光电池非线性区PN结光生伏特效应的研究

根据光电池线性区应用叠加定理建立的PN结光生伏特效应理论,阐述了PN结光生伏特效应在光电池非线性区的应用.

迭加原理的错误及纠正——评PN结光生伏特效应

本文纠正了“迭加原理”的错误,建立了新的光伏理论。

La0.8Sr0.2MnO3薄膜光生伏特效应的微结构起源

研究了外延La0.8Sr0.2MnO3薄膜的光生伏特效应。实验发现，当脉冲激光从基底一侧照射时，光生电压改变符号。电子衍射微结构分析表明，La0.8Sr0.2MnO3薄膜是外延生长的基底上的，样品显示出正交取向畴的形式。薄膜表面光生电压的分布研究表明，这种异常的光生伏特效应是由于薄膜中取向微结构畴的非对称性所致，当紫外激光照射薄膜时，在La0.8Sr0.2MnO3中感生出电子空穴时，而薄膜中非对称的微结构畴会产生内建电场，引导激发的非平衡载流子运动，最终诱导出光生电压。

二维磁性NbSi_(2)N_(4)-WSi_(2)N_(4)-NbSi_(2)N_(4)异质结的光生电流效应

采用量子输运方法研究了二维(2D)磁性NbSi_(2)N_(4)-WSi_(2)N_(4)-NbSi_(2)N_(4)面内异质结的光生电流效应.该异质结具有C2v非空间反演对称性,在可见光范围内,用线偏光垂直及倾斜照射时,均能激发显著的光生电流效应,产生自旋极化且偏振敏感的光电流.光电流与偏振角(θ)和入射角(α)均为余弦依赖(cos(2θ),cos(2α))关系.两种照射方式下均能产生纯自旋流及完全自旋极化的光电流.在垂直照射时,能取得完美的自旋阀效应.这些结果表明,二维磁性NbSi_(2)N_(4)-WSi_(2)N_(4)-NbSi_(2)N_(4)异质结在低能耗自旋电子学及低维光电探测领域具有应用潜力.

对“新的p－n结光生伏特效应”提法的异议──与刘忠厚等同志商榷

本文对刘忠厚同志否定经典光伏理论的实验提出质疑，并指出他的“新的ｎ－ｎ结光生伏特效应”理论的不妥之处．

采用光生伏特效应的LED芯片在线检测方法研究

基于pn结的光生伏特效应,本文研究了一种非接触式LED芯片在线检测方法。通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流,检测LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间的电气连接状态。通过分析pn结光生伏特效应的等效电路,详细论述了半导体材料的各种参数及等效电路中各电参数与支架上流过的光生电流的关系。实验对各种不同颜色的LED样品进行了测量。研究表明,该方法可以实现LED芯片的在线检测,有较大的应用价值。

光生伏特效应

半导体受光照射产生电动势的现象称为光生伏特效应。前面述及的光电导效应是以光作为动力,使束缚电子成为自由电子,形成电子—空穴对,从而改变了材料的载流子浓度致使导电性能发生变化。要在光照下产生电位差或电动势,除上面的机制外,还需一种将正、负载流子在空间上分离的机制。根据产生电位差时载流子分离机理的不同,光生伏特效应又可分为丹倍效应、光磁电效应和PN结光生伏特效应等。

LCoS芯片p-n结光生电流理论分析

LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量。从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是入射光功率和挡光层的厚度。以Al膜作为挡光层材料,实际测量了不同厚度Al膜在可见光范围内的反射率,并在测量数据的基础上分别计算了不同情况下的光生电流的大小。当Al膜厚度为50nm时,光生电流最大仅为5.15×10-10A,可以抑制光生漏电流的产生,满足了LCoS的实际使用时的要求。

光生伏特效应与光伏发电

介绍了光生伏特效应概念和光电池原理,阐述了光伏发电系统的组成及各部分的作用.

