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以色列SCD公司的Ⅲ-Ⅴ族红外探测器研究进展 被引量:14
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作者 李俊斌 李东升 +6 位作者 杨玉林 常超 覃钢 杨晋 周旭昌 杨春章 李艳辉 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期936-945,共10页
Ⅲ-Ⅴ族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历程。重点总结了SC... Ⅲ-Ⅴ族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历程。重点总结了SCD关于InAs SbnBn中波高温探测器和InAs/GaSb二类超晶格pBp长波探测器中的研发。 展开更多
关键词 SCD公司 Ⅲ-Ⅴ红外探测器 二类超晶格 InAsSb中波高温探测器 pbp长波探测器
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