于p-n结二极管的理想工作状态的基本假定,推导了二极管在交流电下工作时其基区和p-n结分界面附近上的时间常数与二极管空间尺寸、扩散长度、载流子寿命和外加交流电频率等的依赖关系.结果发现高频和低频两种状态下二极管各类特征参量...
基于p-n结二极管的理想工作状态的基本假定,推导了二极管在交流电下工作时其基区和p-n结分界面附近上的时间常数与二极管空间尺寸、扩散长度、载流子寿命和外加交流电频率等的依赖关系.结果发现高频和低频两种状态下二极管各类特征参量对时间常数的作用不一样.低频条件下,二极管的时间常数由材料本身来决定,与外加电流频率无关.高频情况下,时间常数则与半导体材料性质无关,只由外加交流电的频率来决定.
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关键词
p-n结二极管
时间常数
载流子
分界面
原文传递
基于两步退火法提升Al/n^+Ge欧姆接触及Ge n^+/p结二极管性能
被引量:
1
2
作者
王尘
许怡红
+2 位作者
李成
林海军
赵铭杰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第17期281-286,共6页
锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+G...
锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10-6Ω·cm2,Ge n+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×106,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.
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关键词
低温预退火
激光退火
锗
p-n结二极管
欧姆接触
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职称材料
高功率微波激励下p-n结器件响应
被引量:
1
3
作者
吴如军
郭杰荣
余稳
《常德师范学院学报(自然科学版)》
2002年第1期19-21,共3页
通过采用时域有限差分方法 (FDTD)和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组 ,建立PN结半导体器件在高功率微波 (HightPowerMicrowave)激励下瞬态响应的一维模型 ,并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和...
通过采用时域有限差分方法 (FDTD)和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组 ,建立PN结半导体器件在高功率微波 (HightPowerMicrowave)激励下瞬态响应的一维模型 ,并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算 ,从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究 .计算表明 ,二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近 ,器件的热击穿应发生在信号的正半周期内 。
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关键词
高功率微波
一维瞬态过程模拟
时域有限差分方法
混合算法
半导体器件
p-n
结
器件
瞬态响应
p-n结二极管
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职称材料
XAFS实验探测器的研究
4
作者
谢亚宁
张小威
+1 位作者
张静
胡天斗
《北京同步辐射装置年报》
2001年第1期67-70,共4页
新型硅P-N结光电超二极管对光于能量响应范围已达到了X射线范围。它具有线性范围大,能量响应范围宽,量子效率高等优点,因而适用X射线之探测。本文介绍了以光电二板管构成同步辐射XAFS探测器替代传统的电离室探测器组合的研究工作,...
新型硅P-N结光电超二极管对光于能量响应范围已达到了X射线范围。它具有线性范围大,能量响应范围宽,量子效率高等优点,因而适用X射线之探测。本文介绍了以光电二板管构成同步辐射XAFS探测器替代传统的电离室探测器组合的研究工作,给出了的探测器结构设计,工作原理,实验结果及讨论。
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关键词
XAFS实验
探测器
同步辐射
硅
p-n
结
光电超
二极管
结
构设计
工作原理
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职称材料
题名
p-n结二极管结区边界附近的交流电特性
被引量:
3
1
作者
哈力木拉提
阿拜
拜山
艾买提
机构
新疆大学物理科学与技术学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期1161-1165,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:50661005)
新疆大学博士启动基金(批准号:BS050101)资助的课题.~~
文摘
基于p-n结二极管的理想工作状态的基本假定,推导了二极管在交流电下工作时其基区和p-n结分界面附近上的时间常数与二极管空间尺寸、扩散长度、载流子寿命和外加交流电频率等的依赖关系.结果发现高频和低频两种状态下二极管各类特征参量对时间常数的作用不一样.低频条件下,二极管的时间常数由材料本身来决定,与外加电流频率无关.高频情况下,时间常数则与半导体材料性质无关,只由外加交流电的频率来决定.
关键词
p-n结二极管
时间常数
载流子
分界面
Keywords
p-n
junction diode, time constant, carriers, interfaces
分类号
O472 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
基于两步退火法提升Al/n^+Ge欧姆接触及Ge n^+/p结二极管性能
被引量:
1
2
作者
王尘
许怡红
李成
林海军
赵铭杰
机构
厦门理工学院光电与通信工程学院
厦门工学院电子信息工程系
厦门大学物理学系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第17期281-286,共6页
基金
福建省自然科学基金(批准号:2018J05115)
厦门理工学院高层次人才项目(批准号:YKJ16012R)
+1 种基金
厦门理工学院科研攀登计划项目(批准号:XPDKQ18027)
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61704142)资助的课题~~
文摘
锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10-6Ω·cm2,Ge n+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×106,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.
关键词
低温预退火
激光退火
锗
p-n结二极管
欧姆接触
Keywords
low-temperature annealing
laser annealing
germanium
pn junction diode
Ohmic contact
分类号
TN312 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高功率微波激励下p-n结器件响应
被引量:
1
3
作者
吴如军
郭杰荣
余稳
机构
湖南省医药中等专业学校
常德师院电子研究所
西安电子科技大学微电子所
出处
《常德师范学院学报(自然科学版)》
2002年第1期19-21,共3页
基金
湖南省自然科学基金项目 ( 0 0JJY2 0 0 9)
常德师院科研基金 (JJ0 12 4)
文摘
通过采用时域有限差分方法 (FDTD)和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组 ,建立PN结半导体器件在高功率微波 (HightPowerMicrowave)激励下瞬态响应的一维模型 ,并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算 ,从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究 .计算表明 ,二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近 ,器件的热击穿应发生在信号的正半周期内 。
关键词
高功率微波
一维瞬态过程模拟
时域有限差分方法
混合算法
半导体器件
p-n
结
器件
瞬态响应
p-n结二极管
Keywords
high power microwave
one-dimensional transient operation simulation
Finite Difference Time Domain Method
Hybrid algorithm
分类号
TN312 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
XAFS实验探测器的研究
4
作者
谢亚宁
张小威
张静
胡天斗
机构
PhotonFactory
中国科学院高能物理研究所
出处
《北京同步辐射装置年报》
2001年第1期67-70,共4页
文摘
新型硅P-N结光电超二极管对光于能量响应范围已达到了X射线范围。它具有线性范围大,能量响应范围宽,量子效率高等优点,因而适用X射线之探测。本文介绍了以光电二板管构成同步辐射XAFS探测器替代传统的电离室探测器组合的研究工作,给出了的探测器结构设计,工作原理,实验结果及讨论。
关键词
XAFS实验
探测器
同步辐射
硅
p-n
结
光电超
二极管
结
构设计
工作原理
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p-n结二极管结区边界附近的交流电特性
哈力木拉提
阿拜
拜山
艾买提
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
原文传递
2
基于两步退火法提升Al/n^+Ge欧姆接触及Ge n^+/p结二极管性能
王尘
许怡红
李成
林海军
赵铭杰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
3
高功率微波激励下p-n结器件响应
吴如军
郭杰荣
余稳
《常德师范学院学报(自然科学版)》
2002
1
下载PDF
职称材料
4
XAFS实验探测器的研究
谢亚宁
张小威
张静
胡天斗
《北京同步辐射装置年报》
2001
0
下载PDF
职称材料
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