份菁／铝肖特基势垒光生伏特的温度效应

测定了１６０－３２０Ｋ范围内铝／份菁／银有机太阳电池的光电流、光电压的温度效应。光电流和转换效率随温度的上升而上升；光电压在低于２２３Ｋ时呈下降，高于２２３Ｋ时呈上升；当温度高于２９３Ｋ时，三者均趋于饱和。在温度低于２２３Ｋ时热离子发射电流起主导作用，高于２２３Ｋ时杂质离子复合电流起主导作用。

高温超导体上的光生伏特效应

高温超导体的光电子学由于其有助于超导电性的解释和诱人的应用前景而受重视。我们首次在YBa2Cu3O7-δ样品与金属针接触的结上观测到光生伏特效应。样品的临界温度Tc=92K,置于液氮杜瓦中,温度可变（77K至室温）。金属针材料用了铂、钨、铜和金,它们的热电势和逸出功各不相同。光源用45mW的He—Ne激光器,光照在结的位置上。针和超导体的引线连到数字微伏表上,测量中以针的那端作零电压参考;

Mg:Fe:LiNbO_3晶体的光折变和光生伏特效应

本文研究了富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变和光生伏特效应,并与 LiNbO_3:Fe 和 LiNbO_3:Mg 晶体进行了比较。研究结果表明,富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变性能、光生伏特电流和光电导均与富锂 LiNbO_3:Mg 相近,而与 LiNbO_3:Fe 的差别很大。

Pb_(0.92)La_(0.08)(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3铁电薄膜光生伏特效应的研究

以醋酸铅、钛酸丁酯、正丁醇锆以及硝酸镧为原料,甲醇和乙醇为溶剂配制Pb_(0.92)La_(0.08)(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3溶胶,采用溶胶-凝胶法经550℃的快速热处理,在LaNiO_3/Si上制备了Pb_(0.92)La_(0.08)(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3铁电薄膜。利用X射线衍射仪分析了薄膜组分与结构,标准铁电分析仪测试了薄膜的铁电性能;利用紫外光源对薄膜进行光照实验;通过分析薄膜厚度对其光生伏特效应的影响,进一步探讨分析了铁电薄膜光生伏特效应的产生机理。结果表明,在20 V电压下,薄膜的剩余极化值和矫顽场强分别为17.485μC/cm2和10.78 k V/cm。当紫外光照强度为2.67 m W/cm^2,薄膜厚度为490 nm左右时,薄膜光照后所产生的最大光生电压值为61.5 m V。

光生伏特效应概述

a）P—N结。太阳能电池发电的原理是基于半导体的光生伏特效应将太阳辐射直接转换为电能。在晶体中电子的数目总是与核电荷数相一致，如将P型硅或N型硅放在阳光下照射，仅是被加热，外部看不出变化。尽管通过光的能量电子从化学键中被释放，由此产生电子～空穴对，但在很短的时间内（在斗S范围内）电子又被捕获，即电子和空穴“复合”。当P型和N型半导体结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里会形成1个特殊的薄层，界面的P型一侧带负电，N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。

基于光生伏特效应的碳纳米材料自储能器件的研究进展

文章介绍了基于光生伏特效应的碳纳米材料自储能器件(PV-CNSPD)的研究进展,包括以钙钛矿材料、有机物、染料敏化材料、量子点材料为光电活性物质的各类PV-CNSPD。阐释了工作原理,介绍了碳纳米材料在其中的作用,指出由碳纳米材料制成的电极是PV-CNSPD实现电能储存的关键。对PVCNSPD的当前瓶颈和未来发展方向提出了建议。

硅p-n结太阳电池对DF激光的响应

对硅p n结太阳电池在DF激光辐照下的响应进行了理论和实验研究。推导了p n结反向饱和电流随温度的近似变化关系。根据该近似关系,计算了太阳电池在DF激光辐照过程中输出电压的变化曲线。计算结果和实验结果之间取得了比较好的一致性。

光生伏特效应

利用太阳能的最佳方式是光伏转换，就是利用光伏效应，使太阳光射到硅材料上产生电流直接发电。“光生伏特效应”（Photovoltaic effect），简称“光伏效应”。光伏效应指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。

光生伏特效应

如果光线照射在太阳能电池上并且光在界面层被吸收，具有足够能量的光子能够在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激发，以致产生电子一空穴对。界面层附近的电子和空穴在复合之前，将通过空间电荷的电场作用被相互分离。电子向带正电的N区和空穴向带负电的P区运动。通过界面层的电荷分离，将在P区和N区之间产生一个向外的可测试的电压。